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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 74 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元，大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 136 0

瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（34）1.8V信號(hào)的時(shí)序

固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時(shí)序如下圖所示，SDR12、SDR25、SDR50的輸出時(shí)序。

2024-10-08 標(biāo)簽：NAND 信號(hào)時(shí)鐘 228 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（27）C_SIZE

該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域)，數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算。

2024-09-21 標(biāo)簽：電源 NAND 內(nèi)存 252 0

心率監(jiān)測(cè)儀使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品

心率監(jiān)測(cè)儀可能會(huì)使用多種存儲(chǔ)產(chǎn)品來記錄和保存心率數(shù)據(jù)，具體取決于設(shè)備的設(shè)計(jì)、應(yīng)用場景和技術(shù)要求。

2024-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD卡 218 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（24）擦除超時(shí)計(jì)算

擦除單元速度類規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲(chǔ)卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時(shí)間，這是AU(部分擦...

2024-09-07 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD 381 0

SD NAND SPI模式：如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行

最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...

2024-09-02 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 367 0

SD NAND參考設(shè)計(jì)提示

一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...

2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻 NAND 電路設(shè)計(jì) 239 0

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲(chǔ)器件。其名稱源自其兩個(gè)輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個(gè)關(guān)鍵的控制...

2024-08-30 標(biāo)簽：NAND JK觸發(fā)器數(shù)字電路 1318 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SDIO接口 662 0

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SSD硬盤 604 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 482 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（8）專用命令CMD55 56

應(yīng)用專用命令app_cmd (CMD55) 當(dāng)卡接收到這個(gè)命令時(shí)，會(huì)使卡將下面的命令解釋為一個(gè)特定于應(yīng)用程序的命令A(yù)CMD。ACMD提供命令擴(kuò)展，具有與...

2024-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD 1058 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測(cè)

2024-08-10 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 497 0

NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的重要一員，其擦寫次數(shù)是評(píng)估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)，包括其定義...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)技術(shù) 2183 0

NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢(shì)等。

2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND FlaSh 1124 0

NAND Flash與NOR Flash：壞塊管理需求的差異解析

NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù)，它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。

2024-07-10 標(biāo)簽：mcu NAND FlaSh 1702 0

貼片式SD卡功能介紹【MK SD NAND】

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2024-07-05 標(biāo)簽：mcu NAND SD卡 623 0

掌握 SD NAND 貼片的重要注意事項(xiàng)

1、SD NAND回流焊的最高溫度不能超過260°（無鉛焊錫）.回流焊的參數(shù)設(shè)置還需要根據(jù)焊錫的熔點(diǎn)和板子的其他元器件回流焊參數(shù)來設(shè)置。如果使用含鉛焊錫...

2024-06-27 標(biāo)簽：NAND 貼片虛焊 296 0

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊(cè)】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

通過本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?SPI通信協(xié)議，參考19.2.1東方紅開發(fā)板使用手冊(cè) ?GD32F303 SPI操作方式，參考19.2.2東方紅開發(fā)板...

2024-06-20 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 731 0

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