采用最新一代工藝，提高了電源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices Storage
2022-04-06 17:36:55
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中國(guó)上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
中國(guó)上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
— 采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴(kuò)展的安全工作區(qū) — ? 中國(guó)上海， 2023 年 6 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS
2023-07-03 14:48:14477 
`惠海半導(dǎo)體【MOS管原廠】廠家供應(yīng)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管，低內(nèi)阻，低結(jié)電容小，采用先進(jìn)的溝槽工藝，性能優(yōu)越150V系列：8N15、20N15SOT23-3封裝、SOT223封裝、SOP8封裝
2020-11-12 17:31:13
方案應(yīng)用：森利威爾SL3160 150V耐壓IC替代PN6005、PN6006電源芯片概述SL3160 是一款用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。SL3160 內(nèi)置
2023-02-01 10:00:38
`惠海半導(dǎo)體【MOS管原廠】廠家供應(yīng)n溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管原廠，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉大量現(xiàn)貨量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，低內(nèi)阻，潔電容小，采用先進(jìn)的溝槽工藝，性能優(yōu)越。電弧打火機(jī)專(zhuān)用MOS管 100V
2020-11-11 17:10:06
總體描述：SL3150是一款降壓調(diào)節(jié)器，它提供精確的恒定電壓（CV）無(wú)光藕合器調(diào)節(jié)。它有一個(gè)集成150V MOSFET以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)和降低成本。這些特征使其成為離線低壓的理想調(diào)節(jié)器電源應(yīng)用，如家
2022-05-24 14:52:39
全波輸出，PWM控制，閉環(huán)采樣，軟啟動(dòng)，過(guò)壓，過(guò)流，過(guò)熱保護(hù)，使電源得以穩(wěn)定、可靠、安全地工作。三． 技術(shù)參數(shù)型號(hào):15A/150V 1. 輸入電壓（V）:380V±10%2. 輸入頻率（Hz
2013-08-16 09:51:57
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開(kāi)啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng)，專(zhuān)注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售
2020-09-24 16:34:09
歡迎隨時(shí)咨詢(xún)、留言以及交流學(xué)習(xí)概述 H6201是支持寬電壓輸入的開(kāi)關(guān)降壓型DC-DC 的控制器，高輸入電壓可高達(dá)150V。H6201同 時(shí)支持輸出恒壓和輸出恒流功能。通過(guò)設(shè)置CS電阻可設(shè)置輸出恒流值
2020-04-24 15:42:17
150v/5.0sωMOSFET和電源＜30mW空載功耗固定5V輸出電壓高達(dá)400mA的輸出電流低VCC工作電流頻率折返有限最大頻率內(nèi)部偏置的VCCOTP、uvo、OLP、SCP、開(kāi)放環(huán)應(yīng)用領(lǐng)域儲(chǔ)用功率電動(dòng)自行車(chē)應(yīng)用工業(yè)控制消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品典型電路圖
2022-06-17 10:22:35
一統(tǒng)天下的縱向結(jié)構(gòu)功率MOSFET，也有可能吸納橫向結(jié)構(gòu)而為低壓器件注入新的發(fā)展方向?！ ?2）降低JFET電阻 為降低JFET電阻，很早就采用了一種工藝，即增加所夾溝道中的摻雜濃度，以求減小JFET
2019-06-14 00:37:57
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
自 1980 年代中期以來(lái)，MOSFET 一直是大多數(shù)開(kāi)關(guān)模式電源 （SMPS）中的首選晶體管技術(shù)。MOSFET用作初級(jí)開(kāi)關(guān)晶體管，并在用作門(mén)控整流器時(shí)提高效率。MOSFET 的結(jié)構(gòu)類(lèi)似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門(mén)電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
東芝新一代功率MOSFET產(chǎn)品幫助設(shè)計(jì)者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉(zhuǎn)換器的high side 及l(fā)ow side開(kāi)關(guān)，以及交流-直流設(shè)計(jì)中的二次側(cè)同步整流。此技術(shù)也適合馬達(dá)控制及鋰電池電子設(shè)備中的保護(hù)模組。
2019-08-02 08:07:22
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
和注釋會(huì)讓你一目了然！負(fù)載（Load）的連接方式?jīng)Q定了所選 MOSFET 的類(lèi)型，這是出于對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的考慮。當(dāng)負(fù)載接地時(shí)，采用 P 溝道 MOSFET；當(dāng)負(fù)載連接電源電壓時(shí)，選擇 N 溝道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
MOSFET，應(yīng)用于高頻非隔離的DCDC變換器，以提高系統(tǒng)的效率，降低系統(tǒng)的體積。AOS的AON6240就是采用這種技術(shù)，電壓40V，Rdson=1.6m，廣泛的應(yīng)用于通訊模塊電源的副邊同步整流。溝漕和平
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驅(qū)動(dòng)。對(duì)于一個(gè)橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路，驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-07 11:36:11
浪涌電流性能如表格中的額定值所示，從第二代SiC-SBD的38A提高到了1倍以上，高達(dá)82A。通過(guò)采用JBS結(jié)構(gòu)，并開(kāi)發(fā)最大限度地發(fā)揮抗浪涌性能的工藝與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了抗浪涌電流性能的大幅改善。漏電
2018-12-03 15:11:25
導(dǎo)讀：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式開(kāi)關(guān)電源--CUT75系列產(chǎn)品。CUT75系列新品是伴隨著市場(chǎng)對(duì)更輕薄、更高效率，更高性?xún)r(jià)比的三路輸出開(kāi)關(guān)電源的需求而問(wèn)世，為客戶(hù)系統(tǒng)的小型化
2018-09-27 15:24:27
NXP JN5148-001-M04 Zigbee Pro 模塊 YL-5148N產(chǎn)品概述：YL-5148N 是一款基于NXP/Jennic新一代JN5148 32-bit Zigbee微處理器所
2013-09-06 11:01:39
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽(yáng)極短路IGBT.與最佳競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊缕骷沟肍S IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2018-09-30 16:10:52
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開(kāi)關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱(chēng)ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱(chēng)ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對(duì)管
2011-04-15 11:51:00
行電力特性量測(cè)分析，致茂Chroma6560強(qiáng)編程交流電源電壓150V /300V，電流30A /15A，功率6000V /W。Chroma儀器品類(lèi)：LED電源測(cè)試專(zhuān)用直流電子負(fù)載、直流電子負(fù)載、交
2020-07-25 11:28:36
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無(wú)鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿(mǎn)足
2012-04-28 10:21:32
150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩(wěn)壓：首先，芯片會(huì)接收輸入電壓，這個(gè)電壓可能來(lái)自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
：TO-252溝道：N溝道惠海HC020N03L 特點(diǎn)：高頻率、大電流、低開(kāi)啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過(guò)電流達(dá)、抗沖擊能力強(qiáng)、SGT工藝，開(kāi)關(guān)損耗小應(yīng)用領(lǐng)域：各類(lèi)照明應(yīng)用、太陽(yáng)能電源
2020-10-09 13:53:07
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
概述OC5806L 是一款支持寬電壓輸入的 開(kāi)關(guān)降壓型 DC-DC，芯片內(nèi)置 150V/3A 功率 MOS，最高輸入電壓可超過(guò) 120V。OC5806L 具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋 波、優(yōu)異的母線
2021-12-16 09:39:47
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無(wú)法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿(mǎn)足客戶(hù)的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對(duì)于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開(kāi)發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
。SL3150 功能各種保護(hù)，包括熱保護(hù)關(guān)斷（OTP）、VCC欠壓、閉鎖（UVLO）、過(guò)載保護(hù)（OLP）、短路保護(hù)（SCP）和開(kāi)路環(huán)路保護(hù)。SL3150采用SOP7封裝。特征:初級(jí)側(cè)CV控制寬輸入范圍：15V~150V集成150/5.0ωMOSFET和電源空載功耗
2022-06-02 15:49:13
SL3160
150V/0.8A 開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器
概述
SL3160 是一款用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和自供電功能，可滿(mǎn)足
2023-09-18 14:44:25
。
SL3160150V/0.8A 開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器
概述SL3160 是一款用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。SL3160 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和自供電功能，可滿(mǎn)足快速啟動(dòng)和低待機(jī)功耗要求。具有
2023-11-08 16:09:11
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
`TI新一代5V無(wú)線充電發(fā)射、接收芯片 bq500211、bq51013簡(jiǎn)介 德州儀器推出首款符合 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的 5V 無(wú)線電源發(fā)送器;新一代電源電路促進(jìn) USB 連接無(wú)線充電板普及日前，德州儀器
2013-02-21 10:55:57
作用導(dǎo)致反向工作時(shí)的壓降降低呢？AO4459的一些特性如下：圖2：AO4459的二極管特性圖3：AO4459的傳輸特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在開(kāi)通過(guò)程中溝道形成的臨界
2017-04-06 14:57:20
度提高產(chǎn)品可靠性，是工程測(cè)試機(jī)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)整合得意信賴(lài)的產(chǎn)品 chroma系列為150v與600w，二種電壓規(guī)格，功率范圍為250w與350w，單一臺(tái)的最大電流可達(dá)60a，桌上型的電子負(fù)載小，重量輕，方便
2019-11-01 09:28:06
MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開(kāi)關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開(kāi)關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
`惠海原廠直銷(xiāo)LED汽車(chē)大燈電源、電動(dòng)車(chē)燈電源、摩托車(chē)燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-09-23 11:38:52
`惠海原廠直銷(xiāo)LED汽車(chē)大燈電源、電動(dòng)車(chē)燈電源、摩托車(chē)燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-10-14 15:18:58
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
和注釋會(huì)讓你一目了然！負(fù)載（Load）的連接方式?jīng)Q定了所選 MOSFET 的類(lèi)型，這是出于對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的考慮。當(dāng)負(fù)載接地時(shí)，采用 P 溝道 MOSFET；當(dāng)負(fù)載連接電源電壓時(shí)，選擇 N 溝道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
自1980年代中期以來(lái)，MOSFET一直是大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門(mén)控整流器時(shí)，MOSFET是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P
2021-04-09 09:20:10
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
、加濕器、美容儀等電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用30V 60V 100V 150V系列 SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開(kāi)啟 低結(jié)電容常規(guī)型號(hào)：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
。方案特點(diǎn)和適用范圍：·8-140V工作電壓范圍·4.2V輸出時(shí)最大1A輸出電流，最大可承受開(kāi)關(guān)瞬間2A的電流· 靜態(tài)電流低至1mA以下·輕載重載切換，輸出電壓穩(wěn)定·固定140KHZ開(kāi)關(guān)頻率· 內(nèi)置150V功率MOSFET·效率高達(dá)85％·出色的線性與負(fù)載調(diào)整率· 外圍電路簡(jiǎn)單，PCB可微型化設(shè)計(jì)
2019-11-07 15:34:16
開(kāi)關(guān)瞬間2A的電流· 靜態(tài)電流低至1mA以下·輕載重載切換，輸出電壓穩(wěn)定·固定140KHZ開(kāi)關(guān)頻率· 內(nèi)置150V功率MOSFET·效率高達(dá)85％·出色的線性與負(fù)載調(diào)整率· 外圍電路簡(jiǎn)單，PCB可微型化設(shè)計(jì)
2019-11-11 15:31:39
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
直流5V升壓交流150V怎么來(lái)做,我知道要用變壓器,但是我不知道怎么搭建電路,變壓器要怎么來(lái)做?
2014-12-17 11:58:48
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿(mǎn)足設(shè)計(jì)工
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的內(nèi)置體二極管的性能出眾，可不采用D2至D5二極管，從而大幅提高系統(tǒng)效率。具體如圖10所示。新一代IPD65R660CFD器件的內(nèi)置體二極管的優(yōu)化結(jié)構(gòu)與極低的反向恢復(fù)電荷特性的有機(jī)結(jié)合，還有
2018-12-03 13:43:55
客戶(hù)的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具備高性能、高可靠性和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，ADI公司已決定開(kāi)發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計(jì)平臺(tái)，其既可用于評(píng)估IC，又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建模塊。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目前針對(duì)戰(zhàn)略客戶(hù)而推出，代表了驅(qū)動(dòng)
2018-10-22 17:01:41
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)
2009-08-18 12:00:511176 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 式同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3895，該器件可驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 N 溝道 MOSFET 電源級(jí)。其 4V 至 140V （150V 絕對(duì)最大值） 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作，從而無(wú)需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:383609 ，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:372012 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱(chēng)封裝界的best-in-class級(jí)別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
9 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱(chēng)為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
遠(yuǎn)小，但在某些應(yīng)用領(lǐng)域，P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn)，有其不可替代性，目前驪微電子可提供-30~-150V，-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案，封裝
2022-11-11 16:00:461194 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對(duì)于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 供應(yīng)貼片p溝道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A，提供SVGP15161PL3A供應(yīng)貼片p溝道mos管參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-10-10 16:08:093 EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板，內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開(kāi)關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255
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