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      標(biāo)簽　>　f-ram

      f-ram

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      　　F-RAM芯片包含一個(gè)鋯鈦酸鉛［Pb（Zr，Ti）O3］的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場(chǎng)中改變極性，從而產(chǎn)生一個(gè)二進(jìn)制開關(guān)。與RAM器件不同，F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時(shí)，由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨(dú)特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個(gè)低功耗、非易失性存儲(chǔ)器。

      文章：12個(gè) 瀏覽：14998次 帖子：1個(gè)

      f-ram技術(shù)

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      2022-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器EEPROMF-RAM 1978 0

      利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用

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      Ramtron國際公司F-RAM存儲(chǔ)器詳解

      什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)...

      2012-10-19 標(biāo)簽：SRAMF-RAMRamtron 5105 0

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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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