SOI

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SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思，原理就是在Silicon（硅）晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。

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soi技術(shù)

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該方案基于主控平臺(tái)CVITEK_CV1810和sensor SOI_K302P，運(yùn)用于智能監(jiān)控IP攝像頭，可用于戶外或室內(nèi)。采用了2688x1520的分...

2024-07-22 標(biāo)簽：CMOS IPC SOI 436 0

材料認(rèn)識(shí)-硅拋光片和外延片

前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋...

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材料認(rèn)識(shí)：SOI硅片

前言我們常說到的硅片，根據(jù)尺寸來分類，主要有2"（50mm）、3"（75mm）、4"（100mm）、6"（150...

2024-05-22 標(biāo)簽：材料硅片 SOI 2883 0

強(qiáng)推！MEMS傳感器芯片是怎樣被制造出來的？（25+高清大圖）

? ? ? MEMS技術(shù)深刻地影響了現(xiàn)代傳感器的發(fā)展，是傳感器小型化、低功耗、智能化的關(guān)鍵技術(shù)，由MEMS技術(shù)制造的MEMS傳感器在各種傳感器中占據(jù)重要...

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FinFET工藝之self-heating概念介紹

當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽：MOS SOI FinFET 2022 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

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什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容 SOI 3391 0

半導(dǎo)體芯片工藝節(jié)點(diǎn)演變路徑

晶體管的縮小過程中涉及到三個(gè)問題。第一是為什么要把晶體管的尺寸縮小，以及是按照怎樣的比例縮小的，這個(gè)問題是縮小有什么好處。

2023-06-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管 SOI 1261 0

手機(jī)SOI開關(guān)不可忽視的射頻開關(guān)設(shè)計(jì)

目前手機(jī)中應(yīng)用最廣泛的是半導(dǎo)體器件開關(guān)，如RF-SOI開關(guān)，pHEMT開關(guān)等。這些半導(dǎo)體開關(guān)的功能與普通的電氣開關(guān)相同，符號(hào)表示也一致。

2023-04-20 標(biāo)簽：射頻射頻信號(hào)SOI 2327 0

簡(jiǎn)約而不簡(jiǎn)單的射頻開關(guān)設(shè)計(jì)

在你拿著手機(jī)打電話或者上網(wǎng)時(shí)，你可能不會(huì)想到，在手機(jī)里有種小小的射頻器件，在以每秒鐘近千次的速度快速切換，幫助你享受到高速、低延遲、高清晰度的通信服務(wù)。...

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一種應(yīng)用于負(fù)電源的電平位移電路立即下載

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QPB9329雙通道開關(guān)低噪聲放大器模塊的詳細(xì)資料和數(shù)據(jù)免費(fèi)下載立即下載

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2022-04-02 標(biāo)簽：芯片 SOI 1513 0

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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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