隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng)，并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:18
1809 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 對 MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量， 無論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此，MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影響由 MOS- FET 柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)器功耗。
2018-04-28 09:11:0612542 
英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08748 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點(diǎn)LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
ID-VGS的溫度特性一致。另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性，因此可除以系數(shù)，根據(jù)VGS(th)的變化量計(jì)算溫度上升。關(guān)鍵要點(diǎn):?使MOSFET導(dǎo)通的電壓稱為“柵極閾值
2019-05-02 09:41:04
NCP51530AMNTWG
2023-03-28 13:11:17
NCP51530BMNTWG
2023-03-29 21:53:48
描述：NCP302045MNTWG在一個(gè)封裝中集成了 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè) MOSFET 和低壓側(cè) MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉(zhuǎn)換器
2022-02-10 13:07:46
描述：NCP302155MNTWG是一款集成了MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高?側(cè)面MOSFET而且很低?將側(cè)邊MOSFET封裝成單個(gè)封裝。驅(qū)動(dòng)器和MOSFET已經(jīng)過優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)高性能?現(xiàn)在的直流?直流降壓
2021-07-14 19:55:16
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供兩個(gè)輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
同時(shí)施加一個(gè)信號(hào)，則兩個(gè)通道輸出的時(shí)間延遲是延遲匹配數(shù)值。延遲匹配數(shù)值越小，柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)的性能越好。延遲匹配有兩個(gè)主要好處：· 確保同時(shí)驅(qū)動(dòng)的并聯(lián)MOSFET具有最小的導(dǎo)通延遲差?！?簡化了柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
LED驅(qū)動(dòng)器NCP5602資料下載內(nèi)容主要介紹了：NCP5602功能和特性NCP5602引腳功能NCP5602內(nèi)部方框圖NCP5602典型應(yīng)用電路
2021-03-31 07:42:20
安裝，靈活性和成本效益使Si8751成為各種隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。 Si8751評(píng)估板允許設(shè)計(jì)人員評(píng)估Si8751系列MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2020-06-08 12:07:42
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
，使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是，由于柵極驅(qū)動(dòng)器IC的諸多優(yōu)勢及其附加特性，它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
簡介NCP4305是NCP4303/4的升級(jí)版，支持高達(dá)1 MHz的工作頻率，提供大電流門驅(qū)動(dòng)器及高速邏輯電路，用于為同步整流MOSFET提供時(shí)序恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)信號(hào)。由于其新穎的架構(gòu)，能在任何工作模式下使
2019-06-17 05:00:09
顯示了IGBT的理想導(dǎo)通特性以及針對不同類型驅(qū)動(dòng)器的相應(yīng)柵極電流。在整篇文章中，僅考慮開啟特性?！ 。ˋ） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)公司提供 ?。˙） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 （C
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負(fù)電壓的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
、時(shí)序特性更精確，與光耦合器相比，具有速度優(yōu)勢。在圖3中，采用的是一個(gè)脈沖變壓器，其工作速度可以達(dá)到半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用通常所需的水平(最高1 MHz)。柵極驅(qū)動(dòng)器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
求助，使用ncp1652做的驅(qū)動(dòng)器，不知道用什么仿真
2013-05-14 21:50:20
NCP4303B采用無鉛8引腳SOIC封裝,門驅(qū)動(dòng)鉗位電壓為6V，門驅(qū)動(dòng)鉗位電壓為6 V。為全功能同步整流控制器及驅(qū)動(dòng)器集成電路。用于為同步整流MOSFET提供時(shí)序恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)信號(hào)。典型值40 ns
2021-04-19 07:11:34
如果一個(gè)特殊的功率器件需要正負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)，電路設(shè)計(jì)人員無需特別尋找可進(jìn)行雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用一個(gè)簡單的技巧，就可以使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓！
2019-08-06 06:08:24
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
安森美半導(dǎo)體的NCP51530是700 V高低邊驅(qū)動(dòng)器，用于AC-DC電源和逆變器，提供高頻工作下同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和開關(guān)電流。NCP51530具有行業(yè)最低的電平漂移損耗，使電源能在高頻
2020-10-28 09:07:43
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器？考慮一個(gè)具有微控制器的數(shù)字邏輯系統(tǒng)，其I/O引腳之一上可以輸出一個(gè)0 V至5 V的PWM信號(hào)。這種PWM將不足以使電源系統(tǒng)中使用的功率器件完全導(dǎo)通，因?yàn)槠溥^驅(qū)電壓一般超過標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。如此，請大神分析下面兩種方式：
2018-08-29 15:33:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的
2010-06-11 15:23:20
212 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
當(dāng)今多種模式風(fēng)頭技術(shù)和鬼片支撐并存，而且技術(shù)進(jìn)步越來越快，要根據(jù)MOSFET的電壓/電流或管芯吃困，對如何將MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配進(jìn)行了一般說明。 本筆記詳細(xì)討論與MOSFET柵
2011-03-31 16:29:21142 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 觀看視頻系列，“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視，但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉！該視頻系列說明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理，并重點(diǎn)介紹
2017-04-26 15:18:383420 
的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 TI公司的DRV8305-Q1是三相馬達(dá)驅(qū)動(dòng)用的柵極驅(qū)動(dòng)器,提供三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊N溝MOSFET;電荷泵驅(qū)動(dòng)器支持100%占空比.器件滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),4.4-V
2018-04-27 06:17:008876 
ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078 視頻簡介：在本視頻中，您將了解NCP1568的主要優(yōu)勢，并觀看演示，使用相應(yīng)的高速半橋驅(qū)動(dòng)器NCP51530和次級(jí)端同步整流器NCP4305。
2019-03-14 06:02:005807 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
安森美半導(dǎo)體的NCP51530是700 V高低邊驅(qū)動(dòng)器，用于AC-DC電源和逆變器，提供高頻工作下同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和開關(guān)電流。NCP51530具有行業(yè)最低的電平漂移損耗，使電源能在高頻
2019-06-02 09:28:084137 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NCP51530相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有NCP51530的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，NCP51530真值表，NCP51530管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-31 01:02:17
Important Characteristics of Insulated Gate Drivers隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性Thomas
2019-09-29 13:47:303445 
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3021 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 NCP302155AMNTWG 柵極驅(qū)動(dòng)器（31-PQFN）
2022-05-14 14:19:45726 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)（如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器），并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí)，其柵極不應(yīng)直接連接在一起，而應(yīng)將柵極電阻分別施加到每個(gè)柵極。
2022-10-19 10:03:241017 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功耗和散熱考慮分析
2022-11-15 20:16:281 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391004 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526261 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02378 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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