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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動方案開發(fā)
關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計,本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS管的G極和...
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料,其開啟電壓(Threshold Vo...
mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動芯片,是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場效應(yīng)晶體管驅(qū)動芯片 645 0
mos驅(qū)動芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些
MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計和選擇MOS驅(qū)...
2024-07-14 標(biāo)簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 661 0
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...
兼容IP5303 IP5305 1A同步升壓 移動電源管理方案
TP4333是一款專為移動電源設(shè)計的同步升壓的單芯片解決方案,內(nèi)部集成了線性充電管理模塊、同步放電管理模塊、電量檢測與LED指示模塊、保護模塊。TP43...
MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過一系列步驟封裝到外殼中的過程。以下是MOS封裝工藝的詳細步驟和相關(guān)信息:
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路由于其高集成度和敏感的氧化層結(jié)構(gòu),對靜電放電(ESD)非常敏感。
仁懋MOSFET:為房車儲能系統(tǒng)注入強勁動力MOT“露營經(jīng)濟”持續(xù)火熱,咨詢報告顯示,2022年中國“露營經(jīng)濟”核心市場規(guī)模達1134.7億元,同比增長...
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強。針對這份...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETMOS數(shù)據(jù)手冊 1704 0
隨著對器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計中。這些設(shè)計的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時0...
2024-05-09 標(biāo)簽:電容電源開關(guān)MOS 5635 0
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 3447 0
電子世界的開關(guān)大師:MOS場效應(yīng)晶體管
屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運行。
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