日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器,其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 麥瑞半導體公司(Micrel Inc.)(納斯達克股票代碼:MCRL)今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動器MIC5019,該器件是為在高邊開關(guān)應(yīng)用中開關(guān)N溝道增強型MOSFET設(shè)計的。
2012-12-13 10:21:141496 近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 MIC4414YFT EV,MIC4414評估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動器,設(shè)計用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了:LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好,我正在尋找這兩個MOSFET的驅(qū)動器IC,F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生,為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
為正時,它充當增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地,漏極連接到負載,當柵極施加正電壓時,F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計的過程中,選擇N管還是P管,要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
請問下各位大佬,凌力爾特LTC4020芯片CSOUT無輸出是什么原因,能充電,且CSP/CSN有差值,之前出現(xiàn)過小電流充電,后來確認受到干擾,增加電容濾波后能大電流充電。
2023-10-08 11:42:45
凌力爾特公司的成就如何?
2019-09-11 07:28:31
采訪凌力爾特公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Bob Dobkin- 成績單
2019-08-22 13:34:38
全功能控制器的一種替代方案,并提供了適合多相從屬設(shè)計的基本功能。其峰值電流模式架構(gòu)能實現(xiàn)準確的相位間均流,強大的內(nèi)置1.1Ω全N 溝道柵極驅(qū)動器最大限度地減少了MOSFET開關(guān)損耗?! ∧壳?,采用28引線4mm x 5mm QFN封裝的LTC3870已提供現(xiàn)貨。
2018-09-27 15:33:15
導讀:據(jù)報道,凌力爾特公司近日新推一款同步降壓型從屬控制器--LTC3874.該器件具備電流模式控制功能,無需任何檢測電阻器,便能夠最大限度地提高轉(zhuǎn)換器效率并增加功率密度?! ?jù)悉
2018-11-30 16:36:29
工程師展示了其中的設(shè)計細節(jié)、設(shè)計理論、高水平解決方案等,是成功設(shè)計電路的重要參考?!赌M電路設(shè)計手冊:應(yīng)用及解決方案指南叢書》由凌力爾特公司首席技術(shù)官Bob Dobkin與模擬電路大師Jim
2017-12-01 17:41:23
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
樣片,大家搞電子的都應(yīng)該知道是什么,在這里分享下申請凌力爾特(Linear)樣片的過程,希望對大家有用,同時也敬告大家要合理
2012-11-08 15:53:34
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
,高端導通電阻和外部串聯(lián)電阻EXT 構(gòu)成充電路徑中的柵極電阻,低端導通電阻和 REXT 構(gòu)成放電路徑中的柵極電阻。圖4.具有MOSFET輸出級和功率器件作為電容的柵極驅(qū)動器的RC電路模型RDS
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅(qū)動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計與柵極驅(qū)動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
電排序。 特點和優(yōu)點: l2線步驟和方向接口l對于N溝道MOSFET雙路全橋柵極驅(qū)動器l工作在12~50V的電源電壓范圍。l同步整流。l交叉?zhèn)鲗ПWo。l可調(diào)混合衰減。l集成的DAC正弦電流參考。l固定關(guān)斷時間PWM電流控制。l增強型低電流控制。l引腳與A3986兼容。應(yīng)用電路圖:
2019-10-28 14:00:50
180度?! ?b class="flag-6" style="color: red">高端驅(qū)動器 高端驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動浮動低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動器在3nF負載下有20ns的上升和下降時間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動上下功率而設(shè)計的驅(qū)動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓撲。這些驅(qū)動程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
導讀:日前,凌力爾特公司(簡稱“Linear”)新推出一款寬電壓范圍同步降壓型DC/DC控制器--LT3840.此器件具備強大的內(nèi)置柵極驅(qū)動器,其電流模式架構(gòu)提供了簡單的環(huán)路補償、快速瞬態(tài)響應(yīng)
2018-09-27 15:19:03
導讀:據(jù)報道,Linear(凌力爾特公司)日前宣布推出一款全新的理想二極管橋控制器--LT4321.該器件用低功耗 N 溝道MOSFET橋取代了兩個二極管橋式整流器?! ∪涨?,Linear(凌力
2018-09-28 16:07:28
NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù),以確保正確驅(qū)動高端電源開關(guān)。該驅(qū)動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
的優(yōu)點包括以下幾點內(nèi)容:設(shè)計非常簡單,因此適用于空間受限的地方,例如低壓驅(qū)動器和非隔離POL應(yīng)用。這是高端開關(guān)位置內(nèi)的簡化柵極驅(qū)動方法,可以降低總體成本。在低電壓下工作時,MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動
2018-03-03 13:58:23
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
什么是MOSFET驅(qū)動器?MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動上下功率而設(shè)計的驅(qū)動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓撲。這些驅(qū)動程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
通過,F(xiàn)ET也會耗散功率。)換言之,目標便是降低系統(tǒng)內(nèi)需要高頻率功率轉(zhuǎn)化的開關(guān)過渡時間。突出該類性能的柵極驅(qū)動器規(guī)格為上升和下降時間。參見圖1。圖1:典型的上升和下降時間圖 如果您想更進一步,諸如延時匹配等柵極驅(qū)動器特性…
2022-11-14 06:52:10
LTC1155雙高端柵極驅(qū)動器的典型應(yīng)用允許使用低成本N溝道FET用于高端開關(guān)應(yīng)用
2020-04-16 10:14:10
可以用凌力爾特的芯片做基準電壓源嗎?比如說LT1963這種
2016-07-17 20:06:55
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號,比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動器。請問mosfet驅(qū)動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的?有能達到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動器嗎?`
2018-04-11 23:31:46
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴展板上使用的IC驅(qū)動器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅(qū)動器。 L6398柵極驅(qū)動器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機的高電流功率平臺,基于STM32 Nucleo板的數(shù)字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
輸入閾值對于邏輯“一”大于2.2 V,對于邏輯“零”小于1.0 V。為了抑制噪聲和高頻干擾,在具有1 V遲滯施密特觸發(fā)器緩沖器的接收器上使用匹配良好的全差分架構(gòu)。這允許在MOSFET作為柵極驅(qū)動器負載
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
闡述這些設(shè)計理念,以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,通過低輸出阻抗降低導通損耗,同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?! 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極,由此來控制
2018-09-26 09:57:10
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2:用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
減小元件尺寸,從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化,其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
與 Power Block、DrMOS 等外部功率鏈器件及分立式 N 溝道 MOSFET 和有關(guān)柵極驅(qū)動器一起工作?! TC3774 主要是用于 mΩ 以下檢測的電流模式雙輸出降壓型 DC/DC 控制器,低至
2018-11-29 11:22:35
請問一下大神有VN05N柵極驅(qū)動器的替代品嗎?
2022-12-21 07:08:20
如題,請問哪位大神有凌力特爾LT8705芯片各管腳的具體定義(各管腳是干嘛用的),能發(fā)一份給我嗎?謝謝
2015-11-06 17:31:48
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
影響邊沿速率。如圖4所示,高端導通電阻和外部串聯(lián)電阻REXT構(gòu)成充電路徑中的柵極電阻,低端導通電阻和REXT構(gòu)成放電路徑中的柵極電阻。圖4. 具有MOSFET輸出級和功率器件作為電容的柵極驅(qū)動器的RC電路
2018-11-01 11:35:35
新年伊始,設(shè)計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我討論了高電流柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管,對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
高頻率變壓器的設(shè)計要點
2009-11-19 11:54:2423 本文講述了一種運用于功率型MOSFET 和IGBT 設(shè)計性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法,適用于高頻率,大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗的電力電子工程師們都能從中獲益
2009-12-03 14:05:33256 MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計本應(yīng)用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20212 MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動器,用于HB LED驅(qū)動器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動器,高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:041653 Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。
2010-02-04 08:40:551260 Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動器,在電源、太陽能逆變器和馬達驅(qū)動電路中,實現(xiàn)超快速的功率MOSFET及 IGBT負載切換
2011-03-25 11:29:471088 東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 。其內(nèi)部充電泵全面增強了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān),從而使該器件能夠保持接通時間無限長。LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲,容易地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-11 09:36:582795 LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲,容易地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:384776 安森美半導體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003247 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因為如MOSFET有個柵極電容,在導通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。
2020-01-29 14:18:0019390 來源:羅姆半導體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因為MOSFET有個柵極電容,在導通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器具有強大的柵極驅(qū)動
2021-03-19 07:15:032 AN53-微功耗高端MOSFET驅(qū)動器
2021-05-09 08:28:406 LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器,再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512408 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 LN8362 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。
2022-06-23 14:20:2611813 MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器,可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達100V的電源電壓來驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對
2022-10-25 09:19:341345 柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514 介紹
在設(shè)計電源開關(guān)系統(tǒng)(例如電機驅(qū)動器或電源)時,設(shè)計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時,有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹,將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34808 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578
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