晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
一般晶體管所指晶體管即半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極管是電路中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
晶體管與晶閘管的區(qū)別
?。?）晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
?。?）晶閘管又叫可控硅，有陽極、陰極和控制極，其內有四層PNPN半導體，三個PN結?？刂茦O不加電壓時，陽極（+）、陰極（-）間加正向電壓不導通，陰極（+）、陽極（-）間加反向電壓也不導通，分別稱為正向阻斷和反向阻斷。陽極（+）、陰極（-）加正向電壓，控制極（+）、陰極（-）加一電壓觸發(fā)，可控硅導導通，此時控制極去除觸發(fā)電壓，可控硅仍導通，稱為觸發(fā)導通。要想關斷（不導通），只要電流小于維持電流就行了，去除正向電壓也能關斷。
單結晶體管和晶閘管的識別檢測
［1］ 單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。
?。?］ 單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。
?。?］ 單結晶體管的主要參數有：① 分壓比η，指單結晶體管發(fā)射極E至第一基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。② 峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與第一基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③ 谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與第一基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做谷點電流IV。
?。?］ 單結晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E、第一基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。
?。?］ 單結晶體管最重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發(fā)射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導致發(fā)射極與第一基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。
［6］ 檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋，檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。
?。?］ 檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。
［8］ 測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。
?。?］ 單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，第一基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈REC ln［1/（1-η）］，式中，ln為自然對數，即以e（2.718）為底的對數。
［10］ 單結晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調光臺燈電路。在交流電的每半周內，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導通，調節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現了調光的目的。
?。?1］ 晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。
［12］ 晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。
?。?3］ 晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。
?。?4］ 晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般二極管單向導電的整流作用，而且可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結構，形成三個PN結，具有三個外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時，VT1、VT2相繼迅速導通，此時即使去掉控制極電壓，管子仍維持導通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向導通，因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極，而稱之為主電極T1、T2。
［15］ 檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。
［16］ 檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。
［17］ 檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。
?。?8］ 晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關速度快等優(yōu)點，在無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面得到廣泛的應用。圖示為晶閘管無觸點開關控制的報警器電路，當探頭檢測到異常情況時，輸出一正脈沖至控制極G，晶閘管VS導通使報警器報警，直至有關人員到場并切斷開關S才停止報警。
［19］ 雙向晶閘管可以用作交流調壓器。圖示電路中，RP、R和C組成充放電回路，C上電壓作為雙向晶閘管VS的觸發(fā)電壓。調節(jié)RP可改變C的充電時間，也就改變了VS的導通角，達到交流調壓的目的。
?。?0］ 普通晶閘管導通后控制極即不起作用，要關斷必須切斷電源，使流過晶閘管的正向電流小于維持電流?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷，當控制極G加上正脈沖電壓時晶閘管導通，當控制極G加上負脈沖電壓時晶閘管關斷。
