3D晶體管

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3d晶體管技術(shù)

憑借該產(chǎn)品組合，賽靈思能滿足各種下一代應(yīng)用需求，包括LTE Advanced 與早期5G無(wú)線、Tb 級(jí)有線通信、汽車駕駛員輔助系統(tǒng)以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT...

2019-07-25 標(biāo)簽：3D晶體管工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)16nm 3477 0

3d晶體管帖子

3d晶體管資料下載

高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管立即下載

類別：電子教材 2012-08-03 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管 22nm 1367 0

英特爾 3D晶體管立即下載

類別：電子元器件應(yīng)用 2012-01-18 標(biāo)簽：英特爾晶體管 3D晶體管 1833 1

3d晶體管資訊

借助3D晶體管技術(shù) 摩爾定律再次從死里復(fù)活

在9月的臺(tái)灣SEMICON國(guó)際半導(dǎo)體展上，臺(tái)積電（TSMC）首席執(zhí)行官M(fèi)ark Lui認(rèn)為摩爾定律仍然有效。他表示，由于先進(jìn)工藝技術(shù)（如納米片）或3D ...

2019-10-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電摩爾定律 3D晶體管 5703 0

深度好文：看懂3D晶體管的奧秘

目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個(gè)技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們?cè)谶@里介紹一下。

2015-12-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電 Intel 3D晶體管 1.2萬(wàn) 4

FinFET技術(shù)大規(guī)模應(yīng)用水到渠成？沒(méi)那么簡(jiǎn)單

那么20納米的平面型晶體管還有市場(chǎng)價(jià)值么？這是一個(gè)很好的問(wèn)題，就在此時(shí)，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 ...

2013-03-15 標(biāo)簽：FinFET 3D晶體管 2171 0

IBM展示領(lǐng)先芯片技術(shù)，3D晶體管碳納米管來(lái)襲

IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對(duì)未來(lái)晶圓的發(fā)展預(yù)測(cè)，Common Platform是IBM、Globalfoundrie...

2013-02-20 標(biāo)簽：IBM 碳納米管 FinFET 7978 2

半導(dǎo)體廠商關(guān)注，TSV應(yīng)用爆發(fā)一觸即發(fā)

TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開(kāi)花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍(lán)圖，TSV應(yīng)用市場(chǎng)正加速起飛，包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件，皆已...

2013-01-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSV 3D晶體管 3483 0

英特爾將在SoC移動(dòng)芯片上應(yīng)用“3D晶體管” 業(yè)界質(zhì)疑

近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動(dòng)芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對(duì)于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山...

2012-12-11 標(biāo)簽：英特爾 SoC SoC芯片 1172 0

芯片工業(yè)巨頭Intel和ARM競(jìng)爭(zhēng)陷入白熱化

日前，GlocalFoundries著手研發(fā)一款14納米處理器，從而該公司生產(chǎn)技術(shù)能夠在2014年追上Intel的步伐。

2012-09-29 標(biāo)簽：ARM Intel 3D晶體管 906 0

Intel 3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM毫不畏懼

本文中心議題：英特爾（Intel）于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新，外界認(rèn)為，主要是為擺脫英國(guó)芯片大廠ARM的威脅。ARM對(duì)英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑...

2012-08-15 標(biāo)簽：ARM 臺(tái)積電 Intel 1376 3

技術(shù)牛人對(duì)intel的22nm 3D工藝的解讀

英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3...

2012-08-15 標(biāo)簽：ARM 消費(fèi)電子 Intel 5083 0

ARM并不看好Intel的3D晶體管制程技術(shù)

2012-08-15 標(biāo)簽：ARM 消費(fèi)電子 Intel 1321 0

3d晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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