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標簽 > IR2110
美國IR公司生產(chǎn)的IR2110驅(qū)動器。它兼有光耦隔離(體積?。┖碗姶鸥綦x(速度快)的優(yōu)點,是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選品種。
美國IR公司生產(chǎn)的IR2110驅(qū)動器。它兼有光耦隔離(體積?。┖碗姶鸥綦x(速度快)的優(yōu)點,是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選品種。
IR2110是美國國際整流器公司(International Rectifier Company )利用自身獨有的高壓集成電路及無門鎖CMOS 技術,于1990 年前后開發(fā)并投放市場的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動集成電路,已在電源變換、馬達調(diào)速等功率驅(qū)動領域中獲得了廣泛的應用。該電路芯片體積?。―IP-14、SOIC-16),集成度高(可驅(qū)動同一橋臂兩路),響應快( ton /tof = 120/94 n s ),偏值電壓高(《 600 V ),驅(qū)動能力強,內(nèi)設欠壓封鎖,而且其成本低,易于調(diào)試,并設有外部保護封鎖端口。尤其是上管驅(qū)動采用外部自舉電容上電,使得驅(qū)動電源路數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減小。對于發(fā)射機的4 管構成的全橋電路,采用2片IR2110驅(qū)動2個橋臂,僅需要一路10一20V電源,從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數(shù)目, 降低了產(chǎn)品成本, 提高了系統(tǒng)的可靠性。
美國IR公司生產(chǎn)的IR2110驅(qū)動器。它兼有光耦隔離(體積?。┖碗姶鸥綦x(速度快)的優(yōu)點,是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選品種。
IR2110是美國國際整流器公司(International Rectifier Company )利用自身獨有的高壓集成電路及無門鎖CMOS 技術,于1990 年前后開發(fā)并投放市場的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動集成電路,已在電源變換、馬達調(diào)速等功率驅(qū)動領域中獲得了廣泛的應用。該電路芯片體積?。―IP-14、SOIC-16),集成度高(可驅(qū)動同一橋臂兩路),響應快( ton /tof = 120/94 n s ),偏值電壓高(《 600 V ),驅(qū)動能力強,內(nèi)設欠壓封鎖,而且其成本低,易于調(diào)試,并設有外部保護封鎖端口。尤其是上管驅(qū)動采用外部自舉電容上電,使得驅(qū)動電源路數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減小。對于發(fā)射機的4 管構成的全橋電路,采用2片IR2110驅(qū)動2個橋臂,僅需要一路10一20V電源,從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數(shù)目, 降低了產(chǎn)品成本, 提高了系統(tǒng)的可靠性。
IR2110使用筆記
使用IR2110的目的是為了控制功率電路,IR2110作為高壓集成驅(qū)動芯片,集成了高壓側和低壓側兩路驅(qū)動的輸出,為驅(qū)動半橋和全橋電路提供了便捷。
為利用好這款芯片,需要理解其工作原理。電路需要設計自舉電容,自舉二極管,以及MOS管的外圍配置電路。
以驅(qū)動半橋為例來詳述其工作原理:
圖1 自舉電容充電過程
當LO輸出高電平,VCC將電源電壓加在Q2兩端,下管導通,電源VCC通過自舉二極管,自舉電容,下管Q2構成充電回路,給自舉電容C1充電。由于驅(qū)動波形是互補輸出,此時HO輸出低電平,上管處于截止狀態(tài),此時由于Q2導通,故Va是處于低電平狀態(tài),此時半橋輸出低電平。VCC經(jīng)過自舉二極管的壓降,將電壓加在自舉電容C1的兩端。
LO輸出高電平,
第一,將電源電壓加在下管Q2的柵源兩端,開通下管Q2;
第二,電源電壓給自舉電容充電;
第三,半橋中點輸出低電平
自舉電容的計算公式如下:
圖2 自舉電容放電過程
針對實際電路所用的MOS管,在計算出所需的自舉電容值后,當電容兩端電壓達到電源電壓,關斷Q2。HO輸出高電平,自舉電容兩端電壓加在上管Q1的柵源兩端,開通Q1(若是軟開關,會經(jīng)歷一段死區(qū)時間),此時自舉電容兩端電壓會經(jīng)過VB,HO,上管Q1,構成放電回路。由于Q1處于導通狀態(tài),母線電壓與Va點電壓相同,即此時半橋輸出高電平。
HO輸出高電平,
第一,將自舉電容兩點電壓加在上管Q1的柵源兩端,開通上管Q1;
第二,上管Q1輸出高電平
為了更好地理解,IR2110的工作原理,下面列出了其驅(qū)動全橋電路的波形圖。采用移相全橋控制方法,Q1和Q2構成超前臂,Q3和Q4構成滯后臂,結合上述分析可知,當HO輸出高電平的時,半橋中點輸出高電平,LO輸出高電平的時,半橋中點輸出低電平。所以Va,Vb的波形和Q1、Q3是一致的。這樣就得到負載電壓Va-Vb。
圖3 全橋電路原理圖
圖4 全橋電路波形圖
通過上述分析,我們可以得知只有HO輸出高電平的時候,半橋中點才能輸出高電平,而LO輸出高電平的時候,半橋中點輸出低電平,這可以等效于將LO接地。有鑒于此,可以利用IR2110的單路來驅(qū)動MOS管。
圖5 IR2110驅(qū)動buck電路MOS管
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