發(fā)燒名詞解釋

PCB板常用名詞解釋（初學(xué)者必知，老手也得知）1、“層(Layer) ”的概念     與字處理或其它許多軟件中為實(shí)現(xiàn)圖、文、色彩等的嵌套與合成

場(chǎng)景：工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)名詞解釋：PLC單片機(jī)，每一個(gè)單片機(jī)都有一堆寄存器。RS485串口，與RS232差不多，都是串口的交互（具體百度吧，電氣啥的稍微有點(diǎn)差別）。MODBUS是工業(yè)通信協(xié)議，具體百度下吧

1、CCIR 通信總線（1）CCIR601：16 位數(shù)據(jù)傳輸；Y、U、V 信號(hào)同時(shí)傳輸，是并行數(shù)據(jù)，行場(chǎng)同步單獨(dú)輸出。（2）CCIR656：8/10 位數(shù)據(jù)傳輸；不需要同步信號(hào)；串行數(shù)據(jù)傳輸；傳輸速率是 601 的 2 倍；先傳 Y，后傳 UV；行場(chǎng)同步信號(hào)嵌入在數(shù)據(jù)流中。（3）行同步信號(hào)常用 HS 或 HSYNC 表示，場(chǎng)同步信號(hào)常用 VS 或 VSYNC 表示。行同步信號(hào)的作用是選擇出液晶面板上有效行信號(hào)區(qū)間，場(chǎng)同步信號(hào)的作用是選擇出液晶面板上有效場(chǎng)信號(hào)區(qū)間。行場(chǎng)同步信號(hào)的共同作用，可將選擇出液晶面板上的有效視頻信號(hào)區(qū)間。 2、MIPI CSI-2 和 DVP（1）CSI 即Camera Sensor Interface，相機(jī)串行接口；DVP 即Digital Video Port，數(shù)字式視頻端口。（2）MIPI 是差分串口傳輸，速度快，抗干擾，使用需要 CLKP/N（2 根線）、DATAP/N（4 組 8 根線），最大支持 4-lane，一般 2-lane 可以搞定。（3）DVP 是并口傳輸，速度較慢，傳輸?shù)膸挼?，使用需?PCLK（sensor 輸出時(shí)鐘）、MCLK（XCLK）（外部時(shí)鐘輸入）、VSYNC（場(chǎng)同步）、HSYNC（行同步）、D[0：11]（并口數(shù)據(jù)）——可以是 8/10/12bit 數(shù)據(jù)位數(shù)大小。（4）以分辨率 320×240 的屏為例，每一行需要輸入 320 個(gè)脈沖來(lái)依次移位、鎖存這一行的數(shù)據(jù)，然后來(lái)個(gè) HSYNC 脈沖換一行。這樣依次輸入 240 行之后換行同時(shí)來(lái)個(gè) VSYNC 脈沖把行計(jì)數(shù)器清零，又重新從第一行開(kāi)始刷新顯示。 3、BSPBSP 即 Board Support Package，板級(jí)支持包。它是介于主板硬件和操作系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)層程序之間的一層，一般認(rèn)為它屬于操作系統(tǒng)一部分，主要是實(shí)現(xiàn)對(duì)操作系統(tǒng)的支持，為上層的驅(qū)動(dòng)程序提供訪問(wèn)硬件設(shè)備寄存器的函數(shù)包，使之能夠更好的運(yùn)行于硬件主板。 4、SerDes（1）SerDes 是SERializer（串行器） 和 DESerializer（解串器）的簡(jiǎn)稱(chēng)。它是一種主流的時(shí)分多路復(fù)用（TDM）、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的串行技術(shù),即在發(fā)送端多路低速并行信號(hào)被轉(zhuǎn)換成高速串行信號(hào)，經(jīng)過(guò)傳輸媒體（光纜或銅線），最后在接收端高速串行信號(hào)重新轉(zhuǎn)換成低速并行信號(hào)。（2）這種點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的串行通信技術(shù)充分利用傳輸媒體的信道容量，減少所需的傳輸信道和器件引腳數(shù)目，提升信號(hào)的傳輸速度，從而大大降低通信成本。 5、FPD-Link IIIFPD-Link III 串行總線方案支持通過(guò)單個(gè)差分鏈路實(shí)現(xiàn)高速視頻數(shù)據(jù)傳輸和雙向控制通信的全雙工控制。 通過(guò)單個(gè)差分對(duì)整合視頻數(shù)據(jù)和控制可減少互連線尺寸和重量，同時(shí)還消除了偏差問(wèn)題并簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 6、RGB 格式、YUV 格式和 RAW data 格式（1）傳統(tǒng)的紅綠藍(lán)格式，比如 RGB565，RGB888；其16-bit數(shù)據(jù)格式為 5-bit R + 6-bit G + 5-bit B，G 多一位，原因是人眼對(duì)綠色比較敏感。（2）YUV 是指亮度參量和色度參量分開(kāi)表示的像素格式，而這樣分開(kāi)的好處就是不但可以避免相互干擾，還可以降低色度的采樣率而不會(huì)對(duì)圖像質(zhì)量影響太大。（3）RAW 圖像就是 CMOS 或者 CCD 圖像感應(yīng)器將捕捉到的光源信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)的原始數(shù)據(jù)。 7、攝像頭結(jié)構(gòu)和工作原理拍攝景物通過(guò)鏡頭，將生成的光學(xué)圖像投射到傳感器上，然后光學(xué)圖像被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，電信號(hào)再經(jīng)過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換變?yōu)閿?shù)字信號(hào)，數(shù)字信號(hào)經(jīng)過(guò)DSP加工處理，再被送到電腦中進(jìn)行處理，最終轉(zhuǎn)換成手機(jī)屏幕上能夠看到的圖像。

處于充滿的狀態(tài)；當(dāng)市電故障或是中斷時(shí)，UPS開(kāi)啟蓄電池供電模式，直到蓄電池放電中止或是市電正常時(shí)恢復(fù)到市電工作模式，而后開(kāi)始給蓄電池進(jìn)行恢復(fù)充電。UPS電源*相關(guān)UPS不間斷電源名詞解釋：1.W

（一）域：是USB數(shù)據(jù)最小的單位，由若干位組成（至于是多少位由具體的域決定），域可分為七個(gè)類(lèi)型：1、同步域（SYNC），八位，值固定為0000 0001，用于本地時(shí)鐘與輸入同步2、標(biāo)識(shí)域（PID），由四位標(biāo)識(shí)符+四位標(biāo)識(shí)符反碼構(gòu)成，表明包的類(lèi)型和格式，這是一個(gè)很重要的部分，這里可以計(jì)算出，USB的標(biāo)識(shí)碼有16種，具體分類(lèi)請(qǐng)看問(wèn)題五。3、地址域（ADDR）：七位地址，代表了設(shè)備在主機(jī)上的地址，地址000 0000被命名為零地址，是任何一個(gè)設(shè)備第一次連接到主機(jī)時(shí)，在被主機(jī)配置、枚舉前的默認(rèn)地址，由此可以知道為什么一個(gè)USB主機(jī)只能接127個(gè)設(shè)備的原因。4、端點(diǎn)域（ENDP），四位，由此可知一個(gè)USB設(shè)備有的端點(diǎn)數(shù)量最大為16個(gè)。5、幀號(hào)域（FRAM），11位，每一個(gè)幀都有一個(gè)特定的幀號(hào)，幀號(hào)域最大容量0x800，對(duì)于同步傳輸有重要意義（同步傳輸為四種傳輸類(lèi)型之一，請(qǐng)看下面）。6、數(shù)據(jù)域（DATA）：長(zhǎng)度為0~1023字節(jié)，在不同的傳輸類(lèi)型中，數(shù)據(jù)域的長(zhǎng)度各不相同，但必須為整數(shù)個(gè)字節(jié)的長(zhǎng)度7、校驗(yàn)域（CRC）：對(duì)令牌包和數(shù)據(jù)包（對(duì)于包的分類(lèi)請(qǐng)看下面）中非PID域進(jìn)行校驗(yàn)的一種方法，CRC校驗(yàn)在通訊中應(yīng)用很泛，是一種很好的校驗(yàn)方法，至于具體的校驗(yàn)方法這里就不多說(shuō)，請(qǐng)查閱相關(guān)資料，只須注意CRC碼的除法是模2運(yùn)算，不同于10進(jìn)制中的除法。（二）包：由域構(gòu)成的包有四種類(lèi)型，分別是令牌包、數(shù)據(jù)包、握手包和特殊包，前面三種是重要的包，不同的包的域結(jié)構(gòu)不同，介紹如下1、令牌包：可分為輸入包、輸出包、設(shè)置包和幀起始包（注意這里的輸入包是用于設(shè)置輸入命令的，輸出包是用來(lái)設(shè)置輸出命令的，而不是放據(jù)數(shù)的）其中輸入包、輸出包和設(shè)置包的格式都是一樣的：SYNC+PID+ADDR+ENDP+CRC5（五位的校驗(yàn)碼）幀起始包的格式：SYNC+PID+11位FRAM+CRC5（五位的校驗(yàn)碼）2、數(shù)據(jù)包：分為DATA0包和DATA1包，當(dāng)USB發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候，當(dāng)一次發(fā)送的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度大于相應(yīng)端點(diǎn)的容量時(shí)，就需要把數(shù)據(jù)包分為好幾個(gè)包，分批發(fā)送，DATA0包和DATA1包交替發(fā)送，即如果第一個(gè)數(shù)據(jù)包是 DATA0，那第二個(gè)數(shù)據(jù)包就是DATA1。但也有例外情況，在同步傳輸中（四類(lèi)傳輸類(lèi)型中之一），所有的數(shù)據(jù)包都是為DATA0，格式如下：SYNC+PID+0~1023字節(jié)+CRC163、握手包：結(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單的包，格式如下SYNC+PID

Time生產(chǎn)周期時(shí)間指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)出所須的生產(chǎn)/制造時(shí)間。在TI-Acer，生產(chǎn)周期時(shí)尚兩種解釋 : 一為"芯片產(chǎn)出周期時(shí)間"（wafer-out time）；一為

184) Short Channel Effect短通道效應(yīng)當(dāng)MOS組件愈小，信道的長(zhǎng)度將隨之縮短，電晶體的操作速度將加快，但是，MOS電晶體的通道長(zhǎng)度并不能無(wú)限制縮減，當(dāng)長(zhǎng)度縮短到一定的程度之后，各種因通道長(zhǎng)度變小所衍生的問(wèn)題便會(huì)發(fā)生，這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為“短通道效應(yīng)”。185)Selectivity選擇性兩種材抖，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻其兩蝕刻率的比值，謂之:例如，復(fù)晶電漿蝕：對(duì)復(fù)晶的蝕刻率為2OO0? /min (分)對(duì)氧化層的蝕刻率為20O? /min (分)則復(fù)晶對(duì)氧化層的選擇性:S20OO ?/minS= ＝10 2OO ?/min 選擇性愈高表示蝕刻特性愈好，一般干式蝕刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性的目的即在于電漿蝕刻專(zhuān)心蝕刻該蝕刻的氧化層，而不會(huì)傷害到上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻的完整性。 186) Silicide硅化物 一般稱(chēng)為硅化物 (Silicide)，指耐火金屬 (Refratory Metal)的硅化物，如鈦(Ti)、鎢(W)、鉬 (Mo)等元素硅(Si)結(jié)合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。硅化物應(yīng)用在組件的目的，主要為降低金屬與硅界面、閘極或晶體管串連的阻抗，以增加組件的性能。以鈦的硅化物為例，其制造流程如下所示：[/td][td][/td]187) Silicide金屬硅化物"Silicide"通常指金屬硅化物，為金屬輿硅的化合物。在微電子工業(yè)硅晶集成電路中主要用為： (1) 導(dǎo)體接觸(Ohmic Contact)(2) 單向能阻接觸(Schottky Barrier Contact) (3) 低阻閘極(Gate Electrode)(4) 組件間通路(Interconnect) 在VLSI(超大型積逞電路)時(shí)代中，接面深度及界面接觸面積分別降至次微米及1-2平方毫米。以往廣泛應(yīng)用為金屬接觸的Al，由于嚴(yán)重的穿入半導(dǎo)靠問(wèn)題，在VLSI中不再適用。再加上其它技術(shù)及應(yīng)用上的需求，金屬硅化物在集成電路工業(yè)上日益受重視。 用于集成電路中的金屬硅化物限于近貴重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高溫金屬(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。188) Silicon硅硅--SI (全各SILICON)為自然界元素的一種，亦即我們使用的硅芯片組成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以結(jié)晶狀態(tài)存在(重復(fù)性單位細(xì)胞組成)，每一單位細(xì)胞為田一個(gè)硅原子在中心，與其它4個(gè)等位硅原子所組成的四面體(稱(chēng)為鉆石結(jié)構(gòu))如圖標(biāo)中心原子以其4個(gè)外圍共價(jià)電子與鄰近的原子其原形或其價(jià)鍵的結(jié)合。硅元素的電子傳導(dǎo)特性介于金屬導(dǎo)體與絕緣體材料的間(故稱(chēng)半導(dǎo)體材料)，人類(lèi)可經(jīng)由溫度的變化，能量的激發(fā)及雜質(zhì)滲入后改變其傳導(dǎo)特性，再配合了適當(dāng)?shù)闹瞥滩襟E，便產(chǎn)生許多重要的電子組件，運(yùn)用在人類(lèi)的日常生活中。189) Silicon Nitride氮化硅氮化硅是SixNy的學(xué)名。這種材料跟二氧化硅有甚多相似處。氮化硅通常用低壓化學(xué)氣相沈積法或電漿化學(xué)氣相沉積法所生成。前者所得的薄膜品質(zhì)較佳，通常作IC隔離氧化技術(shù)中的阻隔層，而后者品質(zhì)稍差，但因其沉積時(shí)溫度甚低，可以作IC完成主結(jié)構(gòu)后的保護(hù)層。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是a) 無(wú)定型結(jié)構(gòu)b) 很容易與硅反應(yīng)得到c) 不容于水d) 好的絕緣性e) SiO2/Si界面態(tài)電荷低通過(guò)不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的應(yīng)用：l緩沖層（buffer layer）l隔離層（isolation)l幕罩層（masking layer）l介電材料（dielectric）l保護(hù)層（passivation）191) SOI(Silicon On Insulator)絕緣層上有硅 SOI“絕緣層上有硅”是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱(chēng)之為"SOI" 的薄層硅上制備?；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。 192) Siloxane硅氧烷硅氧烷是用來(lái)與含有Si-O網(wǎng)絡(luò)相溶的有機(jī)溶劑，本身含有有機(jī)類(lèi)的官能基，如CH3和C6H5，是屬于有機(jī)性的SOG來(lái)源，這些官能基，可以幫助改善這種SOG層的抗裂能力。193) S.O.G.Spin on Glass旋涂式玻璃旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，將含有硅化物的溶液均勻地平涂于芯片上，再利用加熱方式與溶劑驅(qū)離，并將固體硅化物硬化成穩(wěn)定的非晶相氧化硅。其簡(jiǎn)單流程如下:旋轉(zhuǎn)平涂→加熱燒烤→高溫硬化 (~450℃)旋制氧化硅是應(yīng)用在組件制造中，金屬層間的平坦化(Planization)，以增加層與層之間的接合特性，避免空洞的形成及膜的剝裂。其結(jié)構(gòu)如圖表示: 194) Solvent溶劑1兩種物質(zhì)相互溶解混合成一種均勻的物質(zhì)時(shí)，較少的物質(zhì)被稱(chēng)為溶質(zhì)，較多的物質(zhì)，被稱(chēng)為溶劑。例如:糖溶解于水中．變成糖水，則糖為溶質(zhì)，水為溶劑，混合的結(jié)果，稱(chēng)為溶液。2 溶劑分有機(jī)溶劑與無(wú)機(jī)溶劑兩種:2-1有機(jī)溶劑:分子內(nèi)含有碳(C)原子的，稱(chēng)為有機(jī)溶劑，例如:丙酮(CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3)2-2無(wú)機(jī)溶劑:分子內(nèi)不含有碳(C)原子的稱(chēng)為無(wú)機(jī)溶劑 例如:硫酸(H2SO4)，輕氟酸(HF)3 在FAB內(nèi)所通稱(chēng)的溶劑，一般是指有機(jī)溶劑而言212) Source源極位于MOS電容器旁，電性與硅底材相反的半導(dǎo)體區(qū)，且在上加壓。213) Spacer間隙壁隔離閘極與其它兩個(gè)MOS電極，利用它與閘極所形成的結(jié)構(gòu)，來(lái)進(jìn)行S/D的重?fù)诫s。214) SPC （Statistical Process Control）統(tǒng)計(jì)，過(guò)程，控制英文的縮寫(xiě)，是一種質(zhì)量管理方法。自制程中搜集資料，加以統(tǒng)計(jì)分析，并從分析中發(fā)覺(jué)異常原因，采取改正行動(dòng)，使制程恢復(fù)正常，保持穩(wěn)定，并持續(xù)不斷提升制程能力的方法。ü 因制程具有變異，故數(shù)據(jù)會(huì)有變異，而有不同的值出現(xiàn)穩(wěn)定時(shí)，其具有某種分配型態(tài)ü 制程為一無(wú)限母體，只能以抽樣方式，抽取少數(shù)的樣本，以推測(cè)制程母體的情況ü 故運(yùn)用 “統(tǒng)計(jì)手法” 作為制程分析、管制及改善 的工具。SPC的目的? 維持正常的制程 (Under Statistical Control) 事先做好應(yīng)該做的 (標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)) – ex：monitor，機(jī)臺(tái)操作程序 制程異常發(fā)生能偵測(cè)出，并除去之，防止其再發(fā)? 能力要足 (Capable Process) 能力指標(biāo)提升能力 – 持續(xù)改善 (廣義) 215) Specification(SPEC)規(guī)范是公司標(biāo)準(zhǔn)化最重要的項(xiàng)目之一，它規(guī)定了與生產(chǎn)有關(guān)事項(xiàng)的一切細(xì)節(jié)，包括機(jī)臺(tái)操作，潔凈室，設(shè)備及保養(yǎng)，材料，工具及配件，品管，可靠性，測(cè)試‥‥等等。 IC制造流程復(fù)雜，唯有把所有事項(xiàng)巨細(xì)靡遺的規(guī)范清楚，并確實(shí)執(zhí)行，才可能做好質(zhì)量管理。所有相關(guān)人員尤其是現(xiàn)場(chǎng)操作人員底隨時(shí)確實(shí)遵照規(guī)范執(zhí)行，檢討規(guī)范是否合理可行，相關(guān)規(guī)范是否有沖突，以達(dá)自主管理及全員參與標(biāo)準(zhǔn)化的目標(biāo)。216) Spike尖峰硅在400°C左右對(duì)鋁有一定的固態(tài)溶解度，因此沉積在硅表面上的鋁，當(dāng)制程有經(jīng)歷溫度約400°C以上的步驟時(shí)，Si因擴(kuò)散效應(yīng)而進(jìn)入鋁，且鋁也會(huì)回填Si因擴(kuò)散所遺留下來(lái)的空隙，而在鋁與硅底材進(jìn)行接觸的部分。217) Spike TC針型熱電偶218) Spin Dry旋干通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力把硅片表面水滴驅(qū)除219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必須不斷補(bǔ)充H2O2220) Sputtering濺鍍，濺擊利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對(duì)被濺鍍物體電極的轟擊，使電漿的氣相（VaporPhase）內(nèi)具有被鍍物的原子或離子，到達(dá)芯片表面并進(jìn)行沉積。221) Standard Clean:標(biāo)準(zhǔn)清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM組成，SPM為H2SO4和H2O2以4：1混合，APM為NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM為HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。標(biāo)準(zhǔn)清洗可以除去有機(jī)物、Particle和金屬粒子，使芯片表面達(dá)到比較潔凈的狀態(tài)。222) Step coverage階梯覆蓋能力表征薄膜沉積時(shí)對(duì)晶片表面上不同幾何結(jié)構(gòu)的覆蓋能力，簡(jiǎn)單地說(shuō)，即膜層均勻性。如下圖，當(dāng)對(duì)表面有階梯的晶片進(jìn)行膜層沉積時(shí)，因?yàn)槌练e角度不同等因素，導(dǎo)致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，這樣的話沉積的膜層將無(wú)法完全填入洞中，極有可能造成孔洞（void）.223) Stress應(yīng)力對(duì)固體物體所施與的外力或其本身所承受的內(nèi)力，稱(chēng)為“應(yīng)力（stress）”.224) Substrate底材一般而言半導(dǎo)體中提及的Substrate就是指Wafer225) Target靶譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(Sputtering) 也就是以某種材料，制造成各種形狀，用此靶，當(dāng)做金屬薄膜濺鍍的來(lái)源。226) TECN Temporary Engineering Change Notice臨時(shí)性制程變更通知臨時(shí)工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時(shí)解決制程問(wèn)題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)。227) Teflon 鐵氟隆聚四氟乙烯，一種耐酸耐腐蝕耐高溫的材料，我們使用的某些cassette、特殊管路等均是用此種材料制得。228) Tensile Stress拉伸應(yīng)力（參照192）因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)的不同，薄膜與底材產(chǎn)生了應(yīng)力。當(dāng)沉積薄膜的熱膨脹系數(shù)高于底材，冷卻后是薄膜承受了一個(gè)拉伸應(yīng)力。229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）四乙基正硅酸鹽，含有硅與碳、氫與氧的有機(jī)硅源，化學(xué)分子式是Si(OC2H5)4，其沸點(diǎn)較高，常壓下約（169℃）。在CVD制程的應(yīng)用上， TEOS在足夠的溫度下TEOS進(jìn)行反應(yīng)而產(chǎn)生二氧化硅Si（OC2H5）4SiO2+4C2H4+2H2O目前制程此法用來(lái)做Spacer230) TCS三氯硅烷SiHCl3231) Thermal Expansion Coefficient 熱膨脹系數(shù)反映物質(zhì)受熱膨脹程度的特性。因溫度變化而引起物質(zhì)量度元素的變化。膨脹系數(shù)是膨脹－溫度曲線的斜率，瞬時(shí)膨脹系數(shù)是特定溫度下的斜率，兩個(gè)指定的溫度之間的平均斜率是平均熱膨脹系數(shù)。膨脹系數(shù)可以用體積或者是長(zhǎng)度表示，通常是用長(zhǎng)度表示。232) Thermocouple熱電偶測(cè)量溫度之用。有兩根不同材質(zhì)的探頭放入被測(cè)環(huán)境中，得到電壓值，再將電壓值轉(zhuǎn)變?yōu)闇囟戎怠?33) Thin Film薄膜234) Thin Film Deposition 薄膜沉積薄膜沉積形成的過(guò)程中，不消耗芯片或底材的材質(zhì)。薄膜沉積兩個(gè)主要的方向：①物理氣象沉積，及②化學(xué)氣象沉積。前者主要借著物理的現(xiàn)象，而后者主要是以化學(xué)反應(yīng)的方式，來(lái)進(jìn)行薄膜沉積。235) Thin Film Growth 薄膜成長(zhǎng)底材的表面材質(zhì)也是薄膜的形成部分元素之一，如：硅的氧化反應(yīng)（以形成二氧化硅，以做MOS組件的介電材料）便是。236) Threshold Voltage啟始電壓VT 當(dāng)我們?cè)贛OS晶體管的源極（Source）及汲極（Drain）加一個(gè)固定偏壓后，再開(kāi)始調(diào)整閘極（Gate）對(duì)基質(zhì)（Substrate）的電壓，當(dāng)閘極電壓超過(guò)某一個(gè)值之后，源極和汲極間就會(huì)產(chǎn)生電流而導(dǎo)通（Turn on），則我們就稱(chēng)此時(shí)的閘極電壓稱(chēng)為臨界電壓（Threshold Voltage）。*NMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為正。*PMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為負(fù)。一般在制程上我們會(huì)影響臨界電壓的因素主要有二： 閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則Vγ（絕對(duì)質(zhì)）越高。 基質(zhì)滲雜的濃度：Vγ植入Dose越高，則Vγ越高。237) Throttle Valve 節(jié)流閥節(jié)流閥主要是由一個(gè)旋轉(zhuǎn)式閥門(mén)及一個(gè)用來(lái)調(diào)整閥門(mén)位置的伺服馬達(dá)所構(gòu)成，因此只要輸入適合的電流，伺服馬達(dá)便會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)閥門(mén)的位置來(lái)改變節(jié)流閥的傳導(dǎo)度，以控制真空系統(tǒng)的整體有效抽氣速率。238) Throughput產(chǎn)能生產(chǎn)能力，如日產(chǎn)能、月產(chǎn)能、年產(chǎn)能。Through Put為單位工時(shí)的產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時(shí)生產(chǎn)100片，則稱(chēng)其Through put = l00片/小時(shí)。如果每天運(yùn)作21小時(shí)，則每天的Through put為2100片/天。 IC工業(yè)系許多昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大的效能。故高的Through put為我們?cè)u(píng)估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之一。除了設(shè)備上發(fā)揮其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必須"人機(jī)一體"才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最高的生產(chǎn)力(Productivity)。239) Trichloroethane 三氯乙烷240) Trouble Shooting問(wèn)題解答在生產(chǎn)過(guò)程，因?yàn)?M，即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成的一切問(wèn)題而阻礙生產(chǎn)。例如，機(jī)器Down機(jī)、制程異?！取９こ倘藛T解決以上所發(fā)生的問(wèn)題，使這些"故障"消弭于無(wú)形謂之Trouble Shooting。241) Tungsten 鎢一種金屬。用以連接上下兩層金屬線的中間層，稱(chēng)為“鎢插拔”。因?yàn)殒u的熔點(diǎn)高，熱膨脹系數(shù)又與硅相當(dāng)，再加上以CVD法所沉積的鎢的內(nèi)應(yīng)力并不高，且具備極佳的階梯覆蓋能力，以CVD法來(lái)沉積做為插拔用途的金屬鎢，以成為各VLSI量產(chǎn)廠商的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。242) Ultra High Vacuum超高真空在超高真空條件下，單分子層容易形成，并能持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，這就可以在一個(gè)表面尚未被氣體污染前，利用這段充分長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)研究其表面特性，如摩擦、黏附和發(fā)射等；另外，外層空間的能量傳輸和超高真空的能量傳輸相似，故超高真空可做空間模擬。真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的狀態(tài)。[td=311]真空度壓力低真空（Low Vacuum)760-1 torr中真空（Medium Vacuum)1- 10-3高真空（High Vacuum)10-3-10-7極高真空（Ultea High Vacuum)10-7~10-10 243) Ultrasonic Cleaning超音波清洗通過(guò)超音波原理進(jìn)行的清洗。超音波振蕩會(huì)產(chǎn)生氣泡和紊流，氣泡通過(guò)轟擊爆破將Paticle帶走，紊流直接將Paticle沖走。244) Uniformity均勻性（最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測(cè)得五個(gè)點(diǎn)，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計(jì)算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測(cè)得最大值和最小值和平均值再計(jì)算均勻性。245) USG (Undoped SiO2)即沒(méi)有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。246) Up Time使用率表示機(jī)臺(tái)可以run貨的時(shí)間，包含run貨的時(shí)間及機(jī)臺(tái)lost時(shí)間，即除down機(jī)時(shí)間247) Vacuum真空 真空系針對(duì)大氣而言，一特定空間內(nèi)的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱(chēng)為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為4個(gè)區(qū)域：1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum):1~10-3 torr3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下在不同真空，氣體流動(dòng)的型式與熱導(dǎo)性等均有所差異，簡(jiǎn)略而言，在粗略真空，氣體的流動(dòng)稱(chēng)為黏滯流(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性;在高真空或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱(chēng)為分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面，中度真空的壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系﹒粗略真空與高真空區(qū)域，則無(wú)此關(guān)系。248) Vacuum Pump真空泵凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除，以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度的真空狀態(tài)的機(jī)件，統(tǒng)稱(chēng)為真空邦浦。目前生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛茲泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，擴(kuò)散泵(DIFFUSION PUMP)。及儲(chǔ)氣式的有：冷凍泵(CRYO PUMP)，離子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度"黏度"一詞專(zhuān)用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會(huì)產(chǎn)生形變，所以便定義"黏度"來(lái)表示示體產(chǎn)生形變程度的大小。黏度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而形變是巨觀形為的表現(xiàn)，所以在液體完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶劑來(lái)調(diào)整黏度。250) Vacuum System真空系統(tǒng)壓力小于1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的系統(tǒng)。真空系統(tǒng)由以下部分組成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber251) Valve閥控制氣流開(kāi)關(guān)和氣體流量的組件。Valve主要有以下種類(lèi)：氣動(dòng)閥（常開(kāi)或常閉）、手動(dòng)閥、電磁閥252) Vapor Phase氣相相是一種單一均勻的成分的狀態(tài)。氣相是一種單一均勻的成分的氣體狀態(tài)253) Vapor Phase Deposition氣相沉積一種薄膜沉積的方法，在氣態(tài)下氣體反應(yīng)產(chǎn)物或蒸發(fā)物淀積在基體表面的薄膜技術(shù)。氣相沉積可分為物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積。物理氣相沉積又分為蒸鍍和濺渡。化學(xué)氣相沉積又分為APCVD、LPCVD和PECVD。254) Very Large Scale Integration超大規(guī)模集成電路255) Via金屬與金屬之間的通道256) VLF Vertical Laminar Flow垂直層流在流體的流動(dòng)狀態(tài)中，可分為層流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 兩種。界定值。一般流體流速較快者其流線 (streamiline)分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成紊流，(雷諾數(shù)，慣性力/粘滯力)。在無(wú)塵室芯片制造場(chǎng)所內(nèi)，其氣流為穩(wěn)定的層流，如此可將人員、機(jī)臺(tái)等所產(chǎn)生的微塵帶離。若為紊流，則微塵將滯流不去。因此在無(wú)塵室內(nèi)機(jī)臺(tái)的布置及人員的動(dòng)作都以 257) Void 孔洞是一種材料缺陷，會(huì)影響材料的致密性，從而影響強(qiáng)度。 258) Wafer硅片硅晶圓材料（Wafer）是半導(dǎo)體晶圓廠（Fab）內(nèi)用來(lái)生產(chǎn)硅芯片的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規(guī)格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內(nèi)制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經(jīng)封裝測(cè)試等程序，便成為市面上一顆顆的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圓片中，品質(zhì)較好 者，稱(chēng)為生產(chǎn)晶圓（Prime Wafer），更高級(jí)者稱(chēng)為磊晶圓（Epi-Wafer），上述晶圓幾乎都集中在硅晶圓棒的「中間」一段，頭、尾兩端所切割出的晶圓，出現(xiàn)瑕疵的比例較高，大多用做非生產(chǎn)用途，稱(chēng)為測(cè)試晶圓（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名稱(chēng)）， 一片測(cè)試晶圓的售價(jià)大約是生產(chǎn)晶圓的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片傳送系統(tǒng) 用以實(shí)現(xiàn)硅片傳送的系統(tǒng)。如硅片的進(jìn)出爐系統(tǒng)、硅片在cassette與boat、cassette與chamber間的傳送系統(tǒng)等等。260) WELL/Tank井區(qū) WELL即井區(qū)。在IC中的組件MOSFET(即金氧半場(chǎng)效晶體管)，常作兩型(N及P)相接的方式，即CMOS技術(shù)。此時(shí)為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴(kuò)散兩個(gè)不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱(chēng)為WELL區(qū)。261) Wet Oxidation濕式氧化一種熱氧化的方式，其反應(yīng)機(jī)理為：2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2溫度：875---1100℃ 特點(diǎn): 生長(zhǎng)速率快，但所生成SiO2的質(zhì)量不好適用于Field oxide 262) Work Function功函數(shù)功函數(shù)：讓電子脫離金屬原子的臨界能量如果一個(gè)能量為EF的金屬價(jià)電子要脫離金屬原子而成為自由電子，它至少獲得W-EF的能量，這個(gè)能量就是我們所說(shuō)的功函數(shù)。263) Yield良率即合格率，合格的產(chǎn)品占總產(chǎn)品的比例。

101) Ion Implanter 離子植入機(jī)102) Ion Source 離子源 離子植入機(jī)中產(chǎn)生所要植入雜質(zhì)離子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament組成，雜質(zhì)氣體或固體通入Arc Chamber，由Filament產(chǎn)生的電子進(jìn)行解離而產(chǎn)生離子。103) IPA 異丙醇Isopropyl Alcohol的簡(jiǎn)稱(chēng)，在半導(dǎo)體制造中，用來(lái)作為清洗溶劑，常用來(lái)擦拭機(jī)臺(tái)操作面板等，也作為SOG等化學(xué)液體的溶劑。104) Isotropic Etching等向性蝕刻在蝕刻反應(yīng)中，除了縱向反應(yīng)發(fā)生外﹒橫向反應(yīng)亦同時(shí)發(fā)生(見(jiàn)左圖)，此種蝕刻即稱(chēng)之為等向性蝕刻，一般化學(xué)濕蝕刻多發(fā)生此種現(xiàn)象。干式蝕刻，其蝕刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性 (Anisotropic)，即可得到較陡的圖形105) Latch up:閉鎖效應(yīng)CMOS組件里的底材、阱及PMOS的漏極與NMOS的源極，在某些條件下，會(huì)形成一個(gè)如圖（1）所示的寄生的pnpn二極管。這種pnpn二極管的電流（I）對(duì)電壓（V）的操作曲線則如圖。其中圖中的IH，為使pnpn二極管處于運(yùn)作（Acting）狀態(tài)時(shí)所需的最低電流稱(chēng)之為“引發(fā)電流（triggering current）”。當(dāng)I≥IH發(fā)生之后，CMOS電路的功能將暫時(shí)或永久性的喪失，我們稱(chēng)這個(gè)現(xiàn)象為“閉鎖（Latch up）”。即，如果CMOS組件的設(shè)計(jì)或制作不當(dāng)，這種寄生于CMOS組件里的“pnpn二極管”，有可能處于運(yùn)作的狀態(tài)，而影響到CMOS的正常運(yùn)作。所以在使用CMOS的設(shè)計(jì)時(shí)，務(wù)必注意使這個(gè)pnpn二極管隨時(shí)處于“閉”的狀態(tài)，即I

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