電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶PFC電路的75W輸出功率、高效率的單級(jí)反激式電源TOP250YN中文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 09:37:25
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶PFC電路的75W輸出功率、高效率的單級(jí)反激式電源TOP250YN75W數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 09:28:230 法蘭盤封裝能夠?qū)崿F(xiàn)最理想的電氣設(shè)備和熱穩(wěn)定性。特征24 dB 小信號(hào)增益值40 W 典型脈沖信號(hào) PSAT額定電壓高至 40 VOQPSK 下 20 W 線性功率A/B類高增益；高效率 50
2024-02-27 14:09:50
BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設(shè)計(jì)技巧 設(shè)計(jì)高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費(fèi)和提高系統(tǒng)功耗，以下是一些設(shè)計(jì)技巧： 1. 選擇高效率的功率轉(zhuǎn)換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:38
110 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動(dòng)調(diào)頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調(diào)輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)
2024-02-21 16:26:37
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對(duì)稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
YB2414高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器
概述：
YB2414是一款高效率500 kHz同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠提供4A/5A電流。 YB2414可在4.5V至18V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，并集成
2024-01-13 12:14:59
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動(dòng)調(diào)頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調(diào)輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)
2024-01-11 17:17:01
請(qǐng)問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領(lǐng)域
2023-12-26 14:38:54270 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動(dòng)調(diào)頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調(diào)輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)
2023-12-15 18:06:18
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-12-09 14:45:35532 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56358 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動(dòng)調(diào)頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調(diào)輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)
2023-12-01 18:05:10
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 高效能：倍思氮化鎵充電器采用先進(jìn)的氮化鎵功率器件，具有高開關(guān)頻率、高導(dǎo)通電阻等特性，使得電源的轉(zhuǎn)換效率更高，相比傳統(tǒng)的硅基電源，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的能效。 體積小，重量輕：由于倍思氮化鎵充電器的高開關(guān)頻率和高效率
2023-11-24 11:18:44561 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率20A單芯片Silent Switcher 2穩(wěn)壓器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 15:09:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率、低功率轉(zhuǎn)換IC提高可穿戴設(shè)備性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 11:01:480 高效率DrMOS大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起，通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動(dòng)駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強(qiáng)勁的算力需求。這對(duì)供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2023-11-22 08:19:19634 
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高壓高效率白光led驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 09:56:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高效率醫(yī)療植入式刺激裝置無線充電系統(tǒng).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 10:59:252 鍵盤測試設(shè)備的性能檢測和高效率解決方案
2023-11-08 09:19:57490 
一、產(chǎn)品綜述
ZCC5429 芯片是一款自動(dòng)調(diào)頻、最高 600KHz
工作頻率、高效率、寬輸入電壓范圍的電流模式異
步升壓（BOOST）芯片，且可調(diào)輸入限流功能。用
戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)
2023-11-06 14:22:02
該SD8942是一個(gè)完全集成，高效率2A同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。SD8942在寬輸出電流負(fù)載范圍內(nèi)以高效率工作。該器件提供兩種工作模式，PWM控制和PFM模式開關(guān)控制，從而允許在更寬的負(fù)載范圍內(nèi)的高效率。該SD8942需要一個(gè)現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)外部元件的最低數(shù)量，并在一個(gè)6引腳SOT23 ROHS兼容封裝。
2023-10-27 16:09:550 電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。可工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率輸出，可在移動(dòng)環(huán)境輸入的條件下實(shí)現(xiàn)各種降壓型電源變換
2023-10-23 15:44:10
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
為什么DC-DC電路開關(guān)電源高效率呢？怎樣實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的目的呢？ DC-DC電路開關(guān)電源是由一系列電子器件構(gòu)成的，包括變壓器、半導(dǎo)體開關(guān)管、電感器和電容器等元件。這些元件的協(xié)同作用能夠?qū)崿F(xiàn)DC-DC電壓
2023-10-22 15:13:27624 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55022 B類標(biāo)準(zhǔn)）要求。
2023-10-16 14:32:451139 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
是什么因素導(dǎo)致充電器充電效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來說，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市場的關(guān)鍵。主要例子包括汽車電氣化趨勢(shì)、高壓
2023-09-25 08:17:54422 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MIC5205高效率線性穩(wěn)壓器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-21 10:06:230 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342680 
漏感問題是反激變換器的基本問題。漏感是硬傷。要實(shí)現(xiàn)高效率，控制漏感是重頭戲。先做好漏感，再說其余。漏感有多大？意味著能量傳遞損失多大，變換器效率損失有多大，鉗位電路熱損耗有多大。這都是額外的，其他變換器沒有的。
2023-09-19 07:44:19
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
在競爭激烈的當(dāng)今市場中，可再生能源、儲(chǔ)能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 DC電源模塊是目前應(yīng)用廣泛的電源系統(tǒng)之一，它的高效率是其最為顯著地特點(diǎn)之一。本文將從以下三個(gè)方面進(jìn)行介紹：什么是DC電源模塊、DC電源模塊的工作原理以及DC電源模塊的高效率特點(diǎn)。
2023-08-22 13:24:09450 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
大功率同步LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)方案高效率96%溫度低
方案產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)特點(diǎn)
寬輸入電壓范圍：4V～40V
可設(shè)定電流范圍：10mA～3600mA
固定工作頻率：130KHZ
對(duì)其他設(shè)備的 EMI 抗干擾
2023-08-18 12:05:56
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)中心節(jié)約多達(dá) 700 萬美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330 
概述
OC 6701 是一款高效率、高精度的升
壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)控制芯片。
OC6701 內(nèi)置高精度誤差放大器， 固
定關(guān)斷時(shí)間控制電路，恒流驅(qū)動(dòng)電路等，
特別適合大功率、 多個(gè)高亮度
2023-07-29 14:17:04
工程師不斷面臨著提高效率，同時(shí)降低成本、減小尺寸和電磁干擾 (EMI) 的壓力。因此，有必要采用既滿足客戶需求、同時(shí)具有高效率，低成本且易于集成的EMI整改技術(shù)。本文我們將通過案例分析來分享整改
2023-07-20 09:20:05906 
功率密度計(jì)算解決方案實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn)，而且在實(shí)驗(yàn)室測試和大批量客戶應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個(gè)
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍(lán)光播放器的光盤激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率，實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
概述
OC4000 是一款內(nèi)置 100V 功率 MOS的寬輸入輸出電壓范圍的高精度、高效率的升降壓型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)控制芯片。OC4000 采用電流模閉環(huán)控制方式，可實(shí)現(xiàn)高精度的恒流驅(qū)動(dòng)
2023-06-13 10:24:29
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識(shí)別和壽命評(píng)估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
除了被廣泛應(yīng)用的高效率，小尺寸單路輸出供電之外，我們近期配合客戶利于CUS600M電源為基礎(chǔ)平臺(tái)，輔助TDK-Lambda高效率大電流輸出模塊電源產(chǎn)品，并利用CUS600M內(nèi)建有趣而實(shí)用的功能來實(shí)現(xiàn)醫(yī)療等級(jí)的高效率，高可靠性和長壽命設(shè)計(jì)的ATX供電方案。
2023-06-07 18:17:13804 
、顯示等領(lǐng)域。 2. 激光器：氮化鎵可制成激光器器件，用于通信、材料加工等領(lǐng)域。 3. 太陽能電池：氮化鎵可用于制造高效率的太陽能電池。 4. 無線通訊：氮化鎵的高頻特性使其成為高速無線通訊的理想材料。 5. 集成電路：氮化鎵可制成高性能的微波射頻
2023-06-02 15:34:467174 這種切換式DC/DC功率轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率并減少開關(guān)損耗，使其更適用于高功率和高效率應(yīng)用。在電源領(lǐng)域的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，包含:高端消費(fèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)電源管理以及電動(dòng)車相關(guān)充電系統(tǒng)等。
2023-05-25 11:25:26644 其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型
2023-05-15 10:47:11947 
同步降壓-升壓控制器用途廣泛且效率高。它們可通過單個(gè)電感器產(chǎn)生高功率作為升壓和降壓，從而使電源設(shè)計(jì)保持簡單。通常，高功率應(yīng)用中的降壓-升壓控制器以標(biāo)準(zhǔn)或低開關(guān)頻率工作，這樣可以最大限度地提高效率
2023-05-01 12:14:00659 
產(chǎn)品概述 AP8660B是一款微小型、高效率、升壓型 DC/DC 調(diào)整器。電路由電流模COT 控制環(huán)路，誤差放大器，斜坡補(bǔ)償電路，比較器和功率開關(guān)等模塊組成。該芯片可在較寬負(fù)載范圍內(nèi)高效穩(wěn)定的工作
2023-04-14 11:15:18231 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 PCB加工如何實(shí)現(xiàn)高精度和高效率的鉆孔呢？有哪些方法和步驟呢？
2023-04-11 14:50:58
OC5138 是一款內(nèi)置 90V 功率 MOS高效率、高精度的開關(guān)降壓型大功率 LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。OC5138 采用固定頻率的 PWM 工作模式，典型工作頻率為 140KHz。OC5138 采用
2023-04-07 16:57:52
概述OC6701B 是一款高效率、高精度的升壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動(dòng)控制芯片。OC6701B 內(nèi)置高精度誤差放大器，固定關(guān)斷時(shí)間控制電路，恒流驅(qū)動(dòng)電路等，特別適合大功率、多個(gè)高亮度 LED 燈串
2023-04-07 16:45:17
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 高效率恒流限流白光LED驅(qū)動(dòng)
2023-03-28 14:32:31
自氮化鎵進(jìn)軍快充市場以來，不過短短幾年時(shí)間，其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半的前提下，提升3倍的充電速度， 迅速
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
降壓轉(zhuǎn)換器（降壓轉(zhuǎn)換器）是一種DC-DC 開關(guān)轉(zhuǎn)換器，可在保持恒定功率平衡的同時(shí)降低電壓。降壓轉(zhuǎn)換器的主要特點(diǎn)是效率，這意味著板載降壓轉(zhuǎn)換器可以延長電池壽命、減少熱量、減小尺寸并提高效率。
2023-03-28 09:06:311962
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