德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1734 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 09:57:19594 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:09580 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039401 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中，采用M1及其衍生的M2技術(shù)平臺(tái)，而這次發(fā)布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:002873 的 SiC MOSFET，可確保高達(dá) 1000V 的更高直流總線(xiàn)電壓和更低的開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn) 99% 的峰值效率。此設(shè)計(jì)可配置為兩級(jí)或三級(jí)逆變器。主要特色額定標(biāo)稱(chēng)輸入電壓/最大輸入電壓：800V/1000VDC
2018-10-29 10:23:06
測(cè)試1200V輸入時(shí)，加十多分鐘后就炸機(jī)了，不是一開(kāi)始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒(méi)燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺(jué)就不太好看了，不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了，沒(méi)法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類(lèi)型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類(lèi)似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無(wú)恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技、意法半導(dǎo)體等國(guó)際大廠(chǎng)，市場(chǎng)占有率合計(jì)超95%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)同樣如此，國(guó)產(chǎn)化率不足5%。與商規(guī)、工規(guī)相比，車(chē)規(guī)級(jí)MCU的要求極為嚴(yán)苛，壽命要達(dá)到15年以上，且要支持-40
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊車(chē)規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒(méi)有車(chē)規(guī)級(jí)別的，但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`
2015-10-15 14:22:18
（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開(kāi)關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
、車(chē)載電源、太陽(yáng)能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線(xiàn)與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
Firefly推出了專(zhuān)門(mén)為工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域而打造的RK3588產(chǎn)品系列，除了之前已發(fā)布的核心板系列之外，目前同步推出了以下兩款主板產(chǎn)品：8K AI工業(yè)主板：AIO-3588JQ車(chē)規(guī)級(jí)AI主板
2022-10-28 16:39:48
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過(guò)它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過(guò)開(kāi)關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來(lái)說(shuō)，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實(shí)際應(yīng)用中需要加強(qiáng)散熱才可以。不過(guò)，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測(cè)試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于
Sic MOSFET的直流
微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
電動(dòng)汽車(chē)充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項(xiàng)目的設(shè)計(jì)。項(xiàng)目計(jì)劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在A(yíng)DS上搭建仿真電路，同時(shí)設(shè)計(jì)SiC管的驅(qū)動(dòng)策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
對(duì)江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科君芯)針對(duì)焊機(jī)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國(guó)外主流器件的參數(shù)比對(duì)、實(shí)際焊機(jī)測(cè)試比對(duì)展開(kāi)討論。1電路拓?fù)涔I(yè)用焊接電源電路拓?fù)溆邪霕蚝腿珮?圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到，SiC MOSFET 的輸出開(kāi)關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線(xiàn)的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開(kāi)關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過(guò)沖。滿(mǎn)足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
車(chē)規(guī)級(jí)共模扼流圈
過(guò)濾汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號(hào)噪聲
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的應(yīng)用。此外，信號(hào)線(xiàn)CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下什么是車(chē)規(guī)級(jí)芯片？`
2019-10-18 10:55:55
、RK3568M、和RK3358M也是瑞芯微即將在車(chē)載電子市場(chǎng)推出的車(chē)規(guī)級(jí)芯片。其中RK3358M已經(jīng)通過(guò)了汽車(chē)行業(yè)的AEC-Q100可靠性認(rèn)證，并已經(jīng)在售。下面是這三款車(chē)規(guī)芯片的簡(jiǎn)單規(guī)格參數(shù)，供大家
2022-08-03 15:45:13
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
不斷壯大，希望PineTab-V能為推動(dòng)RISC-V生態(tài)貢獻(xiàn)更多力量。”JH7110是全球首款量產(chǎn)的高性能RISC-V多媒體處理器，此次成功賦能入門(mén)級(jí)平板電腦，將進(jìn)一步驗(yàn)證RISC-V芯片應(yīng)用于生產(chǎn)力設(shè)備的可行性。
2023-04-14 13:56:10
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
納芯微推出集成LIN總線(xiàn)物理層和小功率MOS管陣列的單芯片車(chē)用小電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）—— NSUC1610。作為單芯片解決方案，NSUC1610支持12V汽車(chē)電池供電，適合于直接控制小型有刷
2023-02-17 14:15:19
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
測(cè)試板?！ ?shí)驗(yàn)結(jié)果： 電流源驅(qū)動(dòng)器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器板均使用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
頻率選擇演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可變直流母線(xiàn)的 OBC 設(shè)計(jì)，用于 250-450V 電池電壓 ［10］。OBC的整體效率得到了優(yōu)化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
的行列中，推出相關(guān)產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤(rùn)微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車(chē)規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相關(guān)產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤(rùn)微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進(jìn)入車(chē)規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動(dòng)NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
結(jié)構(gòu)性缺芯。汽車(chē)芯片，尤其是車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體的缺貨和漲價(jià)仍在持續(xù)。功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)有六家上市公司先后發(fā)布了第三季度財(cái)報(bào)，分別是聞泰科技、時(shí)代電氣、華潤(rùn)微電子、士蘭微、揚(yáng)杰科技、斯達(dá)半導(dǎo)體。 根據(jù)六家
2022-11-23 14:40:42
求可靠的生產(chǎn)廠(chǎng)家，車(chē)規(guī)級(jí)器件。求推薦
2017-05-12 10:21:28
近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車(chē)規(guī)級(jí)MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過(guò)AEC-Q100 (Grade 2)車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車(chē)規(guī)MCU產(chǎn)品
2023-11-30 15:47:01
基于Richtek RTQ7880的車(chē)規(guī)級(jí)充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？
2021-08-06 06:19:11
PWM輸出信號(hào)芯片類(lèi)似于PCA9685這種，引腳越多越好，需要是車(chē)規(guī)級(jí)。繼電器控制輸出芯片類(lèi)似于TLE6244X這種，也需要是車(chē)規(guī)級(jí)，急需，感謝大家
2021-05-25 15:31:03
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
40%。在工業(yè)電子領(lǐng)域，紫光展銳已推出V510、V516，以及面向智能座艙的A7870和面向行業(yè)解決方案的P7885。紫光展銳首度展示三款車(chē)規(guī)級(jí)商用芯片2022年，展銳在汽車(chē)電子領(lǐng)域，也有多款產(chǎn)品量產(chǎn)
2023-02-28 10:00:39
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉(zhuǎn)換器用的準(zhǔn)諧振控制器，是全球首款*專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)SiC-MOSFET而優(yōu)化的IC。（*截至2015/3/25的數(shù)據(jù)）您可能已經(jīng)注意到，開(kāi)關(guān)要使用SiC-MOSFET時(shí)，需要為將
2018-11-27 16:54:24
220x180x50mm方框圖，直流母線(xiàn)電壓和開(kāi)關(guān)頻率選擇圖1顯示了雙向OBC的系統(tǒng)框圖?；?b class="flag-6" style="color: red">1200V SiC MOSFET的OBC設(shè)計(jì)具有500-840V可變直流母線(xiàn)，可用于250-450V電池電壓[10
2019-10-25 10:02:58
請(qǐng)問(wèn)車(chē)規(guī)級(jí)芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
2023年2月20日，國(guó)民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車(chē)規(guī)級(jí)高可靠性等優(yōu)勢(shì)特性的N32A455系列車(chē)規(guī)級(jí)MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車(chē)規(guī)級(jí)EAL5+安全芯片之后，國(guó)民技術(shù)發(fā)布
2023-02-20 17:44:27
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531626 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161339 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498022 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003708 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299081 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024631 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16907 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機(jī)型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221303 
2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332113 
之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39564 
提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20618 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071242 
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44243 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10448 
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:49344 
據(jù)悉，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國(guó)外知名廠(chǎng)商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號(hào)產(chǎn)品已開(kāi)始供應(yīng)市場(chǎng)。另一方面，針對(duì)比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶(hù)，該公司的電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進(jìn)行進(jìn)一步洽談。
2023-12-12 10:41:48256 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:29
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290 深圳市至信微電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會(huì)。此次大會(huì)上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17343 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35371 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30301 近日，瞻芯電子正式推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:32378 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:4962 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-04-17 14:02:49172 
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車(chē)規(guī)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片，該系列產(chǎn)品包含NSD8308（8通道）和NSD8306（6通道）兩款產(chǎn)品，內(nèi)部均集成多通道半橋驅(qū)動(dòng)和N-MOS功率級(jí)，支持
2022-10-27 10:43:07
納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開(kāi)關(guān)芯片，該款芯片是專(zhuān)門(mén)針對(duì)驅(qū)動(dòng)高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)場(chǎng)景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載
2022-10-27 13:42:50
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