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標(biāo)簽 > DDR3
DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時脈過高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效。
DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時脈過高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效。
如何應(yīng)對PCB設(shè)計中信號線的跨分割呢?
在PCB設(shè)計過程中經(jīng)常會遇到高多層、高密度的設(shè)計,那么這種情況下就難免出現(xiàn)跨分割的情況
2024-05-27 標(biāo)簽:DDR3emiPCB設(shè)計 1013 0
AXI總線由一些核心組成,包括AXI主處理器接口(AXI4)、AXI處理器到協(xié)處理器接口(AXI4-Lite)、AXI主外設(shè)接口(AXI4)、AXI外設(shè)...
XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計方案分享
在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面,DDR3運行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級。
DDR1/2/3數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)原理詳解
時鐘頻率:可通過倍頻技術(shù)升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率,DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍,DDR3 DDR4中時鐘...
DR3和RAM一樣,是一個存儲器件,它的每個內(nèi)部單元都存儲了當(dāng)前的數(shù)據(jù)狀態(tài)值。 但DDR3和RAM本身,是沒有“空”、“存有數(shù)據(jù)”,“數(shù)據(jù)滿”...
YuzukiHD-Chameleon變色龍板,基于全志ARM 4xA53 1.5Ghz 4KHDMI輸出H616芯片設(shè)計,授權(quán)百問網(wǎng)生產(chǎn)銷售,版型保持了...
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2023-04-10 標(biāo)簽:DDR3
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2023-01-13 標(biāo)簽:DDR3DDR2DDR4
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
SK海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,帶動市場價格上行
雖然 DDR3 逐漸淪為邊緣化產(chǎn)品,但其在電視機(jī)頂盒、無線路由器、交換機(jī)以及顯示器等設(shè)備中的應(yīng)用仍然廣泛。值得關(guān)注的是,全球第四大內(nèi)存商美光雖尚未明確決...
羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案
DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個時鐘信號周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
先楫高性能MCU HPM6800系列產(chǎn)品生態(tài)綻放,共鏈未來
2024年3月28日,上海 - 國產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)攜手生態(tài)合作伙伴芯原、立功科技、順微電子和...
DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
2024-03-12 標(biāo)簽:DDR3存儲器數(shù)據(jù)傳輸 971 0
那有人會問,那為什么隨著行業(yè)的發(fā)展,還是有人覺得SI是一門玄學(xué)?這個問題就變得有意義了。
先楫半導(dǎo)體攜手芯原打造新一代數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面系統(tǒng)應(yīng)用平臺
2024年3月4日,上海 - 國產(chǎn)高性能微控制器廠商上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)在其豐富的高性能微處理器產(chǎn)品組合的基礎(chǔ)上,推...
值得關(guān)注的是,三星已不再從事 NOR flash、DDR3 等工藝成熟的存儲芯片加工,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向使用華邦生產(chǎn)的產(chǎn)品。近期,隨著 NOR flash 和 D...
11月28日,2023龍芯產(chǎn)品發(fā)布暨用戶大會在北京國家會議中心啟幕。
法人指出,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導(dǎo),臺廠在芯片制造端無法與其抗衡,僅模組廠有望以低價庫存優(yōu)勢搭上DRAM...
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