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標(biāo)簽 > 引線鍵合
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隨著光子學(xué)技術(shù)在行業(yè)中尋求其利基市場(chǎng),需要克服的一個(gè)障礙是可擴(kuò)展的制造工藝。一種稱為光子引線鍵合(PWB)的技術(shù)希望推動(dòng)光子學(xué)向前發(fā)展。 在過(guò)去的幾年中...
SiC MOSFET 短路測(cè)試下的引線鍵合應(yīng)力分析
電力電子技術(shù)在日常生活中越來(lái)越普遍,尤其是現(xiàn)在,當(dāng)我們正經(jīng)歷一場(chǎng)由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時(shí)。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1257 0
優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)提升功率器件引線鍵合的可靠性
歡迎了解 聶洪林 陳佳榮 任萬(wàn)春 郭林 蔡少峰 李科 陳鳳甫 蒲俊德 (西南科技大學(xué) 四川立泰電子有限公司) 摘要: 探究了引線鍵合工藝的重要參數(shù)對(duì)功率...
引線鍵合在溫度循環(huán)下的鍵合強(qiáng)度衰減研究
共讀好書 熊化兵,李金龍,胡 瓊,趙光輝,張文烽,談侃侃 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司) 摘要: 研究了 18 、25 、 30 μ m 三種金絲和 25 、...
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