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標(biāo)簽 > 集電極電流
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集電極電流的形成是半導(dǎo)體器件,特別是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管工作過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。它不僅是描述晶體管工作狀態(tài)的關(guān)鍵參數(shù),還直接影響電路的性能和穩(wěn)定性。
在實(shí)際應(yīng)用中,基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會(huì)受到動(dòng)態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中,基極電流(Ib)和集電極電流(Ic)是雙極型晶體管(BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 1202 0
正溫度系數(shù)電壓的推導(dǎo)依賴(lài)BJT集電極電流 和 電壓公式,這里把公式重寫(xiě)如下: 假設(shè)兩個(gè)同樣的BJT,偏置電流分別為 和 ,那么,兩個(gè)BJT的 ...
2023-08-21 標(biāo)簽:BJT半導(dǎo)體器件集電極電流 661 0
對(duì)于對(duì)稱(chēng)IGBT結(jié)構(gòu),N基區(qū)寬度為200μm,通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2,P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0),計(jì)算得到空穴載流子密度。
上期對(duì)三極管直流工作環(huán)境進(jìn)行了分析,主要由三個(gè)偏置參數(shù)決定:基極電壓、集電極電流、集電極電壓,這期除了分析集電極電壓之外,有必要對(duì)三極管“負(fù)載曲線(xiàn)”進(jìn)行分析。
固態(tài)開(kāi)關(guān)是主要的應(yīng)用之一。使用晶體管將DC輸出切換為“ON”或“OFF”。某些輸出設(shè)備(例如LED)在邏輯電平DC電壓下僅需要幾毫安,因此可以由邏輯門(mén)的...
共用發(fā)射極放大器電路、電壓案例及曲線(xiàn)增益總結(jié)
NPN晶體管最常見(jiàn)的放大器配置是Common Emitter Amplifier電路,所有類(lèi)型的晶體管放大器均使用交流信號(hào)輸入工作,交流信號(hào)輸入在正值和...
GAT型高速高壓功率開(kāi)關(guān)管最大集電極電流的仿真立即下載
類(lèi)別:模擬數(shù)字 2011-07-26 標(biāo)簽:GAT功率開(kāi)關(guān)管集電極電流 1209 0
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