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      標(biāo)簽　>　GaN

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      gan技術(shù)

      芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

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      芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。

      2024-11-08 標(biāo)簽：電源電源適配器氮化鎵 136 0

      PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

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      YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間，從而降低了死區(qū)...

      2024-11-01 標(biāo)簽：二極管GaN快充芯片 81 0

      氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

      相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

      2024-10-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN快充芯片 130 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

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      氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

      2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 201 0

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      保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...

      2024-10-24 標(biāo)簽：MOSFET電源管理GaN 167 0

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      如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

      2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC氮化鎵 374 0

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      碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...

      2024-09-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiCGaN 723 0

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      CoolGaN和增強(qiáng)型GaN（通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

      2024-09-07 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 397 0

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      隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動(dòng)高密度集成的難題，傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動(dòng)技術(shù)會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫上升，降低器件壽命。

      2024-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容GaN 260 0

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      針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

      2024-09-06 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 448 0

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      gan資料下載

      GaN應(yīng)用介紹立即下載

      類別：電子資料 2024-09-12 標(biāo)簽：GaN 70 0

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      gan資訊

      納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

      唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...

      2024-11-08 標(biāo)簽：電源GaN功率半導(dǎo)體 210 0

      Navitas發(fā)布2024財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營收微降,但技術(shù)與市場(chǎng)布局加速

      近日，Navitas半導(dǎo)體公司發(fā)布了其截至2024年9月30日的第三季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績報(bào)告。盡管總營收微降至2170萬美元，相比2023年第三季度的...

      2024-11-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiCGaN 330 0

      德州儀器日本會(huì)津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體

      近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的里程碑事件：其基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...

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      隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。

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      德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

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      9月，英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效...

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      華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性O(shè)LED顯示屏

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      近日，GaN行業(yè)迎來了一項(xiàng)重要突破，一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件，其電壓等級(jí)高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...

      2024-10-22 標(biāo)簽：芯片GaN 259 0

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      gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      GS61008P-MR 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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