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      標(biāo)簽　>　納微

      納微

      納微

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      Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。

      文章：10個(gè) 瀏覽：5115次 帖子：0個(gè)

      納微資訊

      納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

      從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...

      2023-11-03 標(biāo)簽：智能手機(jī)充電器氮化鎵 981 0

      鈦金Plus！納微超高功率密度CPRS185 3.2kW服務(wù)器電源方案全解析

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      要問今年最火的詞是什么，ChatGPT一定有一席之地。這款有問必答、一呼百應(yīng)的AI應(yīng)用席卷了整個(gè)互聯(lián)網(wǎng)，而其背后“無名英雄”—— 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器 的需求...

      2023-08-03 標(biāo)簽：電源納微 937 0

      納微股票將被納入廣泛市場(chǎng)羅素3000指數(shù)

      美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月：下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式宣布：納微股票將被納入廣泛市場(chǎng)羅素30...

      2023-05-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體納微 1048 0

      納微發(fā)布7大全球行業(yè)應(yīng)用展望 助力能源可持續(xù)發(fā)展

      是的！眾所周知，第三代半導(dǎo)體（以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主），憑借在電子遷移率、功率密度、熱穩(wěn)定性等方面具有優(yōu)異的性能，可以用于制造高效、高速、高溫...

      2023-05-16 標(biāo)簽：功率器件大數(shù)據(jù)納微 555 0

      納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片

      納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片

      自氮化鎵進(jìn)軍快充市場(chǎng)以來，不過短短幾年時(shí)間，其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...

      2023-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵納微合封芯片 1372 0

      納微科技董事長江必旺將辭任總經(jīng)理，由牟一萍女士接任該職位

      今天下午，蘇州納微科技股份有限公司官方發(fā)布公告稱：納微科技董事長兼總經(jīng)理江必旺博士出于公司經(jīng)營管理需要及實(shí)現(xiàn)長遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略的整體考慮，將于2022年4月3...

      2022-04-26 標(biāo)簽：納微 2473 0

      GaN芯片出貨量達(dá)1500萬顆！iPhone12帶火的氮化鎵充電器，你get到了嗎？

      氮化鎵為何能成為快速充電器的最佳材料選擇？氮化鎵芯片廠商如何助力終端廠商的快充產(chǎn)品上線？國內(nèi)電源管理芯片廠商在20W、45W等主流快充產(chǎn)品上有哪些經(jīng)典方...

      2020-12-21 標(biāo)簽：芯片充電器GaN 1.0萬 1

      納微在中國開設(shè)GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新

      納微（Navitas）今天宣布在杭州開設(shè)新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換器；相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設(shè)計(jì)能...

      2018-06-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器gan納微 5264 0

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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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