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標(biāo)簽 > 微影技術(shù)
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EUV技術(shù)量產(chǎn)進(jìn)入最后沖刺階段
盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問題以及緊迫的時(shí)間,專家們?nèi)匀槐С謽酚^態(tài)度...
EUV微影技術(shù)仍待克服重重障礙 2020年將用于關(guān)鍵步驟
極紫外光(EUV)微影技術(shù)持續(xù)取得重大進(jìn)展。在日前于美國(guó)加州圣荷西舉行的國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)年度會(huì)議上,英特爾(Intel)與三星(Samsun...
微影技術(shù)日益精進(jìn) 半導(dǎo)體工藝持續(xù)成長(zhǎng)
半導(dǎo)體工業(yè)在光學(xué)微影技術(shù)的幫助下,長(zhǎng)期形成持續(xù)且快速的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),但光學(xué)微影在面對(duì)更精密的制程已開始出現(xiàn)應(yīng)用瓶頸,尤其在小于0.1微米或更精密的制程,必須...
2014-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝微影技術(shù) 1830 0
ASML:預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)
設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓廠,合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度,預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型...
FinFET改變戰(zhàn)局:臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星Intel
晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體制程世代后,與整合元件制造商的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈,因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟,串連矽智財(cái)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以...
專家們一致認(rèn)為,過去幾十年來一直扮演半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎的摩爾定律(Moore“s Law ),正由于下一代超紫外光(EUV)微影技術(shù)的延遲而失去動(dòng)力。
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