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源極

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源極技術(shù)

開關(guān)管三個引腳和功能

開關(guān)管通常具有三個引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個引腳在開關(guān)管中扮演著不同的角色,共同決定了開...

2024-10-25 標(biāo)簽:源極漏極引腳 232 0

mosfet里vgs和vds的關(guān)系

在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...

2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 2262 0

結(jié)型場效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)

結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對該PN結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...

2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管源極 307 0

柵極和源極之間的穩(wěn)壓二極管的作用

在電子學(xué)中,穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定在一個特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號處理和保護電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時...

2024-09-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管柵極源極 339 0

柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別在哪

柵極驅(qū)動IC(Gate Driver IC)和源極(Source)是兩個在電子和電力電子領(lǐng)域中常見的概念,它們在功能和應(yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動I...

2024-09-18 標(biāo)簽:電流MOSFET源極 461 0

什么是MOS管的線性區(qū)

MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。

2024-09-14 標(biāo)簽:MOS管電極源極 1318 0

柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)

一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動IC :柵極驅(qū)動...

2024-10-07 標(biāo)簽:MOSFET參數(shù)電子器件 350 0

晶體管的漏極與源極有什么區(qū)別

在探討晶體管的漏極(Drain)與源極(Source)的區(qū)別時,我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管,尤其是場效應(yīng)晶體管(FET),是一種...

2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管源極 1825 0

MOS管源極和漏極是什么意思

MOS管,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),...

2024-07-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管源極 3678 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時,理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。

2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體MOS 2569 0

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源極資訊

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時

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2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開關(guān)器件 400 0

華為公開“半導(dǎo)體器件”專利:提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

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根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位...

2023-10-11 標(biāo)簽:晶體管源極半導(dǎo)體元件 804 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有驅(qū)動器源極引腳的封裝

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通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?目前ROHM有驅(qū)動器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器封裝 820 0

MOSFET的電氣特性(靜態(tài)特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)

當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產(chǎn)生的漏電流

2022-11-14 標(biāo)簽:電流柵極源極 7237 0

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一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫,稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場...

2020-03-23 標(biāo)簽:晶體管FET源極 1.2萬 0

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源極,什么是源極,源極是什么意思 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的...

2010-02-26 標(biāo)簽:源極場效應(yīng)晶體管 7589 0

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