沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(PVD)利用離子轟擊金屬靶表面，使金屬濺鍍沉積于晶圓表面。遙控等離子體系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于清潔機(jī)臺(tái)的反應(yīng)室、薄膜去除及薄膜沉積工藝中。
2022-11-15 09:57:31
2626 旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:441185 
阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:083889 
半導(dǎo)體芯片由許多比指甲蓋還小、比紙還薄的微觀層(layer)組成。半導(dǎo)體堆疊得又高又實(shí)，形成類似于高層建筑的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。
2023-07-04 09:25:261331 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨(dú)立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會(huì)給襯底引入大量的點(diǎn)缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進(jìn)入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進(jìn)內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個(gè)尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個(gè)有數(shù)百個(gè)間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
于，它使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后用研磨減薄工藝從背面減薄到 IGBT 電壓規(guī)格需要的厚度，再?gòu)谋趁嬗?b class="flag-6" style="color: red">離子注入工藝形成P+ collector。在截止時(shí)電場(chǎng)
2021-05-26 10:19:23
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
的工藝流程的示意圖。我們可以從圖中看到，在凸起的表面會(huì)生成保護(hù)層5，并通過保護(hù)層5對(duì)未被凸起部覆蓋的JFET層進(jìn)行離子注入，進(jìn)而能得到體區(qū)域6?！ ≡礃O區(qū)域的P+區(qū)域9與N+區(qū)域8相鄰，在注入N型離子時(shí)，可以
2020-07-07 11:42:42
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項(xiàng)監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
`超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案包含：離子注入、晶體生長(zhǎng)、實(shí)驗(yàn)室凈化與硅片清洗、 光刻、氧化、工藝集成、未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)等。錯(cuò)過便不再擁有研究生畢業(yè)繼續(xù)送資料——超經(jīng)典復(fù)旦大學(xué)微電子工藝教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
請(qǐng)問各位大俠，離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí)，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來(lái)源】：《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時(shí),離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
鋰離子電池特點(diǎn)鋰離子電池的發(fā)展歷史鋰離子電池類型鋰離子電池 的主要組成部分鋰離子電池的制作工藝石墨烯在鋰離子電池電極材料的應(yīng)用
2021-03-01 11:32:24
前工序圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù)薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積(如濺射、蒸發(fā)) 等摻雜技術(shù)：主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù) 后工序劃片封裝測(cè)試?yán)匣Y選 :
2018-11-26 16:16:13
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測(cè)量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 M5525100－1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100－1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212 離子注入技術(shù)又是近30年來(lái)在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
簡(jiǎn)述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)及典型應(yīng)用，并簡(jiǎn)要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 
詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來(lái)獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設(shè)備和方法:最簡(jiǎn)單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點(diǎn) 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對(duì)改性層效果的影響，綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點(diǎn)是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動(dòng)化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動(dòng)了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來(lái)源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實(shí)驗(yàn)中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動(dòng)系統(tǒng)干運(yùn)轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗(yàn)機(jī)測(cè)定了Mo離子注入量及潤(rùn)滑條件對(duì)齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對(duì)摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識(shí)、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38117 本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將正式啟動(dòng)試流片。
2018-01-15 09:50:096732 近日有消息顯示，萬(wàn)業(yè)企業(yè)（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進(jìn)行離子注入晶圓驗(yàn)證。
2019-12-31 10:04:085297 力傳感器橋式放大器圖1所示的電路為一個(gè)橋式放大器。圖中的SFG-15N1A為Honeywell公司生產(chǎn)的硅壓阻式力傳感器，它是利用微細(xì)加工工藝技術(shù)在一小塊硅片上加工成硅膜片，并在膜片上用離子注入工藝
2020-06-03 17:19:372546 
近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來(lái)喜訊，公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線，這臺(tái)由客戶直接采購(gòu)的設(shè)備如期交付，標(biāo)志著公司國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)市場(chǎng)化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284019 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中國(guó)知名電子企業(yè)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司近日取得重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的高能離子注入機(jī)已成功實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)電子伏特高能離子加速，其性能達(dá)國(guó)際主流先進(jìn)水平。
2020-06-28 11:36:023688 離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽(yáng)能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候，該公司就開始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細(xì)的可以
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
目前，離子注入機(jī)行業(yè)主要由美國(guó)廠商壟斷，應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計(jì)占據(jù)全球 85%-90%的市場(chǎng)，存在較高競(jìng)爭(zhēng)壁壘，也是解決芯片國(guó)產(chǎn)化設(shè)備卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2020-12-04 10:21:293635 四十五所作為國(guó)內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一，其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側(cè)腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:355172 
結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:292476 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝，同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時(shí)間，釋放
2022-03-01 14:39:431351 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
與通過傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:015608 通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結(jié)合在一起的，最常見的就是離子注入后的熱退火。離子注入會(huì)撞擊襯底原子，使其脫離原本的晶格結(jié)構(gòu)，而對(duì)襯底晶格造成損傷。
2022-11-02 10:03:5215056 固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-07 09:59:201025 
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185 第九步退火，離子注入后也會(huì)產(chǎn)生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱，使得注入的粒子擴(kuò)散，恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)，修復(fù)缺陷，激活所需要的電學(xué)特性。
2023-04-28 09:32:542021 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
半導(dǎo)體材料最重要的特性之一是導(dǎo)電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導(dǎo)體材料（如硅、錯(cuò)或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻雜物進(jìn)行摻雜。
2023-05-04 11:12:512175 
離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無(wú)法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注入可以獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:084597 
高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960 
高溫爐廣泛用于進(jìn)行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個(gè)批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:592495 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171358 
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121132 
當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2021-12-31 14:13:05466 對(duì)于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個(gè)高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412 來(lái)源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:46651 半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572170 
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-07-03 15:05:55593 
摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測(cè)中最常使用的測(cè)量工具，可以測(cè)量
2023-07-07 09:51:172240 
在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?！该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測(cè)電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376 
半導(dǎo)體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對(duì)硅的起泡和分裂過程進(jìn)行了詳細(xì)的研究。因此，還對(duì)硅和化合物半導(dǎo)體的起泡過程進(jìn)行了比較。這項(xiàng)比較研究在技術(shù)上是相關(guān)的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">離子注入誘導(dǎo)的層分裂與直接晶片鍵合相結(jié)合，
2023-09-04 17:09:31317 
本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:002367 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來(lái)具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區(qū)別呢？
2024-01-05 18:21:111112 
隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無(wú)規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
作為中國(guó)電力投資集團(tuán)核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)項(xiàng)目，核力創(chuàng)芯始創(chuàng)于2021年3月，負(fù)責(zé)研發(fā)并建立我國(guó)首條功率芯片質(zhì)子輻照生產(chǎn)線。該公司致力于通過質(zhì)子輻照技術(shù)為IGBT、FRD二極管等功率芯片實(shí)現(xiàn)氫離子注入工藝，從而大幅提升其效能。
2024-01-17 13:58:43301 據(jù)悉，核級(jí)10B酸在核能、核電及核醫(yī)療等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，且是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵原料之一，11BF3氣體則在離子注入工藝中，以及作為硼摻雜劑的應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。此外，11BF3還能應(yīng)用于顯示屏和光纖預(yù)制件的制作。
2024-01-18 10:59:02388 對(duì)器件設(shè)計(jì)工程師來(lái)講，離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù)，什么樣的濃度對(duì)應(yīng)什么樣的方阻，器件仿真參數(shù)輸入的是濃度，通過DSIMS測(cè)出來(lái)的也是濃度和深度的關(guān)系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:13181 
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