安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可為電動汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。
2024-03-21 09:59:25
279 Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿。
2024-03-01 09:53:53163 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脈沖射頻連續(xù)波下工作。該款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-27 16:48:34
產(chǎn)品概述： DK87XXAD 是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的 AC-DC 功率開關(guān)芯片。 DK87XXAD 能夠在較大的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管 ZVS，副邊整流管 ZCS
2024-01-26 16:19:08
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:14511 相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下，普通充電器主要依賴于硅材料。這些區(qū)別使得氮化鎵充電器
2024-01-10 10:01:53524 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 。 一、電子設(shè)備領(lǐng)域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術(shù)在功率放大器的應(yīng)用中具有重要的意義。相比傳統(tǒng)的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達(dá)、無線電和太赫
2024-01-09 18:06:36293 2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)，可為電動汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統(tǒng) (ESS) 提供雙向充電功能。
2024-01-08 18:04:37464 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor
2024-01-03 15:17:33125 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅(qū)動芯片廣泛應(yīng)用于功率電子
2023-12-27 14:43:23529 來了解一下氮化鎵開關(guān)管的基本結(jié)構(gòu)。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導(dǎo)體材料組成，這些材料具有優(yōu)異的電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓、高頻率和高功率的開關(guān)操作。而四個電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關(guān)管的控制電極，通過
2023-12-27 14:39:18356 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場強(qiáng)度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強(qiáng)度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:29267 Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
這是一個電壓倍增電路。該電路采用倍增器原理來倍增電壓。該電路具有一些優(yōu)點(diǎn)，例如低電流供應(yīng)、光電倍增管和陰極射線管所需的有吸引力的高電壓。除此之外，該電路價格便宜。
2023-12-14 14:35:19470 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵（GaN）功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。
2023-11-28 08:31:54170 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為17
2023-11-24 11:05:11822 雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應(yīng)用，它能應(yīng)用于各種汽車系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預(yù)計，它會對汽車工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人擔(dān)心
2023-11-21 16:15:271663 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計。
2023-10-11 15:33:30311 
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
是什么因素導(dǎo)致充電器充電效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制
2023-09-20 16:07:23386 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342680 
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計。
2023-09-07 06:49:47
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-09-01 14:46:04409 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
氮化鎵電源方案功率通常達(dá)到65W、100W、120W等，氮化鎵功率器件生產(chǎn)商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計3C+2A多口輸出。英諾賽科INN650D260A氮化
2023-08-08 21:28:181273 
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
電機(jī)逆變器功率開關(guān)的比較電機(jī)逆變器:三相拓?fù)?IGBT:行業(yè)“主力”開關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
包含關(guān)鍵的驅(qū)動、邏輯、保護(hù)和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
QPA3350 產(chǎn)品簡介Qorvo 的QPA3350 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該部件采用 GaAs/GaN 芯片，工作頻率范圍為 45 MHz 至 1003 MHz。它提供
2023-05-23 13:34:45
QPA3340 產(chǎn)品簡介Qorvo 的QPA3340 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該部件采用 GaAs/GaN 芯片，工作頻率范圍為 45 MHz 至 1003 MHz。它提供
2023-05-23 13:28:07
QPA3248產(chǎn)品簡介Qorvo 的QPA3248 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該部件采用 GaAs/GaN 芯片，工作頻率范圍為 45 MHz 至 1003 MHz。它提供出色的線性度和卓越
2023-05-23 12:32:30
UPA2680T1E 數(shù)據(jù)表
2023-05-04 19:01:34
0 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 愛美雅）將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國內(nèi)通信龍頭及國內(nèi)一線零售品牌建立了合作關(guān)系，未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入65W及45W以下的多口充電需求。
2023-04-11 16:21:36557 
RFCM4363產(chǎn)品簡介Qorvo 的 RFCM4363 是一款推挽放大器 SMD 模塊。該部件采用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，工作頻率范圍為
2023-04-11 14:51:32
IC PWR DOUBLER 1GHZ MCM9X8
2023-04-06 20:16:29
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨(dú)立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
2023-03-31 12:44:271882 CPF2680R00FKE14
2023-03-28 14:26:37
在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強(qiáng)器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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