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      標(biāo)簽　>　時(shí)序優(yōu)化

      時(shí)序優(yōu)化

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      文章：4個(gè) 瀏覽：1446次 帖子：1個(gè)

      時(shí)序優(yōu)化技術(shù)

      時(shí)序優(yōu)化之發(fā)送端打拍策略解析

      時(shí)序優(yōu)化之發(fā)送端打拍策略解析

      打拍是進(jìn)行時(shí)需優(yōu)化最常用和最簡(jiǎn)單的方式之一，不過(guò)握手型協(xié)議的打拍和通常的使能型協(xié)議是不同的。

      2023-12-04 標(biāo)簽：寄存器時(shí)序優(yōu)化 675 0

      時(shí)序優(yōu)化之接收端打拍策略探討

      時(shí)序優(yōu)化之接收端打拍策略探討

      這篇文章是探討對(duì)接收端進(jìn)行時(shí)序優(yōu)化（即ready打拍，或稱backward打拍）的方式。

      2023-12-04 標(biāo)簽：寄存器時(shí)序優(yōu)化 578 0

      Vivado崩潰調(diào)試的方案和預(yù)防

      Vivado崩潰調(diào)試的方案和預(yù)防

      在某些情況下會(huì)出現(xiàn)日志不足的狀況，并且需要與賽靈思共享 RTL 設(shè)計(jì)，才能對(duì)問(wèn)題進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)試。

      2019-07-25 標(biāo)簽：Vivado時(shí)序優(yōu)化 1.3萬(wàn) 0

      幾個(gè)FPGA時(shí)序優(yōu)化簡(jiǎn)單技巧

      當(dāng)然FPGA里實(shí)際不必這樣，打個(gè)比方，兩個(gè)xbit的數(shù)據(jù)做比較，若芯片內(nèi)是4輸入LUT，若有pipeline的必要，那么流水級(jí)最多用[log4(x)]+...

      2018-05-11 標(biāo)簽：FPGA時(shí)序優(yōu)化 1.0萬(wàn) 0

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      時(shí)序優(yōu)化資訊

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      時(shí)序優(yōu)化數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 無(wú)人駕駛
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        京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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        特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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        功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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