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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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2017-11-09 標(biāo)簽:二極管pn結(jié)單向?qū)щ?/a> 7.9萬 1
PN結(jié)二極管由P型和N型兩種半導(dǎo)體材料的兩個相鄰部分組成,這些材料是半導(dǎo)體,例如Si(硅)或 Ge(鍺),包括原子雜質(zhì)。這里的半導(dǎo)體類型可以由雜質(zhì)種...
PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?PN結(jié)的形成 (1)當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時,由于交界面處存在載流子濃度的差異,這樣電子和空穴都要從濃度高
2010-02-26 標(biāo)簽:PN結(jié) 3.2萬 0
什么是PN結(jié)?PN結(jié)是構(gòu)成二極管、三極管及可控硅等許多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡...
2019-07-16 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)變?nèi)荻O管 1.7萬 0
pn結(jié)的特性,PN結(jié)的擊穿特性,PN結(jié)的電容特性
PN結(jié)的擊穿特性: 當(dāng)反向電壓增大到一定值時,PN結(jié)的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加,這種現(xiàn)象稱為PN
晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時,由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的...
pn結(jié)中電子向P區(qū),空穴向n區(qū)擴散,使p區(qū)帶負(fù)電,n區(qū)帶正電,形成由不能移動離子組成的空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)),同時出現(xiàn)由耗盡層引起的內(nèi)建電場,使少子漂移...
PN結(jié)的形成及工作原理 當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體材料結(jié)合時,P 型( N型)材料中的空穴(電子)向N 型( P 型)材料這邊擴散,擴散的結(jié)果使得結(jié)
2008-12-21 標(biāo)簽:PN結(jié) 8266 0
從上文可知,在半導(dǎo)體材料上制作出二極管、三極管、電阻、電容等電子元件,再用導(dǎo)線把它們連接起來,這就是集成電路,也叫芯片。要想認(rèn)識芯片,必須首先了解“PN...
光敏二極管工作原理 光敏二極管是將光信號變成電信號的半導(dǎo)體器件。它的核心部分也是一個PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,P...
此時P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運動,N區(qū)多子電子相反,使耗盡層變窄至消失,正向?qū)щ奜K,也可以理解成外加電場克服耗盡層內(nèi)電場,實現(xiàn)導(dǎo)電,該電壓...
pn結(jié)是怎么形成的?有哪些基本特性 PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的元器件之一,它的存在使得晶體管、二極管、光電池等半導(dǎo)體器件得以實現(xiàn)。PN結(jié)是由n型半導(dǎo)體...
PN結(jié)的單向?qū)щ娦? P端接電源的正極,N端接電源的負(fù)極稱之為PN結(jié)正偏
2009-11-12 標(biāo)簽:PN結(jié)單向?qū)щ?/a> 6842 0
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