最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬
2017-01-06 13:59:21
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日前，中科院微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬
2017-01-13 09:27:373045 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團隊緊張而期待。由他們設計的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進行超高壓
2011-12-06 10:36:221687 的技術、項目經驗積累，著筆SiC相關設計的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進一步的交流。 本文作為系列文章的第五篇，主要針對SiC MOSFET相關應用中的EMI改善方案做一些探討。 對設計人員而言，成功應用 SiC MOSFET 的關鍵在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001210 
?近日，國內第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項性能達到國際領先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導體領域取得了重大進展，進一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一
方面，按照現在的技術水平，
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si
器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1：移相DC/DC轉換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯合制
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
需求。如前所述，考慮到器件的長期演變，多個SiC MOSFET供應商擁有足夠可靠的器件這一事實已經取得了巨大的進步。圖5，經YoleDéveloppement的“2016 Power SiC”報告［13
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上進行了加速柵極氧化物壽命測試。兩個測試結果之間的密切一致證實了SiC MOSFET是可靠的器件，當在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時，預計壽命超過100年。點擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現高耐壓，從而同時實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節(jié)能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
連接步進電機接線方法三張最實用的步進電機接線圖
2021-02-04 06:32:01
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
LCOS是微電子學、光學和視頻顯示技術相結合的新技術。我國LCOS微顯示芯片的研究始于1998年，南開大學信息學院光電子所在教育部和天津市科委的支持下，在國內率先開展了LCOS微顯示器芯片技術的研究，取得了重大進展，自主研制成功我國第一枚LCOS微顯示芯片。
2019-09-12 09:11:53
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
基本的軟件參考代碼設計。通過結合Semtech LoRa?器件遠距離、低功耗、靈敏度高等特點，以及復旦微電子MCU在表計、工業(yè)等場景的應用優(yōu)勢，雙方提供了一個組網更靈活、現場部署更方便、具有更高
2023-02-13 17:44:32
微電子學概論 張興 2000年 01月版
2019-06-13 07:39:09
cadence講義_IC設計_清華微電子所
2012-08-12 17:30:13
的量產化，并于 2010 年全球首家成功實現了 SiC-MOSFET 的量產。羅姆希望通過本次研討會，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點和特性，更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發(fā)經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
``首先感謝羅姆公司提供的開發(fā)板試用機會，本人作為高校學生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發(fā)展。SiC作為第三代半導體為功率電子的發(fā)展提供了很大的潛力，現在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發(fā)雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關的資料。想通過此次試用進一步了解相關性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設備測試Sic器件相關參數。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
）本身化學性能穩(wěn)定、導熱系數高、熱膨脹系數小，因此SiC（碳化硅）器件與傳統的Si（硅）器件相比存在三方面優(yōu)勢：更高的擊穿電壓強度；更低的損耗；更高的熱導率（當然材料成本也高出不少）。這些特性意味著
2020-05-28 22:32:38
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業(yè)和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
微電子三級封裝是什么？新型微電子封裝技術介紹
2021-04-23 06:01:30
。由于SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面非常有效，因此，希望在這里能加深對元器件的了解，以幫助大家更得心應手地使用它。關鍵要點:?SiC功率元器件是能夠降低損耗，并高溫環(huán)境的工作特性優(yōu)異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國科學院微電子研究所、中國電子科技集團公司第58所、航天時代集團第七七一研究所、中國科學院半導體所等。 中國科學院微電子研究所在
2011-07-06 14:11:29
崗位職責：1.負責工藝技術的研發(fā)；2.負責工藝設計、產品設計及設計文件的編制、更改、編目；3.負責研發(fā)樣品的管理和工程樣片的測試、分析、評價；4.研究SiC功率器件方面的最新進展，包括研究文獻、新設
2018-03-12 14:55:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現電學失效現象：共16個器件，其中5個正常，11個失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀，送測樣品圖如下：金鑒工程師隨機抽取其中一個漏電失效MOS管器件芯片樣品進行
2018-11-02 16:25:31
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導體，對于功率元器件來說的重要參數都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
電子皮膚的觸覺感知、智能機械手等方面有重要潛在應用?！彼f。與此同時，作為柔性可穿戴電子，器件與柔軟組織間的機械不匹配是該領域需要解決的關鍵科學問題之一。針對上述關鍵科學問題，該團隊研發(fā)了一種具有褶皺核
2018-09-21 11:53:21
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
低電壓，反之亦然。它是由PMOS與NMOS組成的。上圖是或門他們是由左邊的PMOS和NMOS組成，右邊的紅色的框是一個CMOS非門取反。以下三張圖是或門的其他三種情況。與門如上圖所示是由這些MOS管組成
2023-02-15 14:35:23
電源管理半導體的新進展1979年電力電子學會在我國成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導體。由于微電子學把相關的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導體和電力
2009-12-11 15:47:08
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國內第一個SiCMOSFETt31。器件最大跨導為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
SiC-MOSFET用作開關而專門設計的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅動與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會問“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
的兩種SiC功率MOSFET，電流強度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專為SiC功率元件而設計，以提升其散熱性能。SiC的導熱率是矽的三倍。以意法半導體
2019-06-27 04:20:26
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
微電子器件應用中的幾個重要問題西安微電子技術研究所李志鑫（710054）摘 要 本文報道了半導體分立器件和集成電路應用尤其是航天型號產品應用中暴露
2009-08-27 18:58:21
11 微電子所硅器件與集成技術研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片
2011-12-09 09:05:14938 由中科院微電子研究所系統封裝技術研究室牽頭承擔的“高密度三維系統級封裝的關鍵技術研究”重大專項取得新進展。
2011-12-16 09:04:36778 近日，微電子所系統封裝研究室（九室），在多芯片封裝研究上取得突破。該芯片在產業(yè)應用領域意義重大。電力的應用正在朝多元化發(fā)展，電表集成模塊的數字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:30905 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。
2012-04-13 09:31:301004 中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:203463 
中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關鍵技術先導研發(fā)上取得突破性進展
2012-12-11 11:31:032772 近日，北京航空航天大學與微電子所聯合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311345 
基于微電子器件應用中的幾個重要問題
2017-10-18 08:37:5821 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 取得了系列科研進展。 微機電系統（MEMS）是指利用微納加工技術制作的、同時具有機械組元和電子組元的小型化器件或系統。
2017-12-10 11:09:01728 基于EUV的光刻仿真及應用，致力提高中國EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領域尖端人才。該聯合實驗室得到了北京市科學技術委員會國際科技合作專項的支持。 中科院微電子所所長葉甜春、中科院微電子所科技處處長李平、中科院微電子所計算光刻研發(fā)
2018-12-03 07:39:01502 受到國際多家研發(fā)機構的高度關注。
2019-05-15 14:43:324144 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡稱VLSI國際研討會）在日本召開。微電子所劉明院士科研團隊在會上展示了高性能選通管的最新研究進展。
2019-06-26 15:58:494346 中科院微電子所副總工程師梁利平研究員表示：“小基站在5G商用和下一步網絡建設中正在扮演著越來越重要的角色，同時其產業(yè)化也離不開新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:151638 近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 本期分享的科研成果為蘇州納米所孫錢團隊九月底于功率半導體頂級學術會議IEEE ISPSD發(fā)布的最新技術成果，其團隊在器件制備、器件可靠性測試分析和器件制造方面取得重大進展，有助于在高性能MIS（金屬
2020-10-25 10:19:492252 
3月7日，全國政協委員、中國科學院微電子所副所長周玉梅在第二場委員通道上，直面公眾關注的芯片“卡脖子”問題！
2021-03-08 09:44:034342 我們國家在3D打印技術方面是一直有研究的。就在近日，山東省增材制造工程技術研究中心蘭紅波教授團隊在電場驅動噴射微3D打印及應用研究方面取得重要進展，相關研究成果發(fā)表在《Advanced Materials》（SCI影響因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:44948 在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944 新一代航天器對宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅動能力強，是后摩爾時代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w技術之一，并具有較強的空間應用前景。 中國科學院微電子研究所抗輻照器件
2022-12-02 16:49:282655 針對此問題，微電子所劉明院士團隊制備了基于p型和n型有機分子構成的單晶電荷轉移界面的晶體管器件，探究了電荷轉移界面以及柵氧界面電場的相互作用對晶體管工作時載流子及電導分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:38370 在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。 ? 我們從前一段時間的報道了解
2023-02-20 15:56:442 驅動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅動電平與驅動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關場合，其面對的由于寄生參數所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 傳感新品 【中科院微電子所：在表面等離激元光纖生化傳感器方面取得重要進展】 表面等離激元共振（SPR）光纖生化傳感器因其體積小、抗干擾、高靈敏度、無標記、可實現遠端檢測等優(yōu)勢，在生化傳感、即時現場
2023-06-02 08:39:43618 
中國科學院微電子研究所硅光子平臺基于微電子所先導中心成熟的8英寸CMOS工藝線，該CMOS工藝線支撐開發(fā)了成套硅光工藝和器件，制定了設計規(guī)則和工藝規(guī)范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:03786 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復退化”與“不可恢復退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
傳感新品 【中科院微電子所：在納米森林柔性濕度傳感器及其應用研究方面取得新進展】 目前，各種電氣設備和系統，從照明開關到公共場所的電梯或銀行提款機，其控制與操作一般采用觸摸方式完成，然而，這種傳統
2023-06-30 08:47:42626 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展，相
2024-02-20 18:22:20793 
近日，Telink（泰凌微電子）、Google（谷歌）、HooRii Technology（和眾科技）共同參與的Matter聯合項目宣布取得重大進展。在單臺MatterOTBR設備下，成功掛載了超過100臺Matter over Thread設備，這一數字相較于之前的限制有了巨大的提升。
2024-02-26 09:27:58483 近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所異質集成XOI團隊，在通訊波段硅基磷化銦異質集成激光器方面取得了重要進展。
2024-03-15 09:44:48144 
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工商網監(jiān)
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