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      標(biāo)簽　>　GaN快充

      GaN快充

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      氮化鎵（GaN）是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），意味著GaN器件的臨界電場強(qiáng)度大于硅。GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升頻率，降低驅(qū)動損耗。快充能在1～5h內(nèi)使蓄電池達(dá)到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。
      　　

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      GaN快充百科

      　　氮化鎵（GaN）是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），意味著GaN器件的臨界電場強(qiáng)度大于硅。GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升頻率，降低驅(qū)動損耗。

      　　快充能在1～5h內(nèi)使蓄電池達(dá)到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。

      　　氮化鎵相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體，有著比硅基半導(dǎo)體出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作溫度。

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      GaN占據(jù)手機(jī)快充市場半壁江山，SiC該如何加入其中？

      氮化鎵快充技術(shù)已非常成熟，快充市場被徹底激活，消費(fèi)電子配件市場不斷迭代更新。GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有高功率密度、高頻率、低能耗、寬禁帶等特點(diǎn)，被廣...

      2021-09-16 標(biāo)簽：SiCGaNGaN快充 3536 0

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