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標(biāo)簽 > Nand flash
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
“NAND存儲(chǔ)器”經(jīng)??梢耘c“NOR存儲(chǔ)器”相互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼并且需要多次擦寫(xiě),這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash 閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除 速度大大影響了它的性能。
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)存儲(chǔ)方案詳解_SPI NAND Flash
物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中為什么要使用SPI NAND flash 物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中使用SPI NAND Flash的原因主要有以下幾點(diǎn): 高存儲(chǔ)密度 SPI NAND ...
2024-09-24 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)SPINand flash 410 0
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標(biāo)簽:電荷泵VccNand flash 1674 0
作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的佼佼者,鎧俠始終站在市場(chǎng)和技術(shù)的前沿。在人工智能技術(shù)的持續(xù)滲透下,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求呈現(xiàn)出穩(wěn)健的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
2024-04-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器人工智能Nand flash 663 0
本課講為大家講解CKS32F4xx系列產(chǎn)品的FSMC應(yīng)用實(shí)例,F(xiàn)SMC全稱是Flexible Static Memory Controller,讀作靈活...
2024-04-14 標(biāo)簽:寄存器存儲(chǔ)器Nand flash 836 0
i.MXRTxxx里FLEXSPI_MCR0寄存器保留位會(huì)造成IP CMD讀寫(xiě)異常?
痞子衡最近需要在恩智浦無(wú)線系列 SoC(RW612)上調(diào)試串行 NAND Flash 驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)單理解這顆芯片其實(shí)就是 RT600 + 多模無(wú)線 SIP ...
2024-03-11 標(biāo)簽:mcu驅(qū)動(dòng)器寄存器 1240 0
nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 1497 0
半導(dǎo)體專題之NAND Flash芯片知識(shí)詳解
只讀存儲(chǔ)器(ROM)是只能讀取實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的信息的存儲(chǔ)器。
2024-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ROMNand flash 4279 0
LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM,簡(jiǎn)稱“低功耗內(nèi)存...
2024-01-02 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤(pán) 494 0
wafer、die、cell是什么?它們有何關(guān)系和區(qū)別呢?
可能你偶爾會(huì)聽(tīng)見(jiàn)硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說(shuō)的wafer、die、cell等。
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片設(shè)計(jì) 3542 0
嵌入式開(kāi)發(fā)常見(jiàn)的C語(yǔ)言技巧與方法分享
在嵌入式開(kāi)發(fā)中,常常要操作寄存器,對(duì)寄存器進(jìn)行寫(xiě)入,讀出等等操作。每個(gè)寄存器都有自己固有的地址,通過(guò)C語(yǔ)言訪問(wèn)這些地址就變得尤為重要。
2023-12-26 標(biāo)簽:寄存器C語(yǔ)言嵌入式開(kāi)發(fā) 1028 0
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如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話,用軟件可以實(shí)現(xiàn)nand flash操作嗎?
標(biāo)簽:單片機(jī)Nand flash單片機(jī) 283 1
NAND FLASH存儲(chǔ)模塊設(shè)計(jì)(XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-10-31 標(biāo)簽:NAND FLASH
Allwinner Technology Nand Flash Support List立即下載
類別:產(chǎn)品手冊(cè) 2016-09-26 標(biāo)簽:NAND Flash
NAND FLASH在WINCENET系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2016-03-14 標(biāo)簽:NAND Flash
類別:電子教材 標(biāo)簽:Nand Flash
512Mb NAND FLASH AFND1208U1-CKA立即下載
類別:單片機(jī)IC 2014-07-17 標(biāo)簽:NAND FLASH非波動(dòng)便攜式
簡(jiǎn)單易懂的OMAPL138開(kāi)發(fā)板固化C6748程序到NAND FLASH步驟立即下載
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2014-07-10 標(biāo)簽:嵌入式開(kāi)發(fā)NAND FLASHOMAPL138
詳細(xì)解說(shuō)OMAPL138開(kāi)發(fā)板Linux系統(tǒng)固化到NAND FLASH步驟立即下載
類別:DSP 2014-07-10 標(biāo)簽:DSPNAND FLASHOMAPL138
NAND Flash存儲(chǔ)器和使用ELNEC編程器燒錄NAND Flash技術(shù)應(yīng)用文檔立即下載
類別:IC中文資料 2014-04-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器編程器NAND Flash
我的eMMC啟動(dòng)不正常,問(wèn)題到底在哪里?
今天我們要分享的這個(gè)案例是關(guān)于eMMC啟動(dòng)不正常的問(wèn)題,感謝熱心網(wǎng)友“曬不”提供的案例素材,也謝謝他的分享。
2024-07-29 標(biāo)簽:NandNand flasheMMC 784 0
江波龍自研芯片進(jìn)展,2D NAND Flash/主控芯片”以小帶大”
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)江波龍從最早的存儲(chǔ)模組設(shè)計(jì)已拓展到存儲(chǔ)晶圓設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)封裝測(cè)試等多類業(yè)務(wù),形成了強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)鏈整合協(xié)同能力。這幾年江波龍?jiān)谧匝?..
2024-06-21 標(biāo)簽:Nand flash主控芯片江波龍 3138 0
文章目錄 一、簡(jiǎn)介 二、速度測(cè)試 最近比較忙,也一直沒(méi)空發(fā)什么文章,這算是新年第一篇吧,正好最近收到了一個(gè)雷龍的flash芯片,先拿來(lái)玩一下吧。 有興趣...
2024-06-14 標(biāo)簽:芯片測(cè)試Nand flash 408 0
得一微電子榮獲“2024汽車(chē)芯片優(yōu)秀供應(yīng)商大獎(jiǎng)”
2024(第十八屆)北京國(guó)際汽車(chē)展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱“2024北京車(chē)展”)于4月25日在中國(guó)國(guó)際展覽中心盛大開(kāi)幕,匯聚汽車(chē)行業(yè)眾多領(lǐng)先產(chǎn)品和前沿技術(shù)。
存儲(chǔ)芯片行業(yè)曙光初現(xiàn),上下游漲價(jià)拉鋸戰(zhàn)持續(xù)
進(jìn)入4月,固態(tài)硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)格保持穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價(jià)格高于官方售價(jià)的倒掛現(xiàn)象,進(jìn)而引發(fā)了跌價(jià)。
2024-04-28 標(biāo)簽:DRAM固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)芯片 782 0
芯盛智能發(fā)布搭載自研控制器芯片的企業(yè)級(jí)SS2000SE固態(tài)硬盤(pán)
4月11日,芯盛智能發(fā)布搭載自研控制器芯片的企業(yè)級(jí)SS2000SE固態(tài)硬盤(pán),以高性能、低時(shí)延、高可靠、長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)受到數(shù)據(jù)中心、運(yùn)營(yíng)商、互聯(lián)網(wǎng)等企業(yè)級(jí)客...
2024-04-11 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán)控制器芯片 549 0
存儲(chǔ)市場(chǎng)再遇供應(yīng)短缺困境,SSD價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲引關(guān)注
在消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng),價(jià)格也呈現(xiàn)上漲趨勢(shì),批發(fā)價(jià)較前一季度上漲了約10%至12%。盡管面對(duì)漲價(jià)要求,大多數(shù)買(mǎi)家表示接受,但也有人對(duì)此提出了警告。
2024-04-09 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)設(shè)備 838 0
江波龍蔡華波談存儲(chǔ)模組轉(zhuǎn)型,破營(yíng)收瓶頸
從NAND Flash芯片到尖端固件算法,再到主控芯片,江波龍已實(shí)現(xiàn)了較完整的存儲(chǔ)芯片自主設(shè)計(jì)能力,為公司在存儲(chǔ)行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2024-03-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)卡Nand flash江波龍 423 0
兆易創(chuàng)新推出基于Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器
中國(guó)北京(2024年3月7日)——業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出基于Arm Co...
2024-03-07 標(biāo)簽:微控制器plcNand flash 824 0
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