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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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鑒于電源電路存在一些不穩(wěn)定因素,而設(shè)計用來防止此類不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱作保護(hù)電路。在各類電子產(chǎn)品中,保護(hù)電路比比皆是,例如:過流保護(hù)、過壓保護(hù)...
如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好,到底是哪里出了問題?本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形。
Mos是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻。
弱反轉(zhuǎn)電流/次閾值電流:MOS的亞閾值區(qū)域是VG工作的區(qū)域≈VT和VDS》0(在nMOS環(huán)境中)。在該區(qū)域,電壓不足以為MOS開始導(dǎo)電構(gòu)建完整的表面通道...
三管MOS DRAM基本單元電路原理 單管MOS動態(tài)RAM基本單元電路原理
如果需要讀出數(shù)據(jù),首先需要給T4加上一個預(yù)充電信號,然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電,代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”,進(jìn)行讀出時,讀選擇線是高電平。此時,如果原...
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個PN結(jié),這個PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
大家都知道三極管是電流控制型元件,三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動,還是...
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處,希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識別三種特性曲線的區(qū)別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個重要現(xiàn)象——Mille...
一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個方面用工程師的話簡單描述。
2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 3816 0
因?yàn)槟M信號經(jīng)過施密特觸發(fā)器后只有0/1兩種狀態(tài),因此信號源輸入在施密特觸發(fā)器前。類似地,當(dāng)GPIO 引腳用于DAC 作為模擬電壓輸出通道時,DAC 的...
常說的與推挽輸出相對的就是開漏輸出(Open Drain Output),對于開漏輸出和推挽輸出的區(qū)別最普遍的說法就是開漏輸出無法真正輸出高電平,即高電...
主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識,例如:mos管工作原理、mos管封裝等知識。
MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
作者 IC_learner 在此特別鳴謝; 今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示: ·M...
MOS驅(qū)動電路設(shè)計四種方案 電源IC直接驅(qū)動\推挽驅(qū)動\隔離驅(qū)動\加速關(guān)斷驅(qū)動
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。 一、電源I...
2023-01-16 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS驅(qū)動電路 8928 0
在模擬IC電路設(shè)計中,會經(jīng)常使用到電容。芯片內(nèi)部的電容一般使用金屬當(dāng)作上下基板,但是這種金屬電容缺點(diǎn)是消耗面積太大。為了作為替代,在一些對電容要求不是很...
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