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      標(biāo)簽　>　SiGe

      SiGe

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      sige技術(shù)

      源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

      與通過(guò)源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來(lái)提高NMOS 的速度類似，通過(guò)源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...

      2024-07-26 標(biāo)簽：SiGePMOS晶格 1108 0

      硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

      硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

      在過(guò)去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...

      2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 326 0

      利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

      利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

      器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

      2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiGe 824 0

      以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

      以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

      大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然...

      2023-04-07 標(biāo)簽：SiGeadas雷達(dá)系統(tǒng) 1561 0

      用毫米波傳感器為汽車帶來(lái)高級(jí)視覺(jué)

      用毫米波傳感器為汽車帶來(lái)高級(jí)視覺(jué)

      相對(duì)于基于傳統(tǒng)鍺硅（SiGe)的傳感器技術(shù)，TI基于RFCMOS的雷達(dá)傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度，以實(shí)現(xiàn)高輸出功率、低功耗（比市面上現(xiàn)有解決方案...

      2023-04-07 標(biāo)簽：SiGeAPI雷達(dá)傳感器 1384 0

      硅鍺技術(shù)增強(qiáng)無(wú)線電前端性能

      硅鍺技術(shù)增強(qiáng)無(wú)線電前端性能

      本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對(duì)線性...

      2023-02-24 標(biāo)簽：SiGeRF無(wú)線電 1285 0

      用于WCDMA應(yīng)用的MAX2322

      用于WCDMA應(yīng)用的MAX2322

      MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優(yōu)化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應(yīng)用。它包括一個(gè)LNA、一個(gè)混頻器和一個(gè)可選頻率...

      2023-02-23 標(biāo)簽：接收器SiGe混頻器 775 0

      銅夾片提供高功率整流器

      銅夾片提供高功率整流器

      從封裝的角度來(lái)看，這些功率二極管一直使用傳統(tǒng)的功率器件封裝，例如DPAK和D2PAK、TO220和TO-247。但是，為了提高系統(tǒng)效率，更好地將器件的熱...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管整流器SiGe 661 0

      SiGe整流器：熱穩(wěn)定效率

      SiGe整流器：熱穩(wěn)定效率

      SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性于一身，讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計(jì)，從而達(dá)到更高的效率。該器件面向汽車、...

      2023-02-09 標(biāo)簽：整流器SiGeCFP 707 0

      用于頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案

      ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車?yán)走_(dá)和5G等各種客戶應(yīng)用提供寬帶性能。

      2018-06-06 標(biāo)簽：adiSiGe雷達(dá) 3359 0

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      Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

      Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

      引言 近年來(lái)，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

      2023-12-28 標(biāo)簽：晶圓SiGe蝕刻 574 0

      基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

      基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

      最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo)，針對(duì)應(yīng)用會(huì)在文末給大家一些方向性參考。 雷達(dá)前端TRA?2...

      2023-11-16 標(biāo)簽：芯片功率放大器振蕩器 1205 0

      深入探討封裝基板

      來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自「馭勢(shì)資本」，謝謝。 半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測(cè)試...

      2021-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiGe 9088 0

      得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動(dòng)揚(yáng)聲器介紹

      本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動(dòng)系列揚(yáng)聲器。 1 產(chǎn)品...

      2021-10-11 標(biāo)簽：整流器SiGe揚(yáng)聲器 3301 0

      關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來(lái)分析和介紹

      關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來(lái)分析和介紹

      在雷達(dá)應(yīng)用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟，用于惡劣天氣，機(jī)場(chǎng)地面監(jiān)測(cè)等。 同時(shí)最...

      2019-09-06 標(biāo)簽：SiGe分辨率晶體管 1.8萬(wàn) 0

      格芯公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖

      格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖，這些技術(shù)平臺(tái)旨在幫助客戶過(guò)渡到下一代5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應(yīng)用...

      2018-05-03 標(biāo)簽：cmossige5g 1108 0

      美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

      美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

      2018-04-27 標(biāo)簽：sigewifife 1377 0

      下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

      據(jù)IEEE報(bào)道，來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來(lái)經(jīng)過(guò)技術(shù)改進(jìn)有可...

      2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe晶體管FinFET 4105 0

      格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

      格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）于今日宣布針對(duì)硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

      2016-06-08 標(biāo)簽：SiGe射頻芯片格羅方德 1640 0

      英飛凌推出面向毫米波無(wú)線回程傳輸?shù)腟iGe收發(fā)器系列

      英飛凌科技股份公司（FSE： IFX/OTCQX： IFNNY）今日發(fā)布一個(gè)可取代十余個(gè)獨(dú)立器件從而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工作的收發(fā)器產(chǎn)品線。由于功耗更低，...

      2013-04-16 標(biāo)簽：英飛凌SiGeBGTx0 726 0

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      sige數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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      • 深度學(xué)習(xí)
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      • 工業(yè)4.0
        工業(yè)4.0
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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開(kāi)發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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