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SiGe

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊

sige技術(shù)

當(dāng)CMOS技術(shù)遇上微波傳感器，更先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)誕生了

隨著武器測試技術(shù)的進(jìn)步、傳統(tǒng)的測速技術(shù)，如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程繁瑣，精度較差，已不能滿足實(shí)時(shí)戰(zhàn)地測試的需要。而毫米波測速雷達(dá)將毫米波技...

2017-12-28 標(biāo)簽：CMOS SiGe adas 9115 0

使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案

完整的寬帶解決方案，涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內(nèi)的所有無線電設(shè)計(jì)。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件，可減少元件數(shù)量，簡化設(shè)計(jì)架構(gòu)，加...

2018-06-06 標(biāo)簽：CMOS adi 寬帶 5519 0

用于頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案

ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列，為航空飛行、汽車?yán)走_(dá)和5G等各種客戶應(yīng)用提供寬帶性能。

2018-06-06 標(biāo)簽：adi SiGe 雷達(dá) 3359 0

以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然...

2023-04-07 標(biāo)簽：SiGe adas 雷達(dá)系統(tǒng) 1561 0

用毫米波傳感器為汽車帶來高級視覺

相對于基于傳統(tǒng)鍺硅（SiGe)的傳感器技術(shù)，TI基于RFCMOS的雷達(dá)傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度，以實(shí)現(xiàn)高輸出功率、低功耗（比市面上現(xiàn)有解決方案...

2023-04-07 標(biāo)簽：SiGe API 雷達(dá)傳感器 1385 0

硅鍺技術(shù)增強(qiáng)無線電前端性能

本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對線性...

2023-02-24 標(biāo)簽：SiGe RF 無線電 1286 0

源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)簡介

與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...

2024-07-26 標(biāo)簽：SiGe PMOS 晶格 1131 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiGe 827 0

用于WCDMA應(yīng)用的MAX2322

MAX2322為高性能SiGe接收器前端IC，優(yōu)化用于PCS （1900MHz）頻段CDMA（碼分多址）應(yīng)用。它包括一個(gè)LNA、一個(gè)混頻器和一個(gè)可選頻率...

2023-02-23 標(biāo)簽：接收器 SiGe 混頻器 777 0

SiGe整流器：熱穩(wěn)定效率

SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性于一身，讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設(shè)計(jì)，從而達(dá)到更高的效率。該器件面向汽車、...

2023-02-09 標(biāo)簽：整流器 SiGe CFP 714 0

sige帖子

SiGe技術(shù)如何提高RFIC性能？

標(biāo)簽：SiGe LNA RFIC 2097 3

用Gummel-Poon模型提取SiGe HBT的VBIC模型

標(biāo)簽：SiGe 1652 0

怎么實(shí)現(xiàn)8bit 800Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)？

標(biāo)簽：SiGe BiCMOS 1197 1

求一種12位25MS/s采樣保持電路設(shè)計(jì)方案

標(biāo)簽：SiGe 563 1

sige資料下載

鍺化硅技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)和高頻特性的介紹立即下載

類別：電子資料 2020-09-09 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體示波器 2010 0

SGA3563Z高性能MMIC放大器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 1123 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)TR模塊的基本芯片立即下載

類別：電子資料 2020-11-11 標(biāo)簽：芯片 SiGe MMIC 1109 0

SGA6589Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 1043 0

SGA789Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-26 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 984 0

兩個(gè)可選的輸入10個(gè)LVPECL輸出SiGe時(shí)鐘扇出緩沖器adclk950數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-10-20 標(biāo)簽：緩沖器 sige adclk950 975 0

兩個(gè)可選的輸入12個(gè)LVPECL輸出SiGe時(shí)鐘扇出緩沖器adclk954數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-10-20 標(biāo)簽：緩沖器 sige adclk954 916 0

SGA9189Z中等功率離散SiGe晶體管的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-27 標(biāo)簽：SiGe 晶體管 RF 902 0

SGB-2233高性能的SiGe HBT MMIC放大器詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-07-27 標(biāo)簽：放大器 SiGe MMIC 887 0

適合制作CMOS的SiGe PMOSFET立即下載

類別：模擬數(shù)字 2011-07-26 標(biāo)簽：CMOS SiGe PMOSFET 886 0

sige資訊

關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹

在雷達(dá)應(yīng)用這塊，除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟，用于惡劣天氣，機(jī)場地面監(jiān)測等。同時(shí)最...

2019-09-06 標(biāo)簽：SiGe 分辨率晶體管 1.8萬 0

深入探討封裝基板

來源：內(nèi)容來自「馭勢資本」，謝謝。半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試...

2021-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiGe 9096 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報(bào)道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe 晶體管 FinFET 4108 0

得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚(yáng)聲器介紹

本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚(yáng)聲器。 1 產(chǎn)品...

2021-10-11 標(biāo)簽：整流器 SiGe 揚(yáng)聲器 3302 0

恩智浦CEO:我們實(shí)際上是一家中國公司

眾所週知，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨(dú)立而出。而在歷經(jīng)多年的發(fā)展轉(zhuǎn)變后，今天的恩智浦，已經(jīng)...

2012-05-03 標(biāo)簽：恩智浦 SiGe LNA 1832 0

格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）于今日宣布針對硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

2016-06-08 標(biāo)簽：SiGe 射頻芯片格羅方德 1640 0

恩智浦半導(dǎo)體推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)

恩智浦半導(dǎo)體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)，進(jìn)一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數(shù)以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定...

2011-12-26 標(biāo)簽：恩智浦 SiGe LNA 1591 0

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計(jì)

本文采用兩個(gè)晶體管構(gòu)成回轉(zhuǎn)器，利用晶體管內(nèi)部本征電容合成電感。設(shè)計(jì)了采用不同組態(tài)的四種有源電感電路結(jié)構(gòu)，并就其中一個(gè)性能較好的電路做了詳細(xì)的討論

2011-03-30 標(biāo)簽：射頻 SiGe 電感 1500 0

美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

2018-04-27 標(biāo)簽：sige wifi fe 1379 0

基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo)，針對應(yīng)用會在文末給大家一些方向性參考。雷達(dá)前端TRA?2...

2023-11-16 標(biāo)簽：芯片功率放大器振蕩器 1205 0

sige數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	參考價(jià)格
SE7351L-T	SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7351L-AK3	SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7265L-R	SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7265L-EK1	SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格
SE7262L-EK1	SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.	獲取價(jià)格

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工業(yè)4.0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達(dá)

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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無人機(jī)技術(shù)

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計(jì)算平臺的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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OpenStack是一個(gè)開源的云計(jì)算管理平臺項(xiàng)目，是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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