完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
文章:788個(gè) 瀏覽:93351次 帖子:189個(gè)
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開(kāi)關(guān)電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,可以在高電流負(fù)載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過(guò)使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET電源管理負(fù)載開(kāi)關(guān) 890 0
MOS管基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用電路分析
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái),不至于擊穿這個(gè)MOS管,起到保護(hù)MOS管的作用。
晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(二)
引言:開(kāi)路集電極開(kāi)關(guān)和開(kāi)路發(fā)射極開(kāi)關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。 負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)使用更加廣泛,可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS...
2023-06-01 標(biāo)簽:led開(kāi)關(guān)電路晶體管 1295 0
可關(guān)斷、低噪聲MOS型LDO AiP76XX系列簡(jiǎn)介
中微愛(ài)芯AiP76XX系列是支持最大輸出電流為300mA的MOS型LDO。該系列LDO具有低噪聲和高PSRR等特點(diǎn),并且?guī)в嘘P(guān)斷功能,關(guān)斷電流<1uA,...
5V2.4A個(gè)護(hù)小家電開(kāi)關(guān)電源芯片U6773V
消費(fèi)者對(duì)于美妝個(gè)護(hù)的需求越來(lái)越精細(xì)化,隨之誕生了許多細(xì)分品類:腰頸按摩儀、吹風(fēng)機(jī)、鏟皮機(jī)、洗臉儀、脫毛儀、美容儀等等,絕對(duì)是小家電賽道表現(xiàn)最堅(jiān)挺的品類之一
2023-05-20 標(biāo)簽:控制器MOS開(kāi)關(guān)電源芯片 553 0
答:三端保險(xiǎn)絲是鋰離子電池二次保護(hù)元件,可同時(shí)在鋰離子電池發(fā)生過(guò)電流、過(guò)電壓時(shí)起到保護(hù)作用,有效減少鋰離子電池因過(guò)充、過(guò)放、短路等故障而起火爆炸的風(fēng)險(xiǎn)。
為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù),減少干擾,平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路,盡管電路的具體形式繁多,不盡相同,工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DC...
2023-05-18 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電源PFC 1959 0
BMS的幾個(gè)硬件設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)
電池管理系統(tǒng)(BatteryManagement System,BMS)的作用是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)放和過(guò)充,延長(zhǎng)電池的使用壽命...
2023-05-15 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MOS硬件設(shè)計(jì) 6419 2
LLC變壓器設(shè)計(jì)需特別注意的4方面問(wèn)題
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開(kāi)關(guān)管、第二MOS開(kāi)關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個(gè)變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
本節(jié)開(kāi)始我們將開(kāi)啟電路與器件的內(nèi)容,主要是看如何通過(guò)電路與器件來(lái)實(shí)現(xiàn)前面的邏輯關(guān)系。本小節(jié)主要會(huì)聚焦在MOS管特性,由MOS管搭建的簡(jiǎn)單邏輯器件,以及D...
探討筆記本從文字處理工具到錄音室級(jí)通信設(shè)備的轉(zhuǎn)型及背后的技術(shù)
將麥克風(fēng)集成到筆記本電腦中,標(biāo)志著這些機(jī)器從簡(jiǎn)單的文字處理器和數(shù)字運(yùn)算設(shè)備變成了通信平臺(tái)。
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí),以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
邏輯門(mén)(LogicGates)是集成電路設(shè)計(jì)的基本組件,通過(guò)晶體管或MOS管組成的簡(jiǎn)單邏輯門(mén),可以對(duì)輸入的電平(高或低)進(jìn)行一些簡(jiǎn)單的邏輯運(yùn)算處理,而簡(jiǎn)...
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2292 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1085 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |