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      標簽　>　非易失性內存

      非易失性內存

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      文章：6個 瀏覽：8619次 帖子：0個

      非易失性內存資訊

      富士通電子推出最新4Mbit FRAM 運作溫度最高可達125℃

      FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。

      2020-07-24 標簽：工業(yè)機器人fram非易失性內存 907 0

      富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM

      FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。

      2020-05-11 標簽：fram非易失性內存富士通 1133 0

      175℃高溫還能正常工作的存儲器是什么概念

      首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內存?是指當電流關掉后，所存儲的數(shù)據不會消失的存儲器。 非易失性存儲器中，依存儲器內的數(shù)據是否能在使用電腦時隨時改寫...

      2020-03-13 標簽：NAND存儲器非易失性內存 1254 0

      采用55納米非易失性內存的Qorivva MCU

      　　這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術，采用獨特的55納米(nm)非易失性內存(NVM)構建而成，旨在

      2010-11-11 標簽：非易失性內存Qor 1058 0

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