DRAM控制器

TEE、TrustZone和TEEGRIS基礎(chǔ)知識(shí)簡析

可信執(zhí)行環(huán)境是為了在 **執(zhí)行對(duì)敏感任務(wù)** （例如：付款、用戶身份驗(yàn)證、用戶數(shù)據(jù)保護(hù)）時(shí)提供安全的環(huán)境。

2023-09-12 標(biāo)簽：寄存器SCRARM處理器 3703 0

芯片互連在先進(jìn)封裝中的重要性

英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言，芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展，這一預(yù)測(cè)被稱為摩爾定律，直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。

2023-09-07 標(biāo)簽：PCB板存儲(chǔ)器倒裝芯片 497 0

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。

2023-09-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器內(nèi)存芯片DRAM控制器 6776 0

芯片性能小談—時(shí)間并行

眾所周知，評(píng)估一顆芯片的好壞，PPA(performance，power，area)是最重要的指標(biāo)之一。

2023-06-27 標(biāo)簽：以太網(wǎng)多核處理器AXI總線 1787 1

跨時(shí)鐘域信號(hào)該如何處理呢？

跨時(shí)鐘域是如何產(chǎn)生的呢？現(xiàn)在的芯片（比如SOC，片上系統(tǒng)）集成度和復(fù)雜度越來越高，通常一顆芯片上會(huì)有許多不同的信號(hào)工作在不同的時(shí)鐘頻率下。

2023-06-27 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)SoC系統(tǒng)同步器 1511 0

韓國Soulbrain擬收購半導(dǎo)體前驅(qū)體公司DNF

氣體圈子援引外媒消息，韓國半導(dǎo)體材料供應(yīng)商Soulbrain正以1140億韓元(合人民幣6.3億元)收購韓國半導(dǎo)體前驅(qū)體供應(yīng)商DNF 19.7%控股權(quán)進(jìn)...

2023-08-27 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 3367 0

存儲(chǔ)芯片巨頭競逐HBM 新品發(fā)布成美光股價(jià)助推器

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四（7月27日），存儲(chǔ)芯片大廠美光科技（MU.US）漲超5%，單日漲幅創(chuàng)6月以來新高。同日費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.86%。

2023-07-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片DRAM控制器HBM 550 0

二季度硅片出貨面積同比減少10.1%

半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)應(yīng)對(duì)各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的庫存過剩問題。

2023-07-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體硅晶圓 1131 0

基于VHDL的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

在高速實(shí)時(shí)或者非實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)當(dāng)中，使用大容量存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，也是系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。詳細(xì)闡讀SDRAM數(shù)據(jù)文檔的前提...

2012-10-30 標(biāo)簽：VHDLDRAM控制器 1920 0

基于VHDL的DRAM控制器設(shè)計(jì)

本文提出一種新穎的解決方案：利用80C186XL的時(shí)序特征，采用CPLD技術(shù)，并使用VHDL語言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DRAM控制器。

2012-02-02 標(biāo)簽：VHDLDRAM控制器 1427 0