超導(dǎo)場效應(yīng)管（Superconducting Field Effect Transistor，SFET）是一種新型的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了超導(dǎo)電性和晶體管的場效應(yīng)特性，提供了低噪聲、低功耗和高速等優(yōu)異特性。
2024-03-06 16:23:39
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，由于有導(dǎo)體存在，產(chǎn)生的電阻將會轉(zhuǎn)化為熱量。所以，導(dǎo)通電阻是場效應(yīng)管發(fā)熱的主要原因之一。 2. 開關(guān)頻率發(fā)熱：逆變器是通過高頻開關(guān)來控制電路的，為了控制高頻開關(guān)的開關(guān)速度，場效應(yīng)管必須具備快速開關(guān)速度的特點。在頻繁開
2024-03-06 15:17:20185 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
是設(shè)計成功的關(guān)鍵。 為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設(shè)計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置，常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中，場效應(yīng)管（MOSFET）是逆變器中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)開關(guān)直流電，實現(xiàn)直流電的變換
2024-01-31 17:17:01423 1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導(dǎo)電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
舉例而言，一個結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負(fù)載，此時場效應(yīng)管可以看做是一個互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
替代原有場效應(yīng)管的替代品。本文將詳細(xì)比較分析2586場效應(yīng)管和3205場效應(yīng)管兩種常見型號的特性和性能，以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應(yīng)管的介紹 2586場效應(yīng)管是一種常見的N溝道MOS場效應(yīng)管型號，廣泛用于低功率放大器、電源電路和數(shù)字邏輯
2024-01-15 15:49:57317 采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
： 電源管理和變換器 GaN芯片主要用于電源管理和變換器領(lǐng)域，用于提供高效能的能源轉(zhuǎn)換，例如從交流到直流的轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)電源、電動車輛充電器和太陽能逆變器等。由于GaN芯片具有高電子遷移率和高電流密度能力，它們能夠提供更高
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:14511 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用
2023-12-28 14:53:31471 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅(qū)動芯片廣泛應(yīng)用于功率電子
2023-12-27 14:43:23529 場效應(yīng)管兩端并二極管有什么用處? 場效應(yīng)管和二極管是電子器件中常見的兩類元件，它們在電路設(shè)計和應(yīng)用中有著重要的作用。 一、場效應(yīng)管的原理、結(jié)構(gòu)和特點 場效應(yīng)管是半導(dǎo)體元件中的一種，其工作原理基于電場
2023-12-21 11:27:16430 場效應(yīng)管是一種常用的電子元件，其特點是控制端電流小、輸入電阻高、功耗低等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。場效應(yīng)管的放大電路可以分為三種接法，包括共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。本文將詳盡、詳實
2023-12-20 10:45:02806 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP
芯片是一種功率砷化
鎵場效應(yīng)管，設(shè)計用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?/div>
2023-12-19 12:00:45
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。
2023-12-15 18:11:44204 
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
如圖：這個N溝道場效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
2023-11-24 16:54:18632 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 鎵充電器的原理及優(yōu)點。 一、氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器主要是利用氮化鎵半導(dǎo)體材料的高頻特性，實現(xiàn)高效、快速、安全的無線充電。它由兩個主要部件組成：一個無線發(fā)射器和一個無線接收器。 無線發(fā)射器 無線發(fā)射器由電
2023-11-24 10:57:461244 
Transistor，簡稱IGBT）是兩種常見的功率管件。它們在應(yīng)用領(lǐng)域、結(jié)構(gòu)、工作原理、特點以及性能參數(shù)等方面有著一些區(qū)別。以下是對這兩種管件逐一進(jìn)行詳盡、詳實、細(xì)致的比較解釋。 1. 應(yīng)用領(lǐng)域的區(qū)別： 場效應(yīng)管主要應(yīng)用于低功率放大、開關(guān)電路以及射頻和微波領(lǐng)域。由于它具有高輸出阻抗和低輸入電流，適用于高頻電
2023-11-22 16:51:143242 來滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們在許多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，例如電力轉(zhuǎn)換器、無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性較為特殊，普通的驅(qū)動芯片往
2023-11-22 16:27:58854 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個電極？場效應(yīng)管可以算是三極管嗎？ 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種使用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。它由源極（source）、柵極
2023-11-21 16:05:231292 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理.zip》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 14:45:56
3 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521226 
如何簡單判斷一個場效應(yīng)管的好壞？ 場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判斷一個場效應(yīng)管的好壞，需要考慮其性能參數(shù)、制造
2023-11-17 11:41:30690 MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系？對于初學(xué)者來說，這兩個名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:05756 
場效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進(jìn)行評估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55022 B類標(biāo)準(zhǔn)）要求。
2023-10-16 14:32:451139 
場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
2023-09-25 08:17:54422 
通信理論為基礎(chǔ)，以數(shù)字信號處理為核心，以微電子技術(shù)為支撐的新的無線電通信體系結(jié)構(gòu)，是數(shù)字無線電的高級形式。首先介紹了軟件無線電的理論基礎(chǔ)，即帶通采樣理論，多速率處理信號技術(shù)，高效信號濾波，數(shù)字正交變換
2023-09-22 07:54:47
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。 一、場效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512222 場效應(yīng)管怎么測量好壞? 場效應(yīng)管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設(shè)計中，場效應(yīng)管的主要作用是作為放大器和開關(guān)來使用。場效應(yīng)管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:243310 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場效應(yīng)管的原理與作用 場效應(yīng)管在電路中起什么作用？? 場效應(yīng)管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個半導(dǎo)體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動，被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開關(guān)控制。 場效應(yīng)
2023-09-02 11:31:132852 場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176875 場效應(yīng)管常用驅(qū)動芯片有哪些？ 場效應(yīng)管（FET）是一種可以控制電流的半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛的一種器件。在這種器件中，輸入電壓可以控制輸出電流的大小，因此可以應(yīng)用在很多電子電路中。而為
2023-08-25 15:47:392608 工作原理 場效應(yīng)管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場效應(yīng)管的原理是利用電場控制載流子濃度，其主要特點是輸入電阻大，高頻特性好。場效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381547 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。
2023-08-18 16:01:28591 
結(jié)型場效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應(yīng)管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295254 
無線電視系統(tǒng)的設(shè)計依賴于一些關(guān)鍵的技術(shù)和構(gòu)建模塊。FPGA技術(shù)可以在無線電視應(yīng)用中發(fā)揮重要作用
2023-07-10 16:58:56246 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路，帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管（Field Effect
2023-06-29 09:21:342017 
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管（ Field Effect
2023-06-28 08:39:283644 
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
efficiency
65.3%
71.8%
表1：基于Si和氮化鎵器件逆變器的系統(tǒng)的效率比較。扭矩和速度用傳感器測量。
表1展示出當(dāng)基于硅器件的 20 kHz 逆變器轉(zhuǎn)為采用氮化鎵器件的100 kHz 逆變器
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
還記得，數(shù)年前，第一次在民用層面大量出現(xiàn)無線充電的時候，我們大部分人都被這樣的“黑科技”所震驚。 時至今日，從前只能在科幻電影中看到的場景，都在逐一成為現(xiàn)實，而無線電源、無線充電等應(yīng)用早已進(jìn)入我們家
2023-06-20 10:50:03347 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片，對應(yīng)兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
、設(shè)計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
包含關(guān)鍵的驅(qū)動、邏輯、保護(hù)和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
無線電技術(shù)不斷發(fā)展，以應(yīng)對通信挑戰(zhàn)。例如，UHF信號作現(xiàn)場的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減?，F(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電通過使用多進(jìn)多出（MIMO）方法克服了這一挑戰(zhàn)，將單個信號分成幾個占用更高帶寬的信號。
2023-05-20 16:53:42611 
場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081509 
、磁性材料廠商如何應(yīng)對及未來第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢和難點。 編者按： 以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料可使得器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場景。氮化鎵的特性成為超高頻器件的極佳選擇，主要應(yīng)用在服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心、
2023-05-08 15:43:35504 
可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力場效應(yīng)晶體管種
2023-05-01 18:36:131102 
場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。就其性能而言，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計合理，采用場效應(yīng)管會明顯提升整體性能。兩者對比如下表。
2023-04-17 11:53:131411 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強(qiáng)器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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