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標(biāo)簽 > 紅外探測(cè)器

紅外探測(cè)器

+關(guān)注5人關(guān)注

紅外探測(cè)器(Infrared Detector)是將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件。紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見(jiàn)光與微波之間的電磁波,人眼察覺(jué)不到。要察覺(jué)這種輻射的存在并測(cè)量其強(qiáng)弱,必須把它轉(zhuǎn)變成可以察覺(jué)和測(cè)量的其他物理量。

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紅外探測(cè)器技術(shù)

紅外探測(cè)器有幾種_紅外探測(cè)器作用

紅外探測(cè)器是靠探測(cè)人體發(fā)射的紅外線(xiàn)來(lái)進(jìn)行工作的。探測(cè)器收集外界的紅外輻射進(jìn)而聚集到紅外傳感器上。紅外傳感器通常采用熱釋電元件,這種元件在接收了紅外輻射溫...

2019-12-06 標(biāo)簽:探測(cè)器紅外探測(cè)器 2.5萬(wàn) 0

被動(dòng)紅外探測(cè)器的工作原理

被動(dòng)紅外探測(cè)器:PIR(Passive infrared detectors)采用被動(dòng)紅外方式,已達(dá)到安保報(bào)警功能的探測(cè)器。被動(dòng)式紅外探測(cè)器主要由光學(xué)系...

2019-12-06 標(biāo)簽:探測(cè)器紅外探測(cè)器 1.6萬(wàn) 0

SCD關(guān)于InAsSb nBn中波高溫器件和InAs/GaSb二類(lèi)超晶格pBp長(zhǎng)波器件的研發(fā)歷程

SCD關(guān)于InAsSb nBn中波高溫器件和InAs/GaSb二類(lèi)超晶格pBp長(zhǎng)波器件的研發(fā)歷程

SCD的優(yōu)勢(shì)及主流產(chǎn)品主要是III-V族紅外探測(cè)器。20世紀(jì)90年代開(kāi)始,SCD的研發(fā)重心就放在InSb上,早期主要研究離子注入型平面結(jié)工藝,工藝成熟后...

2019-02-25 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器器件SCD 1.4萬(wàn) 0

紅外線(xiàn)探測(cè)器距離_紅外線(xiàn)探測(cè)器安裝

被動(dòng)式紅外探測(cè)器單獨(dú)一個(gè)就能使用,一般被動(dòng)探測(cè)器的探測(cè)距離是在12米左右,分有110度廣角探測(cè)器、15度幕簾探測(cè)器、110度廣角紅外微波雙鑒探測(cè)器等三種...

2019-12-06 標(biāo)簽:探測(cè)器紅外探測(cè)器 1.4萬(wàn) 0

分享關(guān)于紅外熱成像知識(shí)的原理及應(yīng)用

分享關(guān)于紅外熱成像知識(shí)的原理及應(yīng)用

非均勻性校正是指有效降低探測(cè)器的響應(yīng)率不均勻性,提高熱像儀成像質(zhì)量的一種技術(shù)手段。經(jīng)過(guò)非均勻性校正的熱像儀成像畫(huà)面均勻,鬼影和壞點(diǎn)現(xiàn)象消失,成像效果得到...

2019-08-26 標(biāo)簽:分辨率紅外探測(cè)器紅外熱成像 1.3萬(wàn) 0

焦平面紅外探測(cè)器應(yīng)用現(xiàn)狀

焦平面紅外探測(cè)器應(yīng)用現(xiàn)狀

在精確制導(dǎo)領(lǐng)域,主流制導(dǎo)方式有紅外制導(dǎo)和雷達(dá)制導(dǎo),這兩種方式各有優(yōu)勢(shì),在某些特定的場(chǎng)合,紅外制導(dǎo)更是顯示出其不可替代性。與雷達(dá)制導(dǎo)的主動(dòng)探測(cè)相比,紅外探...

2019-03-18 標(biāo)簽:探測(cè)器數(shù)據(jù)采集紅外探測(cè)器 1.3萬(wàn) 0

被動(dòng)紅外探測(cè)器的優(yōu)缺點(diǎn)_被動(dòng)紅外探測(cè)器安裝

本文主要闡述了被動(dòng)紅外探測(cè)器的優(yōu)缺點(diǎn)及安裝方法。

2019-12-06 標(biāo)簽:探測(cè)器紅外探測(cè)器 9565 0

何謂第三代紅外探測(cè)器技術(shù)?發(fā)展趨勢(shì)如何?

何謂第三代紅外探測(cè)器技術(shù)?發(fā)展趨勢(shì)如何?

量子阱紅外探測(cè)器的名稱(chēng)來(lái)源于其構(gòu)成材料在能帶結(jié)構(gòu)上構(gòu)成電子或空穴勢(shì)阱,外來(lái)光子引起的電子或空穴躍遷屬于子帶間躍遷,在外加電場(chǎng)的作用下光生載流子被收集形成...

2019-04-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器晶格 8047 0

關(guān)于菲力爾T1000系列高清紅外熱像儀的性能介紹

紅外熱像儀行業(yè)的發(fā)展始于美國(guó),最開(kāi)始應(yīng)用于軍事領(lǐng)域,隨著非制冷紅外技術(shù)的發(fā)展,紅外熱像儀行業(yè)在民用領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,而且正展現(xiàn)出更為廣闊的市場(chǎng)需求。...

2019-08-16 標(biāo)簽:傳感器紅外探測(cè)器紅外熱像儀 6861 0

光學(xué)讀出紅外探測(cè)器的兩種制造方法

光學(xué)讀出紅外探測(cè)器的兩種制造方法

本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的光學(xué)讀出紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制作方法。探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括:玻璃襯底和通過(guò)第二錨懸空于玻璃襯底上的懸浮結(jié)構(gòu);懸浮結(jié)構(gòu)包括可見(jiàn)光反射層、紅外...

2017-09-25 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器 6531 0

關(guān)于紅外熱成像的分析和應(yīng)用

非均勻性校正是指有效降低探測(cè)器的響應(yīng)率不均勻性,提高熱像儀成像質(zhì)量的一種技術(shù)手段。經(jīng)過(guò)非均勻性校正的熱像儀成像畫(huà)面均勻,鬼影和壞點(diǎn)現(xiàn)象消失,成像效果得到...

2019-08-23 標(biāo)簽:焦距紅外探測(cè)器紅外熱像儀 6052 0

基于三代紅外探測(cè)器的一種新型材料:硒鎘汞

基于三代紅外探測(cè)器的一種新型材料:硒鎘汞

早在20多年前,就有過(guò)HgCdSe材料研究的相關(guān)報(bào)道,但受襯底制備、材料外延技術(shù)等所限,結(jié)果并不理想。近年來(lái)隨著Type-II的發(fā)展,GaSb單晶生長(zhǎng)和...

2019-04-28 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 5730 0

為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而生的零功耗紅外探測(cè)器

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,美國(guó)東北大學(xué)教授研發(fā)出了一款零功耗紅外探測(cè)器。這款零功耗紅外探測(cè)器本質(zhì)上是基于一種微機(jī)械光開(kāi)關(guān)技術(shù),美國(guó)東北大學(xué)的研究人員稱(chēng)之為“等離...

2017-09-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)紅外探測(cè)器 5682 0

紅外探測(cè)器芯片的像元尺寸解析

紅外探測(cè)器是通過(guò)焦平面上一個(gè)個(gè)像元的光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)紅外熱成像的而像元尺寸是直接影響紅外熱成像組件的體積、成本以及成像性能的重要指標(biāo)。

2022-07-10 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器高芯科技 5474 0

熱釋電紅外探測(cè)器的測(cè)量原理解析

熱釋電紅外探測(cè)器簡(jiǎn)稱(chēng)熱釋電探測(cè)器,是近十年來(lái)在熱探測(cè)領(lǐng)域得到重要發(fā)展的一種新型熱探測(cè)器。

2019-11-20 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器紅外傳感器 4854 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

本文實(shí)現(xiàn)了一種正面開(kāi)口的熱電堆結(jié)構(gòu),采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對(duì)于刻蝕硅,XeF2氣體對(duì)鋁等材料的刻蝕速率極小,這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)...

2012-05-02 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器CMOS工藝熱電堆 3881 0

紅外探測(cè)器在安防監(jiān)控中的應(yīng)用

紅外探測(cè)器在安防監(jiān)控應(yīng)用中起著非常重要的作用。它是一種基于紅外技術(shù)的設(shè)備,能夠感知和檢測(cè)紅外輻射,通過(guò)對(duì)紅外信號(hào)的分析和處理,實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的檢測(cè)、識(shí)別和跟...

2023-07-09 標(biāo)簽:探測(cè)器安防監(jiān)控紅外探測(cè)器 3619 0

關(guān)于FLIR手機(jī)熱像儀性能分析介紹

其實(shí)除了可以測(cè)物體溫度,這款手機(jī)熱像儀還能夠測(cè)出發(fā)熱物體,其最高最低的這兩點(diǎn)溫差。就拿冬天最常用的暖氣來(lái)說(shuō),它的發(fā)熱一般都是不均勻的,這時(shí)候就可以使用這...

2019-08-15 標(biāo)簽:熱像儀紅外探測(cè)器 3386 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 3096 0

中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的特點(diǎn)及發(fā)展現(xiàn)狀

中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的特點(diǎn)及發(fā)展現(xiàn)狀

中波、長(zhǎng)波紅外探測(cè)大氣穿透力強(qiáng)、識(shí)別偽裝目標(biāo)的能力優(yōu)越,是制約未來(lái)天基對(duì)地觀測(cè)、天文探測(cè)能力的關(guān)鍵技術(shù),其對(duì)低溫、遙遠(yuǎn)、弱目標(biāo)和低對(duì)比度目標(biāo)的探測(cè)性能決...

2024-01-19 標(biāo)簽:傳感器紅外探測(cè)器探測(cè)系統(tǒng) 2933 0

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    Arduino
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    村田
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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