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      標(biāo)簽　>　lmg1210

      lmg1210

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      LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。

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      lmg1210簡介

      　　LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還 具備 一個(gè)內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動器電壓（而與電源電壓無關(guān)）。

      　　為了在各種應(yīng)用中獲得 最佳性能，LMG1210 允許設(shè)計(jì)人員選擇最佳的自舉二極管對高側(cè)自舉電容器充電。當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過度充電，并將反向恢復(fù)電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開關(guān)損耗。

      　　該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在 PWM 模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可將每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間從 0ns 調(diào)節(jié)為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，并采用低電感 WQFN 封裝。

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      lmg1210技術(shù)

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      lmg1210資訊

      TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

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      2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.1萬 0

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      lmg1210數(shù)據(jù)手冊

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