JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導通上升時間的低25毫歐電阻單通道負載開關。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 在
2024-03-18 14:30:27
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節(jié)器等關鍵應用的開關電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36
255 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。
2024-03-07 11:43:21233 
如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 “功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應對高功率應用而被設計出來的一種電感產品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-27 22:02:07
0 ：** P-Channel- **額定電壓（Vds）：** -60V- **額定電流（Id）：** -38A- **導通電阻（RDS(ON)）：** 61mΩ @ V
2024-02-19 16:02:15
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應對高功率應用而被設計出來的一種電感產品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩(wěn)定的電阻
2024-02-19 09:25:13299 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產品中應用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結構和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飛凌推出業(yè)內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應用于實驗室和工業(yè)控制領域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392759 55Kw6級電機空轉時有用功無用功大約為多少。功率因數為多少？
2023-12-14 07:00:44
選電纜時是按有用功選還是按視在功率選啊?
2023-12-13 08:04:13
電機銘牌的功率是有用功還是視在功率呀？
2023-12-12 07:24:40
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢是向著更高開關頻率和更低導通電阻發(fā)展，因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs
2023-12-04 16:10:051481 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 功率放大器是一種用于放大電流或電壓的重要設備，廣泛應用于音頻、通信、無線電和電力等領域。正確地使用功率放大器可以確保其正常工作并獲得滿意的性能。下面西安安泰將介紹使用功率放大器的一般步驟和注意事項
2023-11-14 11:54:59359 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設備中都有廣泛的應用，例如電源、驅動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應管的晶體管，其主要功能是根據輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
羅姆半導體推出了雙 MOSFET，該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，使其適用于驅動通信基站和工業(yè)設備中的風扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關。0.5Ω（典型值）超低導通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應用于音頻領域。
2023-10-18 09:21:40786 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現(xiàn)已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
AS7202是一種次級側同步整流器回程轉換器。它集成了超低導通狀態(tài)電阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二極管的高效率。AS7202支持高側和低側應用。AS7202內置高壓電源的VDD電容器
2023-10-17 17:53:58
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
在任一瞬間，電阻中的電流瞬時值與同一瞬間電阻兩端電壓的瞬時值的乘積，稱為電阻獲取的瞬時功率，用P R 表示，即: P R =u R i=(U~Rm~sinωt)^2^/R 由于瞬時功率時刻變動，不便計算，因而通常都是計算一個周期內取用功率的平均值，即平均功率
2023-09-15 16:12:531420 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superp&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術在越來越多領域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
隨著現(xiàn)代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數,將助您的設計實現(xiàn)更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
MC100ES6535 數據表
2023-07-14 11:28:050 IP6535是一款集成同步開關的降壓轉換器，支持多種輸出快充協(xié)議，為車載充電器、快充適配器以及智能排插等產品提供了完整的解決方案。該芯片內置功率MOS，輸入電壓范圍為5.2V到32V，輸出電壓范圍
2023-07-13 11:50:160 。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導通電阻具有正溫度系數，有利于并聯(lián)器件時的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書
PTS4842采用溝槽加工技術設計，實現(xiàn)極低的導通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結合在一起，使這種設計成為一種適用于各種DC-DC應用的高效可靠的設備。
2023-06-14 16:55:480 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
今天給大家分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》。
2023-06-01 09:27:29860 
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
?！皩?b class="flag-6" style="color: red">通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。
2023-04-13 16:02:34941 并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
MC100ES6535 數據表
2023-04-04 18:35:060 中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
2023-03-29 14:06:09
MOSFETNCH300V19AD2PAK
2023-03-29 10:48:54
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
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MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
2023-03-29 10:43:48
R6535ENZ4C13
2023-03-28 14:46:50
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工商網監(jiān)
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