電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過壓保護(hù)和阻斷場效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 11:19:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:38:190 柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
222 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車應(yīng)用中用于高頻CPU內(nèi)核功率的同步降壓場效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動器TPS51604-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:08:470 據(jù)麥姆斯咨詢報道，德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）中。
2024-03-11 09:34:31152 
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54829 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態(tài)電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也稱為功率MOS場效應(yīng)晶體管。
2024-02-21 16:25:23516 
場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17514 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān)，實現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41545 
是設(shè)計成功的關(guān)鍵。 為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設(shè)計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動汽車（EV）而設(shè)計，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:29163 。
在測試實際電機時，我們遇到的電感浪涌電流超過了 MosFET 的脈沖額定值。
微TLE9853QX
場效應(yīng)晶體管IAUA250N04S6N005
2024-01-29 07:41:55
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強型場效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-19 13:39:580 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達(dá)到平衡。此時場效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因為此時電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應(yīng)管的理解，如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負(fù)載，此時場效應(yīng)管可以看做是一個互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)。
2023-12-29 09:58:11727 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SDA09T N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:19:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:14:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-12-22 11:32:470 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44353 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管）是一種場效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，MOSFET 是數(shù)字和模擬電路中最常見的晶體管類型。
2023-12-04 15:11:15407 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
2023-11-24 16:54:18632 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 最先進(jìn)的計算機處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革，即從鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）轉(zhuǎn)變到納米片（nanosheet）。
2023-10-12 18:09:13228 根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
2023-09-25 08:17:54422 
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。 一、場效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05644 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細(xì)
2023-08-25 15:29:343026 根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。
2023-08-23 10:05:13793 
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。
2023-08-18 16:01:28591 
）
場效應(yīng)晶體管
因此，這是理想的，因為它們不會干擾它們所連接的原始電路功率元件。它們不會導(dǎo)致電源負(fù)載下降。FET 的缺點是它們無法提供與雙極晶體管相同的放大效果。
雙極晶體管的優(yōu)勢在于它們提供了更大的放大能力
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進(jìn)展，并重點介紹了場效應(yīng)晶體管在化學(xué)和生化分析器件開發(fā)中的潛在應(yīng)用。
2023-07-28 10:23:32227 
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
2023-07-23 17:12:20468 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管
2023-07-07 18:41:520 功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
氮化鎵器件于2010年3月開始進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，激光雷達(dá)是第一種應(yīng)用能夠發(fā)揮氮化鎵晶體管的高速開關(guān)和小尺寸優(yōu)勢，以實現(xiàn)最高性能，成為“殺手級應(yīng)用”。緊隨其后，是用于高密度計算的48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-06-25 14:17:47
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
和信號，一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-08 14:05:12
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
采用兩個標(biāo)準(zhǔn)的雙平衡混頻器單元和一個90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90°混合器。
2023-05-24 12:52:51562 正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測
2023-05-24 10:35:15229 
柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。
2023-05-17 15:23:134370 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:374157 
場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏?？刂茩M向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081509 
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23693 可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力場效應(yīng)晶體管種
2023-05-01 18:36:131102 
MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。
2023-04-24 16:51:291512 
共源雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增強模式
場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:26
場效應(yīng)晶體管 2個N溝道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 15:17:35
N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:33:20
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:37
n通道增強模場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:03
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:42
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:22
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-24 15:07:16
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-24 13:56:30
每個晶體管的兩個p-n結(jié)提供了電荷流動的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導(dǎo)通。
2023-03-24 10:58:255426 場效應(yīng)晶體管硅N通道結(jié)型
2023-03-24 10:04:49
場效應(yīng)晶體管硅N溝道結(jié)型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
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