蝕刻工藝課堂素材5（上）

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蝕刻工藝(11669) 蝕刻工藝(11669)

蝕刻機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控與智能運(yùn)維物聯(lián)網(wǎng)解決方案

行業(yè)背景隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等

2024-03-20 17:52:39

823

有償求助本科畢業(yè)設(shè)計(jì)指導(dǎo)｜引線鍵合｜封裝工藝

。通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和數(shù)據(jù)分析得出金絲與金鋁焊盤鍵合和鎳鈀金焊盤鍵合的工藝窗口和關(guān)鍵參數(shù)，使其能滿足在金線線弧高度小于100um、弧長小于500um的要求下，鍵合后第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)拉力要大于5gf，并

2024-03-10 14:14:51

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 14:28:50

東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場領(lǐng)導(dǎo)地位

根據(jù)已公開的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。

2024-02-18 15:00:22

109

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2

2024-02-02 17:56:45

306

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學(xué)作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜

2024-01-17 15:33:35

163

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。

2023-12-18 10:53:05

326

揭秘***與蝕刻機(jī)的神秘面紗

在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。

2023-12-16 11:00:09

371

針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。

2023-12-13 09:51:24

294

基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。

2023-12-11 15:04:20

188

半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。

2023-12-11 10:24:18

250

PCB的蝕刻工藝及過程控制

另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。

2023-12-06 15:03:45

263

PCB堿性蝕刻常見問題原因及解決方法

按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。

2023-12-06 15:01:46

286

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。

2023-12-06 09:38:53

1536

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-12-04 09:17:24

1335

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成

2023-12-01 17:02:39

259

在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。

2023-11-30 09:01:58

166

什么是四探針測量技術(shù)？什么是渦流測量技術(shù)？

在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經(jīng)過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。

2023-11-29 09:15:31

434

鴻蒙原生應(yīng)用/元服務(wù)開發(fā)-AGC分發(fā)如何上架HarmonyOS應(yīng)用

一、上架整體流程二、上架HarmonyOS應(yīng)用獲取到HarmonyOS應(yīng)用軟件包后，開發(fā)者可將應(yīng)用提交至AGC申請上架。上架成功后，用戶即可在華為應(yīng)用市場搜索獲取開發(fā)者的HarmonyOS

2023-11-24 14:44:27

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米

2023-11-24 14:10:30

241

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

2023-11-23 18:13:02

579

AV-HSW10如何通過帶alpha通道的NDI信號處理CG素材？

通過這個功能，我們可以實(shí)現(xiàn)直接使用NDI信號輸入帶透明效果（alpha通道）的CG素材。

2023-11-15 10:13:04

364

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析

蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。

2023-11-14 15:23:10

217

自動蝕刻機(jī)物聯(lián)網(wǎng)助力監(jiān)控運(yùn)維更加高效

自動蝕刻機(jī)是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對金屬板進(jìn)行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機(jī)械、標(biāo)牌等領(lǐng)域中?，F(xiàn)有一家蝕刻機(jī)設(shè)備制造商，要求對全國各地的蝕刻機(jī)設(shè)

2023-11-08 13:59:52

146

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點(diǎn)是需要許多對環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。

2023-11-08 09:46:21

188

太陽誘電MLCC陶瓷貼電容問答小課堂

TAIYO太陽誘電MLCC陶瓷貼電容問答小課堂

2023-11-01 16:04:02

224

PCB表面鍍金工藝有這么多講究！

，建議對于此位置采用圖鍍銅鎳金制作； 3、如果客戶已經(jīng)做好引線引出需要鍍硬金的焊盤時(shí)，只需要在外層蝕刻后，走鍍硬金流程即可； 4、當(dāng)金厚＞4um以上的時(shí)，不可以制作； 5、針對鍍金+鍍硬金中使用二次干

2023-10-27 11:25:48

PCB表面鍍金工藝，還有這么多講究！

； 5、針對鍍金+鍍硬金中使用二次干膜的工藝，金厚與鍍硬金焊盤的間距對應(yīng)要求：常規(guī)金厚0.38um最小7mil，0.8um最小8mil，1.0um以上10mil。二、全板電鍍軟金 1、金厚要求

2023-10-24 18:49:18

MCU微課堂 | CKS32F4xx系列產(chǎn)品SPI通信

2023-10-24 17:12:19

371

MCU微課堂 | CKS32F4xx系列產(chǎn)品GPIO口配置

2023-10-24 15:14:00

332

Bumping工藝流程工作原理光刻工藝原理和流程

Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping的質(zhì)量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關(guān)鍵。

2023-10-23 11:18:18

475

等離子刻蝕工藝技術(shù)基本介紹

干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測。

2023-10-18 09:53:19

788

印制電路噴淋蝕刻精細(xì)線路流體力學(xué)模型分析

在精細(xì)印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質(zhì)上認(rèn)識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。

2023-10-17 15:15:35

164

PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素

蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。

2023-10-16 15:04:35

553

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。

2023-10-07 15:43:56

319

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。

2023-09-22 09:57:23

281

4層藍(lán)牙產(chǎn)品PCB設(shè)計(jì)素材分享

4層藍(lán)牙產(chǎn)品PCB設(shè)計(jì)素材

2023-09-20 07:43:16

PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細(xì)節(jié)問題

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。

2023-09-18 11:06:30

670

應(yīng)對先進(jìn)工藝碳排放挑戰(zhàn)，Imec開發(fā)晶圓廠可持續(xù)發(fā)展評估模型

隨著技術(shù)的發(fā)展，與ic制造相關(guān)的排放量也增加了，特別是光刻和蝕刻能耗較大，例如n3工程中光刻工序產(chǎn)生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的尾氣可以建模軟件平臺開發(fā)，可持續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)及系統(tǒng)計(jì)劃（ssts）的使用率

2023-09-13 10:56:53

290

Samtec連接器電鍍小課堂系列二 | 法向力、循環(huán)、溫度和其他要點(diǎn)

【摘要 / 前言】電鍍會影響連接器系統(tǒng)的壽命和質(zhì)量，包括耐腐蝕性、導(dǎo)電性、可焊性，當(dāng)然還有成本。 ? ? 【小課堂背景】 ? ? 這是 Samtec質(zhì)量工程經(jīng)理 Phil Eckert 和首席

2023-09-08 09:22:32

472

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題

要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。

2023-09-07 14:41:12

474

低能量電子束曝光技術(shù)

直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。

2023-09-07 09:57:14

292

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 09:36:57

811

PCB工藝制程能力介紹及解析（上）

一個優(yōu)秀的工程師設(shè)計(jì)的產(chǎn)品一定是既滿足設(shè)計(jì)需求又滿足生產(chǎn)工藝。規(guī)范產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，輔助PCB設(shè)計(jì)的相關(guān)工藝參數(shù)，使得生產(chǎn)出來的實(shí)物產(chǎn)品滿足可生產(chǎn)性、可測試性、可維修性等的技術(shù)規(guī)范要求。本文將從初學(xué)者

2023-08-28 13:55:03

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 10:38:54

1221

什么是光刻工藝？光刻的基本原理

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。

2023-08-23 10:47:53

1586

使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導(dǎo)制造與蝕刻材料對非晶硅進(jìn)行納米級厚度控制

我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面

2023-08-22 16:06:56

239

半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵

在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？

2023-08-17 15:33:27

370

如何實(shí)現(xiàn)PCB蝕刻工藝中的均勻性呢？有哪些方法？

PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。

2023-08-10 18:25:43

1013

昇印光電完成超億元融資，開發(fā)原理級創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式納米印刷

當(dāng)談到該創(chuàng)新工藝時(shí)，不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進(jìn)行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域

2023-07-29 11:01:50

835

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

2023-07-28 15:16:59

4140

深度解讀硅微納技術(shù)之的蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。

2023-07-14 11:13:32

183

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

2023-07-12 09:26:03

190

半導(dǎo)體前端工藝：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵（上）

2023-06-29 16:58:37

404

淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝

在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？

2023-06-28 10:07:47

2427

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。

2023-06-28 10:04:58

843

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究

2023-06-27 13:24:11

318

日本芯片技術(shù)突破！400層堆疊 3D NAND閃存將至！

在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術(shù)之前，我們需要了解蝕刻技術(shù)的歷史。蝕刻技術(shù)是芯片制造基礎(chǔ)工藝之一，它是指對光刻技術(shù)制作的圖案進(jìn)行蝕刻，得到具有一定幾何形狀和結(jié)構(gòu)的微細(xì)孔洞和凹坑的工藝。

2023-06-26 15:58:18

897

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。

2023-06-26 13:32:44

1053

四大因素解析：常規(guī)阻抗控制為什么只能是10%？

，為什么是10%？為什么不能進(jìn)一步的把常規(guī)控制能力推到8%，甚至5%呢？從設(shè)計(jì)上，在《阻抗板是否高可靠，華秋有話說》一文中有提及，由理論公式推導(dǎo)，阻抗與介質(zhì)厚度、線寬、銅厚、介電常數(shù)、阻焊厚度等因素有關(guān)，但

2023-06-25 10:25:55

常規(guī)阻抗控制為什么只能是10%？華秋一文告訴你

2023-06-25 09:57:07

Aston 質(zhì)譜儀對小開口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度

上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進(jìn)行準(zhǔn)確且可操作的端點(diǎn)檢測, OA% 是傳統(tǒng) OES 計(jì)量解決方案的一個數(shù)量級（1/10）. Aston? 質(zhì)譜儀解決方案適用于具有高蝕刻吞吐量和大量重復(fù)相同

2023-06-20 17:28:31

258

CMP工藝影響下的版圖優(yōu)化

外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。

2023-06-20 10:51:43

335

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 09:49:16

3689

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對

2023-06-20 09:48:56

3989

上海伯東大口徑射頻離子源成功應(yīng)用于12英寸IBE 離子束蝕刻機(jī)

均勻性（1 σ）達(dá)到離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長, 滿足

2023-06-15 14:58:47

665

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。

2023-06-15 11:05:05

526

遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。

2023-06-14 11:03:53

1779

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。

2023-06-09 10:49:20

5857

重點(diǎn)闡述濕法刻蝕

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

2023-06-08 10:52:35

3320

一文了解DPC陶瓷基板工藝流程

直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

2023-05-31 10:32:02

1587

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。

2023-05-30 15:19:54

452

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

2023-05-30 15:14:11

1071

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法

2023-05-29 09:42:40

618

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

575

熱環(huán)境中結(jié)晶硅的蝕刻工藝研究

微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）是將機(jī)械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術(shù)來實(shí)現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術(shù)，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。

2023-05-19 10:19:26

352

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金

2023-05-18 16:23:48

4918

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。

2023-05-18 09:13:12

700

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。

2023-05-16 10:03:00

584

PCB主板不同顏色代表什么意思？

其實(shí)不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經(jīng)過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。

2023-05-09 10:02:43

1699

PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問題

成本上講，化學(xué)鍍鎳/金工藝（Et.Ni5.Au0.1）比噴錫貴，而整板鍍金工藝則比噴錫便宜。　　4）對印制插頭，一般鍍硬金，即純度為99.5%-99.7%含鎳、鉆的金合金。一般厚度為0.5

2023-04-25 16:52:12

積木易搭Magic Swift Plus為雕刻工藝品精雕復(fù)刻提供三維數(shù)字化解決方案

一、傳統(tǒng)工藝品制作煥發(fā)生機(jī)，3D掃描技術(shù)帶來生產(chǎn)工藝革新傳統(tǒng)工藝美術(shù)是老百姓在日常生活和勞作中的精神提煉與藝術(shù)創(chuàng)作的具體體現(xiàn)。而雕刻便是傳統(tǒng)工藝美術(shù)的具體表現(xiàn)之一。傳統(tǒng)的雕刻工藝包括木雕、浮雕

2023-04-25 13:04:47

375

游課堂嵌入式情景教學(xué)與微課錄制系統(tǒng)應(yīng)用特點(diǎn)有哪些

現(xiàn)代教育改革不斷深化，加之移動信息技術(shù)的不斷成熟發(fā)展，信息化技術(shù)+教育是成為建設(shè)數(shù)字化教育，實(shí)現(xiàn)教育高質(zhì)發(fā)展的重要推動力量。為適應(yīng)現(xiàn)代高校教學(xué)需求，改善教學(xué)體系，提高課堂教學(xué)質(zhì)量，游課堂嵌入式情景

2023-04-25 10:10:18

449

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

118

PCB制程中的COB工藝是什么呢？

2023-04-23 10:46:59

印制電路板PCB的制作及檢驗(yàn)

及鋼的蝕刻劑。它適用于絲網(wǎng)漏印油墨、液體光致抗蝕劑和鍍金印制電路版電路圖形的蝕刻。用三氯化鐵為蝕刻劑的蝕刻工藝流程如下：　　預(yù)蝕刻檢查→蝕刻→水洗→浸酸處理→水洗→干燥→去抗蝕層→熱水洗→水沖洗

2023-04-20 15:25:28

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》金屬氧化物半導(dǎo)體的制造

半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組晶體管

2023-04-20 11:16:00

247

ASML是如何崛起的？半導(dǎo)體發(fā)展的三個歷史階段

那時(shí)集成電路也剛剛發(fā)明不久，光刻工藝還在微米級別，工藝步驟也比現(xiàn)在簡單很多美國是走在世界前列的。在那個對工藝要求并不高的年代，很多半導(dǎo)體公司通常自己用鏡頭設(shè)計(jì)光刻工具，光刻機(jī)在當(dāng)時(shí)甚至不如照相機(jī)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

2023-04-20 09:22:33

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光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。

2023-04-14 14:26:16

1253

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。

2023-04-13 11:52:12

1164

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）

2023-04-12 14:54:33

1004

從頭到尾的半導(dǎo)體技術(shù)

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高

2023-04-10 17:26:10

453

混合現(xiàn)實(shí)仿真模擬商務(wù)英語課堂教學(xué)情景

基于**混合現(xiàn)實(shí)仿真模擬技術(shù)的新型商務(wù)英語課堂教學(xué)模式，突破了傳統(tǒng)的商務(wù)英語課堂教學(xué)中“以教師為中心”的傳統(tǒng)授課方式，充分調(diào)動了學(xué)生在學(xué)習(xí)過程中的積極性，激發(fā)了學(xué)生對知識學(xué)習(xí)的興趣，提高了學(xué)生

2023-04-06 13:52:04

466

濕式半導(dǎo)體工藝中的案例研究

半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)

2023-04-06 09:26:48

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多晶硅蝕刻工藝講解

了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點(diǎn)。從45nm節(jié)點(diǎn)后，雙重圖形化技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在柵圖形化工藝中。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關(guān)鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設(shè)計(jì)人員開始減少柵極之間的間距。

2023-04-03 09:39:40

2452