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      標(biāo)簽　>　stt_mram

      stt_mram

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      　　STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)單元的核心仍然是一個(gè)MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的。

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      　　STT-MRAM存儲(chǔ)單元陣列通過(guò)選通柵極（字線）和位線實(shí)現(xiàn)尋址，通過(guò)位線電流實(shí)現(xiàn)信息的讀寫，其特點(diǎn)如下：（1）非易失性、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和制備工藝費(fèi)用小存儲(chǔ)的信息由自由層與固定層磁矩的相對(duì)取向決定，讀寫信息次數(shù)高（無(wú)限次）；一旦寫入信息，即使在斷電的情況下也不會(huì)丟失，具有非易失性。同時(shí)，STT-MRAM省略了附加寫信息線，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工藝費(fèi)用少；使得存儲(chǔ)密度提高、存儲(chǔ)容量增大，并可封裝成即插即用式和嵌入式。（2）寫信息的功率損耗小、速度快省略了附加寫信息線，存儲(chǔ)單元的橫截面積可更??；通過(guò)位線的電流密度更高，便于自旋矩傳輸；電流減小，可以有較高的電流正負(fù)極性變換速度。因此，STT-MRAM寫信息的損耗小、功耗低、速度快。

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      2017-05-09 標(biāo)簽：微電子stt_mram 1463 0

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