規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí)，通過這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中，一些參數(shù)的測試條件（也就是得到這些參數(shù)的先決條件）是很關(guān)鍵的。很多時(shí)候，雖然是同一類元件，不同供應(yīng)商的測試條件不同，參數(shù)值也會(huì)有差異。
2023-08-31 10:18:13
466 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，特別是
2010-04-15 09:51:37
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件。六、包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路1）等效電路：2）說明：實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)
2021-08-29 18:34:54
；包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路（1）：等效電路（2）：說明實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小
2021-09-05 07:00:00
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質(zhì)量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠(yuǎn)小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻也遠(yuǎn)大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
影響引發(fā)的全球汽車芯片短缺已持續(xù)了2年多，導(dǎo)致車用MCU一芯難求，給本土MCU企業(yè)營造了良好的新發(fā)展機(jī)遇。值得一提的是，與消費(fèi)類MCU出現(xiàn)庫存積壓情況不同，車規(guī)級(jí)MCU目前仍處于短缺狀態(tài)，業(yè)內(nèi)多家機(jī)構(gòu)
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊車規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級(jí)別的，但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`
2015-10-15 14:22:18
車規(guī)二級(jí)管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對所有汽車電子設(shè)計(jì)有幫助，產(chǎn)品特點(diǎn)：1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級(jí)管： 0402/0603/0805/1206/2010
2018-02-09 15:22:44
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
GW2A 系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))數(shù)據(jù)手冊主要包括高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性概述、產(chǎn)品資源信息、內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹、電氣特性、編程接口時(shí)序以及器件訂貨信息，幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性，有助于器件選型及使用。
2022-09-29 07:47:16
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LED燈功率的大小與安規(guī)電容之間的關(guān)系，安規(guī)電容大，功率就大嗎?
2019-12-16 09:30:05
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
龍迅2023年Q4推出了車規(guī)級(jí)LT9211D_U2Q07CAN，通過AEC-Q100 二級(jí)測試合格。本篇技術(shù)資料為R1.1更新版本，PDF添加TS/TJ和ESD數(shù)據(jù)。LT9211D為目前大陸市場
2024-03-11 22:26:05
編輯-Z場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
控制器件。當(dāng)空穴濃度形成溝道時(shí)，由于負(fù)柵極電壓的增加，整個(gè)溝道的電流得到改善，因此這被稱為 P溝道增強(qiáng)型MOSFET。2、P溝道耗盡型MOSFETP溝道耗盡型MOSFET結(jié)構(gòu)與N溝道耗盡型MOSFET
2022-09-27 08:00:00
IC圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控極性決定了MOSFET的圖形符號(hào)。不同之處在于體二極管和箭頭符號(hào)相對于端子的方向。圖3：P溝道和N溝道MOSFET的原理圖注意體二極管和箭頭相對漏極
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是車規(guī)級(jí)的么？我想要一個(gè)車規(guī)級(jí)的PWM輸出信號(hào)芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
作用導(dǎo)致反向工作時(shí)的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開通過程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級(jí)產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？
2023-03-15 08:24:23
Firefly推出了專門為工業(yè)和汽車領(lǐng)域而打造的RK3588產(chǎn)品系列，除了之前已發(fā)布的核心板系列之外，目前同步推出了以下兩款主板產(chǎn)品：8K AI工業(yè)主板：AIO-3588JQ車規(guī)級(jí)AI主板
2022-10-28 16:39:48
本帖最后由 暗星歸來 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙﹄姵剡M(jìn)行管理，對充電過程和放電過程控制其何時(shí)開始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
車規(guī)級(jí)共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號(hào)噪聲
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線和信號(hào)線的應(yīng)用。此外，信號(hào)線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰來闡述一下什么是車規(guī)級(jí)芯片？`
2019-10-18 10:55:55
`電容會(huì)分成很多種，電解電容、鉭電容等等，那什么是車規(guī)電容？`
2019-09-30 14:46:18
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。2、選取封裝類型功率MOSFET的溝道類型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：（1）溫升和熱
2019-04-04 06:30:00
各位好，有沒有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
的功率損耗。這些功率損耗會(huì)引起發(fā)熱，需要設(shè)計(jì)人員執(zhí)行散熱管理，從而增加系統(tǒng)成本和解決方案尺寸。二極管的另外一個(gè)缺點(diǎn)就是較高的反向泄露電流—最高會(huì)達(dá)到大約1mA。用N溝道MOSFET替換高損耗二極管可以通過
2018-05-30 10:01:53
所示。Q1為放電管，使用
N溝道增強(qiáng)型
MOSFET,實(shí)際的工作中，根據(jù)不同的應(yīng)用，會(huì)使用多個(gè)
功率MOSFET并聯(lián)工作，以減小導(dǎo)通電阻，增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻，LP為電池引線電感?！ ≌９ぷ?/div>
2018-09-30 16:14:38
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級(jí)器件。求推薦
2017-05-12 10:21:28
基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級(jí)充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢？
2021-08-06 06:19:11
PWM輸出信號(hào)芯片類似于PCA9685這種，引腳越多越好，需要是車規(guī)級(jí)。繼電器控制輸出芯片類似于TLE6244X這種，也需要是車規(guī)級(jí)，急需，感謝大家
2021-05-25 15:31:03
使用全橋電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開關(guān)作用的二個(gè)背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。`
2020-03-05 11:00:02
/252T屬性參數(shù)值商品目錄場效應(yīng)管(MOSFET)[/td]類型N溝道漏源電壓(Vdss)650V連續(xù)漏極電流(Id)4A功率(Pd)50W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2
2021-09-09 15:47:31
測試電路(c) Crss測試電路(d) 標(biāo)準(zhǔn)的LCR圖2：寄生電容測試電路功率MOSFET柵極的多晶硅和源極通道區(qū)域的電容決定了這些參數(shù)，其不具有偏向的敏感度，也非常容易重現(xiàn)。溝槽型功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
誰能推薦一些國內(nèi)車規(guī)級(jí)的電子元器件廠商？主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復(fù)位IC、高低邊IC等等，其它的分立元器件也可以推薦，要國產(chǎn)的，謝謝！本人在國內(nèi)一線整車廠上班。
2019-12-04 11:38:53
請問車規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
汽車類電子的客戶首先選擇車規(guī)級(jí)電感廠家看的是什么呢？是規(guī)模嗎？是質(zhì)量嗎？是服務(wù)嗎？都不是，首先看車規(guī)級(jí)電感廠家有沒有TS16949認(rèn)證。為什么汽車類電子客戶首先要求車規(guī)級(jí)電感廠家擁有TS16949
2020-06-22 11:59:24
2023年2月20日，國民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢特性的N32A455系列車規(guī)級(jí)MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國民技術(shù)發(fā)布
2023-02-20 17:44:27
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展，功率MOSFET在開關(guān)變換器中開始廣泛使用，為此美國硅通用半導(dǎo)體公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。其產(chǎn)品一推出就受到廣泛
2010-09-25 16:44:45252 隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:02772 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 ”。它是由金屬、氧化物（SiO2或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET（PowerMOSFET）是指它能輸出較大的工作電流（幾安到幾十安），用于功率輸出級(jí)的器件。功率MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
2023-02-15 15:47:36426 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005293 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
RU2060LN溝道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 驪微電子提供RU2060LN溝道功率MOSFET詳細(xì)手冊及應(yīng)用資料！
2021-11-19 16:02:420 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論