蝕刻工藝

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 700 0

將銅互連擴(kuò)展到2nm的研究

晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn)，納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣，正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化，此舉將重新...

2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻工藝 388 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標(biāo)簽：等離子體等離子蝕刻工藝 475 0

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 658 0

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻工藝電子束 537 0

耐蝕點(diǎn)蝕鍍銅工藝

隨著5G技術(shù)的推出，導(dǎo)致電子電路和IC基板在設(shè)計(jì)中要求更高的密度。由于5G應(yīng)用的性質(zhì)，這些設(shè)計(jì)中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體鍍銅工藝蝕刻工藝 3135 0

酸蝕刻對(duì)鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響

鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...

2023-09-01 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體蝕刻工藝 412 0

六氟化硫等離子體的熱反應(yīng)離子蝕刻

眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在...

2023-09-01 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 374 0

單片微波集成電路中砷化鎵的干蝕刻

目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。

2023-07-13 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體蝕刻工藝 598 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標(biāo)簽：晶體管蝕刻工藝3d nand 1630 0

電力輸送、材料和互連領(lǐng)域即將發(fā)生巨大變化

在設(shè)備互連方面，銅無可匹敵。其低電阻率和高可靠性為業(yè)界提供了出色的片上互連和芯片間連線服務(wù)。但在邏輯芯片中，隨著互連堆棧上升到14級(jí)范圍，并且阻容(RC...

2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻工藝 358 0

三星要把3D NAND堆到1000層以上

3D設(shè)計(jì)引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區(qū)別在于FG將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)在導(dǎo)電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)層中。...

2023-07-04 標(biāo)簽：NAND蝕刻工藝三星 949 0

蝕刻工藝 蝕刻過程分類的課堂素材4（上）

蝕刻工藝 蝕刻過程分類

2022-08-08 標(biāo)簽：蝕刻工藝 1114 0

表面活性劑的影響 -工藝課堂素材5（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5B/8F/pYYBAGLs4...

2022-08-05 標(biāo)簽：蝕刻工藝 485 0

蝕刻工藝課堂素材5（上）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/F0/poYBAGLs2...

2022-08-05 標(biāo)簽：蝕刻工藝 777 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝課堂素材分享（3）（三）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/91/pYYBAGLqP...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻工藝 915 0

超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻工藝有什么影響

引言 在這項(xiàng)工作中，超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層。通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層。發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層...

2022-05-10 標(biāo)簽：超聲波蝕刻工藝 1214 0