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標(biāo)簽 > sic-mosfet
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剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì),如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速...
2022-07-26 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2519 0
眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)...
2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC-MOSFET碳化硅芯片 1202 0
基于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例(1)
當(dāng)輸入電壓上升時(shí),如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當(dāng)輸入電壓超過設(shè)置值時(shí),這種校正功能可通過降低電流限制電平來(lái)降低損耗功率,從而使過負(fù)載時(shí)的...
2019-04-24 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器SiC-MOSFET 1087 0
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1029 0
基于SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)案例(2)
關(guān)于輸入,如設(shè)計(jì)案例電路中所述,將AC輸入電壓整流后會(huì)變?yōu)镈C電壓,因此將根據(jù)DC輸入電壓值來(lái)設(shè)置常數(shù)。
2019-04-24 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器SiC-MOSFET 809 0
新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來(lái)說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...
2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車碳化硅 739 0
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