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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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在封裝史上,最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起,更先進(jìn)的封裝形式(例如晶圓級(jí)扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。
2024-02-27 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 2987 0
由于HPC先進(jìn)封裝的互連長(zhǎng)度很短,將存儲(chǔ)器3D堆疊在邏輯之上或反之亦然,這被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超高帶寬的最佳方法。不過,其局限性包括邏輯IC中用于功率和信號(hào)的大...
2024-02-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體封裝TSV 637 0
TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望
先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商,開發(fā)了一大批專利技術(shù),使用TSV達(dá)成各種復(fù)...
2024-02-25 標(biāo)簽:sram芯片設(shè)計(jì)TSV 906 0
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)
芯片封裝作為設(shè)計(jì)和制造電子產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注和重視。
想象一下,在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓半導(dǎo)體封裝 1086 0
硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D...
溫度傳感器是指能感受溫度并轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的傳感器。溫度傳感器是溫度測(cè)量?jī)x表的核心部分,品種繁多。按測(cè)量方式可分為接觸式和非接觸式兩大類,按照傳感器材...
電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢?
電 化 學(xué) 沉 積 技 術(shù), 簡(jiǎn) 稱 ECD(Electrical Chemical Deposition)技術(shù),也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...
TSV 指 Through Silicon Via,硅通孔技術(shù),是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV...
全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商,市場(chǎng)格局較為集中,前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商,包...
先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)的交叉區(qū)域 先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...
來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
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