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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

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三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊

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新思科技數(shù)字和模擬 EDA 流程經(jīng)過(guò)認(rèn)證和優(yōu)化,針對(duì)Intel 18A工藝實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積目標(biāo)
2024-03-05 17:23:44237

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Cadence數(shù)字和定制/模擬流程通過(guò)Intel 18A工藝技術(shù)認(rèn)證

Cadence近日宣布,其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過(guò)認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作,并提
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英特爾發(fā)力18A工藝節(jié)點(diǎn),力圖超越三星躍升全球第二大晶圓代工廠

該美大型芯片廠商正在積極推廣旗下Intel 18A(1.8nm級(jí))工藝節(jié)點(diǎn),并出示多種惠及客戶的策略;近期,英特爾進(jìn)一步發(fā)布新的Intel 14A(1.4nm級(jí))工藝節(jié)點(diǎn),宣布采用該節(jié)點(diǎn)制造的芯片預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn);
2024-02-26 14:40:56381

無(wú)意發(fā)展至10nm以下,第二梯隊(duì)晶圓代工廠的成熟工藝現(xiàn)狀

梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前,我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出,以及即將到來(lái)的2nm,成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化,分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598

三星3nm良率 0%!

來(lái)源:EETOP,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道,表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
2024-02-04 09:31:13310

三星與高通續(xù)簽合作,Galaxy S25 Ultra將搭載驍龍8 Gen 4

全球范圍內(nèi),GalaxyS25 Ultra將繼續(xù)采用高通驍龍8 Gen 4處理器。據(jù)悉,該處理器搭載了高通自研CPU架構(gòu)NUVIA/ORYON及先進(jìn)的3nm制造工藝,以提升計(jì)算效能。
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蘋果將成為首個(gè)采用其最新2nm工藝的客戶

2nm工藝是臺(tái)積電采用的革新性GAA(Gate-All-Around)技術(shù),在相同功耗下相比當(dāng)前最先進(jìn)的N3E工藝,速度提升10%至15%,或在相同速度下功耗降低25%至30%。這一突破將大大提升蘋果設(shè)備的性能,并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。
2024-01-26 15:51:50208

蘋果將搶先采用臺(tái)積電2nm工藝,實(shí)現(xiàn)技術(shù)獨(dú)享

例如,盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個(gè)月,A17 Pro仍在使用臺(tái)積電專有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報(bào)告,這一趨勢(shì)似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202

讀寫性能提高40%!江波龍F(tuán)ORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規(guī)格

,F(xiàn)ORESEE XP2200系列PCIe SSD推出M.2 2280規(guī)格,產(chǎn)品搭載 主流232層3D TLC閃存顆粒 ,并采用基于 12nm工藝的4通道高性能主控芯片 ,支持HMB主機(jī)高速緩沖技術(shù),能夠
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FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規(guī)格

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2024-01-19 08:19:47234

如何選擇合適的本地緩存?

小編最近在使用系統(tǒng)的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)盡管應(yīng)用已經(jīng)使用了 redis 緩存提高查詢效率,但是仍然有進(jìn)一步優(yōu)化的空間,于是想到了比分布式緩存性能更好的本地緩存,因此對(duì)領(lǐng)域內(nèi)常用的本地緩存進(jìn)行了一番調(diào)研,有早期
2024-01-18 11:19:07478

臺(tái)積電第二代3nm工藝產(chǎn)能頗受客戶歡迎,預(yù)計(jì)今年月產(chǎn)量達(dá)10萬(wàn)片

據(jù)悉,臺(tái)積電自2022年12月份起開始量產(chǎn)3nm工藝,然而由于成本考量,第一代3納米工藝僅由蘋果使用。其他如聯(lián)發(fā)科、高通等公司則選擇了4nm工藝。
2024-01-05 10:13:06193

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433

臺(tái)積電3nm工藝預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)量達(dá)80%

據(jù)悉,2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝(稱為N3E)有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后,臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型,吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279

Intel 14代酷睿非K系列型號(hào)即將發(fā)布

首批六款K系列型號(hào)之后,Intel將在2024年1月7日,也就是大戰(zhàn)期間,正式解禁14代酷睿的非K系列型號(hào)。
2023-12-28 10:56:34639

ADXL313如何消除重力影響?

想問(wèn)一下ADXL313這款芯片沒(méi)有重力影響消除的方法或裝置呢?因?yàn)槲覀兎旁谖矬w上監(jiān)測(cè)的時(shí)候不是垂直放置的,我們要放到隔水管進(jìn)行監(jiān)測(cè),傳感器會(huì)跟著隔水管一起下放,下放的時(shí)候會(huì)有一定的傾斜,而這個(gè)初始
2023-12-27 06:06:10

Redis緩存預(yù)熱+緩存雪崩+緩存擊穿+緩存穿透要點(diǎn)簡(jiǎn)析

緩存預(yù)熱就是系統(tǒng)上線后,提前將相關(guān)的緩存數(shù)據(jù)直接加載到緩存系統(tǒng)。
2023-12-25 09:41:02250

英特爾20A、18A工藝流片,臺(tái)積電面臨挑戰(zhàn)

英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片,意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799

臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191

今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn);消息稱字節(jié)跳動(dòng)將取消下一代 VR 頭顯

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2023-12-14 11:16:00733

一文詳解芯片的7nm工藝

芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到,但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢?讓我們一起來(lái)看看吧!
2023-12-07 11:45:311594

2nm意味著什么?2nm何時(shí)到來(lái)?它與3nm有何不同?

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2023-12-06 09:09:55693

mybatis一級(jí)緩存和二級(jí)緩存的原理

MyBatis是一種輕量級(jí)的持久化框架,它提供了一級(jí)緩存和二級(jí)緩存的機(jī)制來(lái)優(yōu)化數(shù)據(jù)庫(kù)操作性能。一級(jí)緩存是默認(rèn)開啟的,而二級(jí)緩存需要手動(dòng)配置啟用。 一、一級(jí)緩存 1.1 緩存生命周期 一級(jí)緩存存在于
2023-12-03 11:55:11438

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今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳,接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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2023-11-23 18:13:02579

今日看點(diǎn)丨消息稱英偉達(dá) RTX 50 顯卡采用臺(tái)積電 3nm 工藝;起亞稱不放棄中國(guó)市場(chǎng),正與百度研發(fā)車機(jī)系統(tǒng)

1. 消息稱英偉達(dá) RTX 50 顯卡采用臺(tái)積電 3nm 工藝 ? 據(jù)報(bào)道,英偉達(dá) RTX 50 系列顯卡所采用的 GB200 系列 GPU 將采用臺(tái)積電 3nm 工藝。 ? 據(jù)此前相關(guān)媒體報(bào)道
2023-11-20 11:05:44632

詳細(xì)解讀7nm制程,看半導(dǎo)體巨頭如何拼了老命為摩爾定律延壽

Tick-Tock,是Intel的芯片技術(shù)發(fā)展的戰(zhàn)略模式,在半導(dǎo)體工藝和核心架構(gòu)這兩條道路上交替提升。半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也有類似的形式存在,在14nm/16nm節(jié)點(diǎn)之前,半導(dǎo)體工藝在相當(dāng)長(zhǎng)的歷史時(shí)期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963

全球首顆3nm電腦來(lái)了!蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代

前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝,而M3系列芯片的發(fā)布,標(biāo)志著蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),可制造極小的晶體管,一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310

三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的,這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基,接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上,都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279

如何保證緩存一致性

“ 本文的參考文章是2022年HOT 34上Intel Rob Blakenship關(guān)于CXL緩存一致性的一篇介紹?!?/div>
2023-10-19 17:42:27447

2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片手機(jī)有哪些

2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道,因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布,將推出下一代先進(jìn)工藝制程
2023-10-19 17:06:18799

2nm芯片是什么意思 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)

2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片,制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958

今日看點(diǎn)丨首次采用EUV技術(shù)!英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn);佳能開始銷售 5nm 芯片生產(chǎn)設(shè)備

1. 傳蘋果確認(rèn)iPhone 16 系列將采用臺(tái)積電第二代3nm 工藝N3E ? 蘋果近日確認(rèn)iPhone 16系列將采用臺(tái)積電第二代3nm工藝N3E。據(jù)悉,蘋果在 iPhone 15 Pro
2023-10-16 10:57:46507

2nm芯片工藝有望破冰嗎?

芯片2nm
億佰特物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用專家發(fā)布于 2023-10-11 14:52:41

如何使用緩存

緩存技術(shù)被認(rèn)為是減輕服務(wù)器負(fù)載、降低網(wǎng)絡(luò)擁塞、增強(qiáng)Web可擴(kuò)展性的有效途徑之一,其基本思想是利用客戶訪問(wèn)的時(shí)間局部性(Temproral Locality)原理, 將客戶訪問(wèn)過(guò)的內(nèi)容在Cache
2023-10-08 14:07:17300

本地緩存的技術(shù)實(shí)踐

一、摘要 說(shuō)到緩存,面試官基本上會(huì)繞不開以下幾個(gè)話題! 項(xiàng)目中哪些地方用到了緩存?為什么要使用緩存?怎么使用它的?引入緩存后會(huì)帶來(lái)哪些問(wèn)題? 這些問(wèn)題,基本上是互聯(lián)網(wǎng)公司面試時(shí)必問(wèn)的一些問(wèn)題,如果
2023-09-30 15:29:00338

什么是3nm工藝芯片?3nm工藝芯片意味著什么?

的大部分時(shí)間里,用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸(以納米為單位)或最小線寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434477

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01CW24x系列串行EEPROM具有低引腳數(shù)、高可靠性、多種存儲(chǔ)容量用于靈活的參數(shù)管理和小代碼存儲(chǔ),滿足穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存、低功耗和空 02間受限的需要 03采用華虹95nm最先進(jìn)工藝,晶圓CP測(cè)試
2023-09-15 08:22:26

ST25TV芯片系列介紹

意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標(biāo)簽,使消費(fèi)者能夠體驗(yàn)數(shù)字化生活。嵌入EEPROM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度范圍從512位到64 Kb不等,可覆蓋各種應(yīng)用,包括品牌保護(hù)和門禁控制。 ST25TV系列提供最先進(jìn)的RF性能以及強(qiáng)大的保護(hù)功能,例如block lock機(jī)制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12

升級(jí)版PCIe 5.0 SSD深度評(píng)測(cè)解析

為了提升SSD的性能,HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本次測(cè)試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存(編號(hào)為H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士
2023-09-12 11:01:54481

cpu處理器參數(shù)怎么看

的架構(gòu),常見的有x86和x64。 指令集:如SSE、AVX等,用于拓展CPU的功能。 微架構(gòu):如NetBurst、K10等,表示CPU內(nèi)部的具體實(shí)現(xiàn)。 制造工藝:如22nm、14nm等,表示CPU制造過(guò)程中的最小尺寸。 查看CPU處理器參數(shù)可以通過(guò)Intel官網(wǎng)或CPU-Z等工具實(shí)現(xiàn)。
2023-09-05 16:42:49

MySQL服務(wù)器優(yōu)化LSI MegaRAID CacheCade Pro 2.0讀寫緩存軟件和固態(tài)硬盤(SSD)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MySQL服務(wù)器優(yōu)化LSI MegaRAID CacheCade Pro 2.0讀寫緩存軟件和固態(tài)硬盤(SSD).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-21 14:19:000

cpu緩存的作用及原理是什么

CPU高速緩存集成于CPU的內(nèi)部,其是CPU可以高效運(yùn)行的成分之一,本文圍繞下面三個(gè)話題來(lái)講解CPU緩存的作用
2023-08-21 12:17:35793

全志h313和全志h618的區(qū)別

全志h313和全志h618的區(qū)別 全志科技是一家成立于2007年的中國(guó)半導(dǎo)體公司,專注于嵌入式應(yīng)用處理器和智能可穿戴技術(shù)的開發(fā)。全志h313和全志h618都是全志科技推出的嵌入式應(yīng)用處理器,它們之間
2023-08-16 10:58:144295

全志h618和h313參數(shù)對(duì)比

全志h618和h313參數(shù)對(duì)比 全志h618和h313是兩款流行的芯片,它們都是全志科技公司開發(fā)的。h618是一款高性能處理器,通常用于高端移動(dòng)設(shè)備和虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品。相比之下,h313則是一款入門級(jí)
2023-08-16 10:58:116845

Intel Raptor Lake-S產(chǎn)品介紹

Raptor Lake-S采用和前代相同的Intel 7工藝打造,小核心同為Gracemont架構(gòu),核顯相對(duì)于12代并未迭代,接口仍為L(zhǎng)GA1700,同樣支持DDR4/DDR5內(nèi)存以及PCIe5.0,兼容600系及700系列主板。
2023-08-09 15:51:302160

蘋果拒絕為3nm工藝缺陷買單 臺(tái)積電3nm按良率收費(fèi)!

根據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款,該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用!
2023-08-08 15:59:27780

Intel4工藝太難了!酷睿Ultra終于突破5GHz

無(wú)論是14nm還是10nm,Intel這些年的新工藝都有一個(gè)通性:剛誕生的時(shí)候性能平平,高頻率都上不去,只能用于筆記本移動(dòng)端(分別對(duì)應(yīng)5代酷睿、10代酷睿),后期才不斷成熟,比如到了13代酷睿就達(dá)到史無(wú)前例的6GHz。
2023-08-07 09:55:57734

SSD20X USB攝像頭使用

本文主要介紹基于PurplePiR1演示如何配置USB攝像頭,此方法適用于SSD201/202全系列產(chǎn)品。PurplePiR1主板,是基于SigmaStarSSD201SoC(ARMCortexA7
2023-08-04 08:39:17650

Intel自曝:3nm工藝良率、性能簡(jiǎn)直完美!

Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝,也就是之前的7nm,但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平,所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561

工藝制程是什么意思 7nm5nm是什么意思

如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸,會(huì)遇到兩個(gè)阻礙,首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙,其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是,隨著特征尺寸縮小,由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大,導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15710

芯片工藝的"7nm" 、"5nm"到底指什么?

近幾年,芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱,一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么,"7nm" 、"5nm"又是指什么?
2023-07-28 17:34:335639

ADXL313WACPZ-RL7是一款速度計(jì)

ADXL313是一款小而薄的低功耗3軸加速度計(jì),分辨率高(13位),測(cè)量范圍達(dá)±4 g。數(shù)字輸出數(shù)據(jù)為16位二進(jìn)制補(bǔ)碼格式,可通過(guò)串行端口接口(SPI)(3線或4線)或I2C數(shù)字接口訪問(wèn)
2023-07-20 15:22:24

157.157、緩存 緩存使用 本地鎖在分布下的問(wèn)題

緩存
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-07-18 04:44:59

英特爾全新16nm制程工藝有何優(yōu)勢(shì)

英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后,將向三方開放芯片制造加工服務(wù),可能是為了吸引客戶,英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757

Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

3nm 時(shí)代來(lái)臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:20406

HT313丨20W單聲道D類音頻功放

HT313是一款高效D類音頻功率放大器。在12V供電的單聲道模式下,THD+N = 1%, 能夠持續(xù)提供23W/2 ?功率輸出。 HT313具有先進(jìn)的擴(kuò)頻功能來(lái)抑制EMI,使用價(jià)格低廉且小體積鐵氧體
2023-07-03 14:16:53452

MAX313LESE+ - (Maxim Integrated) - 接口 - 模擬開關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX313LESE+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有MAX313LESE+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,MAX313LESE+真值表,MAX313LESE+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-06-28 18:45:03

MAX313CSE+ - (Maxim Integrated) - 接口 - 模擬開關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器

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2023-06-27 18:55:02

自3月以來(lái) SSD價(jià)格已下降25%

高容量SSD變得越來(lái)越便宜
2023-06-26 17:08:13442

MAX313LCPE+ - (Maxim Integrated) - 接口 - 模擬開關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器

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2023-06-25 18:55:37

臺(tái)積電的3nm工藝價(jià)格為每片19150美元

盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布,但第15代酷睿(代號(hào)Arrow Lake)已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列,并使用臺(tái)積電的3nm工藝,預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100

求分享NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)

跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31

【視頻】紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板

紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片,掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28

【視頻】盤古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古22K開發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開發(fā)板

【視頻】盤古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古22K開發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片(Logos系列: PGL22G-MBG324),掛載
2023-06-12 17:38:43

聊聊本地緩存和分布式緩存

本地緩存 :應(yīng)用中的緩存組件,緩存組件和應(yīng)用在同一進(jìn)程中,緩存的讀寫非???,沒(méi)有網(wǎng)絡(luò)開銷。但各應(yīng)用或集群的各節(jié)點(diǎn)都需要維護(hù)自己的單獨(dú)緩存,無(wú)法共享緩存。
2023-06-11 15:12:21556

rv1126 rtsp流延時(shí)問(wèn)題

目前需要使用1126 rtsp流,有沒(méi)有什么方向能夠減少直播過(guò)程中的延時(shí)
2023-06-08 16:40:51

揭秘半導(dǎo)體制程:8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰(zhàn)

在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí),我們經(jīng)常會(huì)聽到兩個(gè)概念:晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420

Crucial英睿達(dá)T700第五代SSD,采用232層TLC NAND

Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND,順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s,速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍,專為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設(shè)計(jì)。
2023-06-01 15:01:44369

請(qǐng)問(wèn)SPC5644的wafer有多少nm?

SPC5644的wafer有多少nm
2023-05-25 08:46:07

Intel 4工藝14代酷睿將升級(jí)全新的CPU/GPU架構(gòu)

14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝,每次首秀都不太順利,頻率和性能不達(dá)標(biāo),只能用于移動(dòng)版,優(yōu)化個(gè)一兩年才能上桌面,然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985

Caffeine教程緩存介紹

緩存(Cache)在代碼世界中無(wú)處不在。從底層的CPU多級(jí)緩存,到客戶端的頁(yè)面緩存,處處都存在著緩存的身影。緩存從本質(zhì)上來(lái)說(shuō),是一種空間換時(shí)間的手段,通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行一定的空間安排,使得下次進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)起到加速的效果。
2023-05-22 11:01:14637

Cadence 發(fā)布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。在后摩爾時(shí)代的趨勢(shì)下,F(xiàn)inFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進(jìn)一步縮小,進(jìn)一步采用系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)(SiP)。通過(guò)
2023-05-19 16:25:12784

Cadence發(fā)布面向TSMC 3nm工藝的112G-ELR SerDes IP展示

3nm 時(shí)代來(lái)臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675

Intel推出全新工藝節(jié)點(diǎn),或?qū)⑦~入2nm時(shí)代

Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會(huì)上,首次展示PowerVia技術(shù)。有關(guān)信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管等全新技術(shù)。
2023-05-10 15:07:51345

1064nm TO8、TO31系列,四象限硅光電二極管

1064nm四象限硅光電二極管 TO金屬封裝(TO8S、TO8Si 、TO1032i、TO1081i ) 四象限光電二極管是分立元器件,由小間隙隔開四個(gè)有效探測(cè)區(qū)域組成。 該系列光電二極管可用于諸多
2023-05-09 17:10:53

505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw

1300NM 金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座,在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接,外引線通過(guò)金屬-玻璃(或陶瓷)組裝工藝穿過(guò)金屬外殼,將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07

如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透等問(wèn)題

今天給大家介紹一下如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透、緩存擊穿、緩存雪崩的問(wèn)題。
2023-04-28 11:35:19495

45nm工藝直躍2nm工藝,日本芯片工藝憑什么?

搞定2nm工藝需要至少3方面的突破,一個(gè)是技術(shù),一個(gè)是資金,一個(gè)是市場(chǎng),在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作,后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝,但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別,距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507

SSD2828QL9

SSD2828QL9
2023-03-29 21:57:42

SSD2828QN4R

SSD2828QN4R
2023-03-29 21:53:56

SSD2543QN4

SSD2543QN4
2023-03-29 21:46:17

SSD2829QL9

SSD2829QL9
2023-03-29 21:46:17

SSD6250QN4R

SSD6250QN4R
2023-03-29 21:46:17

SSD1963QL9

SSD1963QL9
2023-03-29 17:59:13

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