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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET

英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET

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Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

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。 三、結(jié)合鷓鴣云系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行推廣 鷓鴣云系統(tǒng)作為一種先進(jìn)的技術(shù),具有高效、穩(wěn)定、環(huán)保等優(yōu)勢(shì)。企業(yè)在推廣過(guò)程中,可以充分結(jié)合這些優(yōu)勢(shì)進(jìn)行宣傳。例如,強(qiáng)調(diào)鷓鴣云系統(tǒng)的高發(fā)電效率,能夠
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型
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英飛凌攜手盛弘電氣共同提升儲(chǔ)能變流器效率

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基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案

適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
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安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片,產(chǎn)能充裕,供應(yīng)穩(wěn)定,性價(jià)比高。
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至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

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2024-01-10 14:42:56190

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,GreenIndustrialPower)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場(chǎng)的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關(guān)鍵產(chǎn)品,一直以來(lái)英飛凌對(duì)SiC產(chǎn)品在多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)付出了諸多
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【分享】逆變器在環(huán)測(cè)試解決方案

逆變器是否符合電網(wǎng)接入要求,以確保發(fā)電系統(tǒng)與電網(wǎng)的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。以下是一些常見的逆變器入網(wǎng)檢測(cè)要點(diǎn):并網(wǎng)檢測(cè):需要驗(yàn)證逆變器是否能夠正確地檢測(cè)電網(wǎng)的狀態(tài),包括電壓、頻率、相位等,并能夠
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國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
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凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
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如何設(shè)計(jì)一種適用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。
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#逆變器 逆變器的分類

芯片元器件逆變器
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英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場(chǎng)

基于碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢(shì),為實(shí)現(xiàn)新應(yīng)用和推進(jìn)充電站技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。近日,英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作
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英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

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【干貨】必讀!電源常用電路—驅(qū)動(dòng)電路詳解

0.5us,輸出電流達(dá)0.5A,可直接驅(qū)動(dòng)50A/1200V以內(nèi)的IGBT。驅(qū)動(dòng)器體積小,價(jià)格便宜,是不帶過(guò)電流保護(hù)的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片中的理想選擇。2)英飛凌1ED020I12-F2芯片 英飛凌公司
2023-10-07 17:00:40

【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用

前言 碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:新能源汽車、5G通訊、發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在
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聯(lián)合SiCFET-Jet計(jì)算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果

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2023-09-20 18:15:01233

CoolSiC? IPM IM828應(yīng)用指導(dǎo)和應(yīng)用案例

英飛凌推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC,這是業(yè)界在這一電壓級(jí)別上的第一款產(chǎn)品。
2023-09-19 14:45:56932

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片,并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中,再次刷新
2023-09-14 08:16:10430

一周新品推薦:ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

DigiKey?Daily? 短視頻 本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品—— ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 產(chǎn)品一: ODU
2023-09-06 20:20:08280

STM32在逆變器以及儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用案例分享

太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)框圖、逆變應(yīng)用分類、微型逆變器框圖、組串逆變器框圖、集中逆變器框圖、家用儲(chǔ)能系統(tǒng)框圖等。
2023-09-05 07:53:29

想做一個(gè)與市電自動(dòng)切換的電路

120-400V;上電時(shí)市電工作檢測(cè)電壓當(dāng)電壓足夠時(shí)繼電器吸合,市電斷開光電壓工作;當(dāng)電壓較低時(shí)繼電器斷開,市電介入通過(guò)同步整流buck給負(fù)載工作;考慮到萬(wàn)一晚上上電,所以繼電器
2023-08-31 20:27:27

華為逆變器SUN2000-100kTL-M2智能控制器

華為逆變器SUN2000-100kTL-M2智能控制器技術(shù)參數(shù):產(chǎn)品型號(hào):SUN2000-100KTL-M2產(chǎn)品名稱:華為逆變器100KW、華為智能控制器、華為并網(wǎng)100KW逆變器
2023-08-29 17:01:25

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)

型號(hào):1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:531477

5KW逆變器-并網(wǎng) 離網(wǎng)逆變電源

沛城科技新品發(fā)布:5KW離/并網(wǎng)逆變電源在效率上,整機(jī)轉(zhuǎn)換效率高達(dá)92% ,使儲(chǔ)能系統(tǒng)效率更穩(wěn)定在設(shè)計(jì)上,整機(jī)功能模塊集成優(yōu)化,電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單可靠在性能上,集成MPPT最優(yōu)跟蹤,
2023-08-25 16:32:12

、儲(chǔ)能一體化監(jiān)控及運(yùn)維解決方案探討

監(jiān)測(cè),以了解電站的運(yùn)行環(huán)境情況。最后,需要對(duì)光電站的累計(jì)發(fā)電量、組件和逆變器的運(yùn)行情況等進(jìn)行檢測(cè)和分析,以便及時(shí)采取相應(yīng)的維護(hù)措施。GB/T 38946-2020《分布式發(fā)電系統(tǒng)集中運(yùn)維技術(shù)規(guī)范
2023-08-22 13:53:44

太陽(yáng)能電池仿真模擬電源-逆變器MPPT測(cè)試

,可以模擬太陽(yáng)能電池板輸出 I-V特性曲線,主要用于逆變器的研發(fā)與生產(chǎn)測(cè)試。內(nèi)置 Sandia,EN50530等標(biāo)準(zhǔn)法規(guī),可測(cè)試逆變器的靜態(tài) MPPT與動(dòng)態(tài) MPPT。設(shè)備自帶的 PV功能僅支持
2023-08-16 11:33:11

電源控制器板

有個(gè)電源控制器板,220V到500V輸入,220V單相輸出,太陽(yáng)能轉(zhuǎn)交流電
2023-08-02 16:33:22

新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號(hào):FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:59584

用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231

國(guó)芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力儲(chǔ)能

儲(chǔ)能系統(tǒng)是利用太陽(yáng)能進(jìn)行儲(chǔ)能發(fā)電的系統(tǒng),其中設(shè)備會(huì)吸收太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成電能,儲(chǔ)能設(shè)備會(huì)將設(shè)備產(chǎn)生的電能進(jìn)行存儲(chǔ),當(dāng)系統(tǒng)電力不足時(shí),儲(chǔ)能系統(tǒng)會(huì)通過(guò)轉(zhuǎn)換,將存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)換為所需的交流電
2023-07-27 10:44:09

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

在此方向上,青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡(jiǎn)稱「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進(jìn)行了器件測(cè)試。
2023-07-19 16:37:301366

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來(lái)十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24277

納芯微全新發(fā)布1200V系列SiC二極管,布局SiC生態(tài)系統(tǒng)

等特性,從而降低了能耗并縮小了系統(tǒng)尺寸。特別是在光伏、儲(chǔ)能、充電和電動(dòng)汽車等高壓大功率應(yīng)用中,碳化硅材料的優(yōu)勢(shì)得以充分發(fā)揮。 納芯微全新推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。 其
2023-07-10 15:45:02324

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

近年來(lái),SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 14:46:47495

使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案

機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過(guò)采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400

英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅(qū)動(dòng)器 IC系列,有源米勒鉗位保護(hù)可提升高功率系統(tǒng)的耐用性

1200 V 絕緣體上硅(SOI)三相柵極驅(qū)動(dòng)器之后,現(xiàn)又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,進(jìn)一步擴(kuò)展其產(chǎn)品組合。該驅(qū)動(dòng)器 IC系列的半橋配置補(bǔ)充了現(xiàn)有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420

1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27636

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07281

如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-05-23 15:09:46385

英飛凌1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)(高達(dá)10kW)。
2023-05-18 16:18:24315

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

UF3C120080B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C120080B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負(fù)載嗎?

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負(fù)載嗎?
2023-05-06 17:37:49

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?與單相的差別是什么?
2023-05-06 16:36:27

英飛凌SiC芯片嵌入PCB提高效率

英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作,將英飛凌1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB),以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開發(fā)SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606

太陽(yáng)能儲(chǔ)能發(fā)電系統(tǒng)有哪些類型?

  太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)分為并網(wǎng)發(fā)電和離網(wǎng)發(fā)電。并網(wǎng)發(fā)電是指太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)與市政電力并網(wǎng),由市政電力調(diào)節(jié)的一種用電方式。離網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)是一種獨(dú)立的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。它不需要與市政當(dāng)局連接。通過(guò)
2023-04-25 16:33:02

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的應(yīng)用有哪些?

不等,為家用電器和照明提供電力。在一些沒有電的偏遠(yuǎn)地區(qū),如高原、島嶼、牧區(qū)和邊境哨所,太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)已成為解決供電問題不可或缺的設(shè)備之一。   工廠太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)   工廠的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)使用工
2023-04-25 16:31:31

2023中國(guó)(青島)國(guó)際太陽(yáng)能及儲(chǔ)能展覽會(huì)

范圍:1、展區(qū)◆組件、電池片、逆變器、匯流箱、控制器、接線盒、晶硅/薄膜材料、支架、追蹤系統(tǒng)、電纜、封裝玻璃、伏生產(chǎn)設(shè)備、運(yùn)維及檢測(cè)系統(tǒng)等配套產(chǎn)品及設(shè)備、路燈、熱水器
2023-04-08 10:36:29

1500Voc三電平中央逆變器的智能解決方案

在中央逆變器應(yīng)用中,基于1200 V IGBT的3電平中性點(diǎn)箝位拓?fù)涫且环N常用方法。然而,考慮到高額定電流、低雜散電感和具有廣泛可用性的標(biāo)準(zhǔn)化外殼的要求,找到合適的功率模塊通常具有挑戰(zhàn)性。因此
2023-04-07 09:32:46

基于Simulink的單相并網(wǎng)控制仿真說(shuō)明

  簡(jiǎn)介  并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)就是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)與常規(guī)電網(wǎng)相連,共同承擔(dān)供電任務(wù)。當(dāng)有陽(yáng)光時(shí),逆變器系統(tǒng)所發(fā)的直流電逆變成正弦交流電,產(chǎn)生的交流電可以直接供給交流負(fù)載,然后將剩余的電能輸入
2023-04-06 15:23:46

發(fā)電,電量不夠如何自動(dòng)切換

最低成本解決板同時(shí)給大小兩組電瓶同時(shí)充電,防止電流倒灌,防止小電瓶過(guò)充問題, 同時(shí)解決電量不夠自動(dòng)切換市電。
2023-03-31 13:36:07

新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7

新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7,TO-247封裝分立器件,旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名
2023-03-31 10:52:07472

FFSH10120ADN-F155

SIC 1200V DIODE
2023-03-27 14:51:05

SIC05120B-BP

1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38

SIC10120PTA-BP

1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46

SIC20120PTA-BP

1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39

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