80W晶體管與電子管混合純甲類功放電路[hide]80W晶體管電子管混合純甲類功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
`600W TVS二極管 P6SMB,SMBJ,P6KE 600W TVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管設(shè)計(jì)用于保護(hù)敏感設(shè)備免受靜電放電 (ESD) 和電氣過應(yīng)力 (EOS) 的影響。這些器件具有較短響應(yīng)
2020-04-09 09:37:27
600w的半橋設(shè)計(jì)圖
2015-08-05 15:54:22
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
/無線廣播臺等。捕獲這類能量的能力有助于創(chuàng)建新的無電池設(shè)備，并允許電池供電設(shè)備通過無線方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)滴式充電。除了環(huán)境射頻能量外，還有一種方式是使用專門的發(fā)射器發(fā)送功率，這能使無線電源系統(tǒng)提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
晶體管把直流電源的能量，轉(zhuǎn)換成隨輸入信號變化的輸出功率送給負(fù)載時對功率放大要求是什么？設(shè)計(jì)推挽電路時要注意哪些事項(xiàng)？
2021-04-08 07:02:49
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型號的晶體管。 25英寸以上的大屏幕彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管，其耗散功率應(yīng)大于或等于1.5W，最大集電極電流應(yīng)大于或等于50mA，最高反向電壓應(yīng)大于
2012-01-28 11:27:38
輸出為1瓦至600瓦。產(chǎn)品型號: AM81214-030產(chǎn)品名稱：晶體管AM81214-030產(chǎn)品特性內(nèi)部輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
。射頻功率晶體管在許多性能上要優(yōu)于傳統(tǒng)的磁控管，包括在烹調(diào)過程中能對爐內(nèi)的射頻功率電平和射頻能量投射方向進(jìn)行更高的精度的控制。而今的微波爐對其功率電平或射頻能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，這將導(dǎo)致
2017-04-05 10:56:33
當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運(yùn)行時，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
`產(chǎn)品型號：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
LC821射頻晶體管產(chǎn)品介紹LC821詢價(jià)熱線LC821現(xiàn)貨LC821代理 王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, 硅VDMOS和LDMOS晶體管專門設(shè)計(jì)用于寬帶RF應(yīng)用。適用于軍用無線電，蜂窩和尋呼
2018-11-09 15:43:49
LC821射頻晶體管產(chǎn)品介紹LC821詢價(jià)熱線LC821現(xiàn)貨LC821代理 王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, 硅VDMOS和LDMOS晶體管專門設(shè)計(jì)用于寬帶RF應(yīng)用。適用于軍用無線電，蜂窩和尋呼
2018-08-20 14:30:58
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機(jī)成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。?產(chǎn)品型號：NPA1003QA產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPA1003QA產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT D模放大器適合線性和飽和應(yīng)用20至1500兆赫的寬帶
2018-09-03 12:04:40
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT25100P產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT25100P產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應(yīng)用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
，占空比高達(dá)10％。高壓操作：VDS = 50V大功率：600W（最小）@ Pin = 12.6W（41dBm）高效率：65％（Typ。）@ Pin = 12.6W（41dBm）阻抗匹配Zin
2021-03-30 11:24:16
電子設(shè)備和測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號:T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
結(jié)合傳統(tǒng)類型的射頻功率放大器對開關(guān)E類射頻功率放大器進(jìn)行了探討，并推導(dǎo)了具有并聯(lián)電容結(jié)構(gòu)的E類功放的各元器件的理論計(jì)算公式，選用了M／ACOM公司的MRFl66C型號的功率晶體管，并結(jié)合理論計(jì)算
2021-12-16 19:31:39
或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也是因?yàn)槠淠塬@取
2019-06-11 09:56:19
）
場效應(yīng)晶體管
因此，這是理想的，因?yàn)樗鼈儾粫蓴_它們所連接的原始電路功率元件。它們不會導(dǎo)致電源負(fù)載下降。FET 的缺點(diǎn)是它們無法提供與雙極晶體管相同的放大效果。
雙極晶體管的優(yōu)勢在于它們提供了更大的放大能力
2023-08-02 12:26:53
電流密切相關(guān)。晶體管的實(shí)際功耗在使用時不允許超過PCM值，否則，晶體管會因過載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中等功率晶體管，PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
小時，磁控管微波的壽命非常有限。射頻晶體管產(chǎn)生的能量場受控制、高精度，對控制器的反應(yīng)非常敏感，從而實(shí)現(xiàn)最佳和精確的使用和分配。通過使用RF能量代替磁控管，即可在微波爐中實(shí)現(xiàn)固態(tài)、高度可控的烹飪，微波爐內(nèi)
2018-08-21 10:57:30
應(yīng)用。應(yīng)用一：固態(tài)烹飪射頻能量的一個主要目標(biāo)應(yīng)用是傳統(tǒng)的微波爐，目前，標(biāo)準(zhǔn)連鎖餐廳使用磁控管供電的微波加熱顧客的食物，考慮到每天準(zhǔn)備的餐具數(shù)量，磁控管微波的壽命非常有限。使用射頻晶體管，射頻晶體管產(chǎn)生超高
2018-08-06 10:44:39
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
技術(shù)相比，氮化鎵具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢：精密控制——氮化鎵能夠在低于3GHz的ISM頻率下提供高效率，同時還支持5.8 GHz及更高頻率。頻率越高，波長越短，這可增強(qiáng)射頻能量場的精密控制。這提高了治療的準(zhǔn)確性
2017-12-27 10:48:11
是所謂的趨膚效應(yīng)。通信設(shè)備利用10千赫至30千赫的不同頻譜，使用天線傳輸和/或接收數(shù)據(jù)。對于2.4 GHz 和900mhz 頻率，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間
2022-04-29 17:11:19
，射頻能量收集元件的最大理論功率為7.0 μW 和1.0 μW，自由空間距離為40m。在自由空間以外的環(huán)境中，信號的路徑損耗是不同的。表 1 顯示了不同的頻譜及其特殊的應(yīng)用。不同的頻段有不同的應(yīng)用，圖1
2021-12-28 09:53:09
由于無線通信的廣泛發(fā)展，環(huán)境射頻能量的可用性提供了一個越來越有吸引力的功率源，為許多低功耗設(shè)計(jì)。射頻能量收獲的許多應(yīng)用程序提供了顯著的優(yōu)勢，但它需要仔細(xì)注意的關(guān)鍵組成部分，包括接收線圈和電源調(diào)理電路
2016-03-03 14:39:37
表現(xiàn)為一個受控的電流源或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別
2021-03-28 07:00:00
有沒有對射頻功放了解的大佬，可有償指導(dǎo)。謝謝
2019-11-26 15:57:15
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞?？傊?，與用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
用ADS軟件做td-SCDMA射頻功率放大器仿真。。。。求助 這個非要晶體管么？怎么模擬的
2014-04-23 21:53:31
我想做一個晶體管功放電路，但是不知道怎么選晶體管型，然后有有些型號multisim里面又沒有，怎么仿真？求高手解答
2013-12-18 12:36:20
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
受控的電流源或電壓源，其工作機(jī)制是將不含內(nèi)容的直流的能量轉(zhuǎn)化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉(zhuǎn)化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區(qū)別，這也
2019-12-27 07:00:00
是600W，工作電壓范圍是5.0-440.0V，工作電流范圍是62.5-0.84A。P6KE系列瞬態(tài)抑制二極管DO-204AC(DO-15)封裝，產(chǎn)品的額定工作功率是600W，工作電壓范圍
2014-06-30 16:35:36
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
你好。請問如何在ADS的庫中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
摘要：介紹了超短波通信電臺射頻功放功率保護(hù)控制電路的功用和工作原理，并給出了原理電路。 現(xiàn)代軍用、民用超短波通信電臺，為了滿足其通信距離遠(yuǎn)的要求，其射頻功率輸出大，射頻功放一般工作在大電流、高
2019-06-20 08:21:42
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
600W射頻功率放大器電路圖
2009-04-08 09:17:33
4024 
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:111625 射頻與微波晶體管振蕩器設(shè)計(jì)
2013-09-12 16:04:25
319 。MRF1K50H可在50V電壓下提供1.50 kW CW功率，能夠減少高功率射頻放大器中的晶體管數(shù)量，從而減小放大器尺寸并降低物料成本。
2016-05-09 11:53:05909 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11296 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為
2018-05-02 14:44:003828 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004432 固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來了增強(qiáng)的控制功能和可靠性，人們對此早有認(rèn)識，但射頻功率晶體管缺少開發(fā)工具來幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:003715 的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費(fèi)和專業(yè)烹飪射頻能量應(yīng)用；由于它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此
2019-01-20 16:51:01561 當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2020-09-29 10:44:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論