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標簽 > 非易失性內存
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首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內存?是指當電流關掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的存儲器。 非易失性存儲器中,依存儲器內的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫...
富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術,采用獨特的55納米(nm)非易失性內存(NVM)構建而成,旨在
富士通電子推出最新4Mbit FRAM 運作溫度最高可達125℃
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。
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