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標(biāo)簽 > 源極
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開關(guān)管通常具有三個引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個引腳在開關(guān)管中扮演著不同的角色,共同決定了開...
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 2262 0
結(jié)型場效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對該PN結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管源極 307 0
在電子學(xué)中,穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定在一個特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號處理和保護電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時...
2024-09-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管柵極源極 339 0
柵極驅(qū)動IC(Gate Driver IC)和源極(Source)是兩個在電子和電力電子領(lǐng)域中常見的概念,它們在功能和應(yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動I...
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。
柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動IC :柵極驅(qū)動...
在探討晶體管的漏極(Drain)與源極(Source)的區(qū)別時,我們首先需要明確晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。晶體管,尤其是場效應(yīng)晶體管(FET),是一種...
MOS管,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),...
3-Ω低RON,5V,2:1(SPDT)通用開關(guān)TMUX1237數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:源極通用開關(guān) 142 0
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時
2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開關(guān)器件 400 0
華為公開“半導(dǎo)體器件”專利:提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力
根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位...
2023-10-11 標(biāo)簽:晶體管源極半導(dǎo)體元件 804 0
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有驅(qū)動器源極引腳的封裝
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?目前ROHM有驅(qū)動器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
MOSFET的電氣特性(靜態(tài)特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)
當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產(chǎn)生的漏電流
源極,什么是源極,源極是什么意思 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的...
2010-02-26 標(biāo)簽:源極場效應(yīng)晶體管 7589 0
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