本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設計的影響,并且根據(jù)SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點,推薦了金升陽可簡化設計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗,柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002390 由于快速的開關,傳導損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高了系統(tǒng)效率。大功率SIC MOSFET模塊
2021-03-19 16:34:256646 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中,我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求,然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列,進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18:59997 高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45941 高等特點,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開發(fā)與應用方面,實現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導體(Si)實現(xiàn)不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本
2020-09-24 16:23:17
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”)應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?! ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝),而且體
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異,如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET),組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器,就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問:圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
了熱管理,減小了印刷電路板的外形尺寸,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對比在使用SiC MOSFET進行系統(tǒng)設計時,工程師們通常要考慮如何以最優(yōu)方式驅(qū)動(最大
2019-07-09 04:20:19
效率,并實現(xiàn)了全球節(jié)能。事實上,有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年?! 【拖穸兰o八十年代的IGBT革命一樣,今天寬帶隙半導體碳化硅(SiC)再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小(可實現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項,在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項:柵極誤導通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ,高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
。從一開始指定正確的流體系統(tǒng)組件(或稍后根據(jù)操作歷史記錄進行戰(zhàn)略性更改)可節(jié)省大量維護時間,并增加正常工作時間。 簡化設計 此外,選擇完全裝配式流體系統(tǒng)組件(而不是單個元件)也可以提高工廠效率,簡化
2021-01-07 17:43:30
請問:驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
現(xiàn)企業(yè)最不想看到的現(xiàn)象:時間成本、勞動力成本、系統(tǒng)總成本的流失。可是,如果你為您的來工業(yè)系統(tǒng)設計及應用選擇FPGA解決方案,你就可以根據(jù)需要修改你的設計、降低設計的復雜度、大大提高工業(yè)應用的靈活性
2013-10-11 10:43:19
額定擊穿電壓器件中的半導體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市,被公認為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設計障礙是低水平寄生效應,如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
項目名稱:SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃:申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經(jīng)驗,熟悉MOSET各種性能和應用,掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路,整個評估板提供了一個半橋電路,可以支持Buck,Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成,上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V,負載我們設為0.9Ω的阻值,通過下圖來看實際的輸入和輸出情況:圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù),輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
,MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ,我們希望通過使用新型開關管以提高開關頻率,縮小設備體積,提高效率,所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動,望批準!項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
TO-247-4L封裝的SCT3040KR,TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講,最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時,SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理,從而減小了印刷電路板的外形尺寸,并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
MOSFET的功率損耗,實現(xiàn)更快的開關頻率,從而提高效率,增加全新EV車型的行駛里程。同時,TI符合功能安全標準的UCC5870-Q1和UCC5871-Q1 30A 柵極驅(qū)動器提供了大量設計支持工具來幫助簡化設計。
2022-11-03 07:38:51
MOSFET相比,SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達5%采用準諧振方式,可實現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量,可實現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應,很適合工業(yè)設備應用產(chǎn)品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
。準諧振控制軟開關的低EMI工作,突發(fā)模式下的輕負載時低消耗電流工作,具備各種保護功能的最尖端功能組成,且搭載為SiC-MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外,是工業(yè)設備用的產(chǎn)品,因此支持長期供應
2018-12-04 10:11:25
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明,在高負載范圍和低開關速度(《5V/ns)下,SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比,導通損耗降低了26%。在電機驅(qū)動器等應用中,dv/dt 通常限制為 5V/ns,電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
升壓轉(zhuǎn)換器。不幸的是,二極管橋式整流器的傳導損耗效率不高,也不支持雙向操作[5]。接下來,考慮使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器,以減少二極管數(shù)量并提高效率[6],[7]。然而,硅MOSFET體二極管
2023-02-27 09:44:36
,在追求可靠性的過程中,探索提供高效率的拓撲結(jié)構(gòu)和電路元件極其重要?!?b class="flag-6" style="color: red">提高工業(yè)AC/DC電源的可靠性:在我們的參考設計"94.5%效率、500W工業(yè)AC-DC參考設計中了解更多信息。”在我們
2022-11-10 06:26:18
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆:開發(fā)中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合,效率顯著提高< 相關產(chǎn)品信息 >SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
結(jié)果可以看出,由于SiC模塊可高速開關,因此在30kHz的條件下可減少60%的開關損耗?;蛘呖梢哉f,無需增加損耗即可將頻率提高6倍。更低開關損耗和更高速開關的優(yōu)點開關損耗降低可提高效率,并減少
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
的柵極電壓下工作,但輸出特性變化很大,如圖2所示??梢缘贸鼋Y(jié)論,較低的柵極電壓會導致較低的整體系統(tǒng)效率。優(yōu)化SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路以實現(xiàn)具有足夠高柵極電壓的低RDSon,只是優(yōu)化損耗工作量
2023-02-24 15:03:59
阻并提高可靠性。東芝實驗證實,與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1],可將導通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能,降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
–節(jié)能化和小型化,比如有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率,可實現(xiàn)散熱器的小型化,可高頻工作從而實現(xiàn)變壓器和電容器的小型化等。右圖是在AC/DC轉(zhuǎn)換器中SiC-MOSFET與Si-MOSFET的效率比較。如圖所示
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器,以減少二極管數(shù)量并提高效率[6],[7]。但是,硅MOSFET體二極管的反向恢復會導致連續(xù)導通模式(CCM)中的高功率損耗,從而使其不適用于高功率應用。隨后,與SiC
2019-10-25 10:02:58
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節(jié)省了空間,并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力??梢岳闷骷旧淼倪@一特性,在驅(qū)動設計中考慮短路保護功能,提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 本文主要對MES系統(tǒng)如何提高工業(yè)生產(chǎn)力及作用介紹。
2018-06-26 08:00:0026 低和熱導率高等特性。世強代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強,同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點,是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
2020-09-29 10:44:009 近年來,寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性,其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
2020-08-13 15:31:282476 來源:羅姆半導體社區(qū)? 包括服務器電源、不間斷電源(UPS)和電機驅(qū)動器在內(nèi)的工業(yè)應用消耗了世界上很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運營成本。對于兼具更高功率密度和更好
2022-11-29 17:21:22302 推薦七個好用的、可提高工作效率的網(wǎng)站工具
2021-05-05 17:04:002177 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計,而在高開關頻率高功率的應用中,SiC器件優(yōu)勢明顯,這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276630 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 速度較慢,開關損耗較大。SiC MOSFET的高耐壓、高開關速度能有效提升電機驅(qū)動器的功率和效率,但更高的開關速度和更大的功率對驅(qū)動器的快速響應能力和故障快速保護能力提出了更高的要求。此外,舵機控制器
2022-04-29 16:34:103559 到正確的結(jié)論,獲得精準的開關過程波形至關重要。 SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOS
2022-06-02 11:04:062951 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 。據(jù) ST 稱,隨著 SiC 技術(shù)被更廣泛地用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN 簡化了節(jié)能電源系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制器的設計。
2022-08-03 09:47:011355 用于高功率和高頻應用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點包括低導通電阻和更高的開關。SiC MOSFET 允許構(gòu)建具有更高功率密度和更高效率的轉(zhuǎn)換器。然而
2022-08-03 09:40:47826 ,因此對于驅(qū)動器提供高效率水平至關重要。 在工業(yè)電源應用中,電子設計人員可以通過使用基于碳化硅的晶體管 (SiC MOSFET) 獲得巨大的好處,與傳統(tǒng)的基于硅的解決方案(例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管))相比,它提供了顯著的效率改進、
2022-08-04 10:09:30301 現(xiàn)在,在許多使用電動機的應用中,該技術(shù)需要不同的速度。變速驅(qū)動器(VSD)在電機工業(yè)應用中的驅(qū)動效率方面發(fā)揮著重要作用,無論是在設計階段還是在車間。
2022-10-14 16:12:413434 驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關的大門
2023-01-03 09:45:06433 從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 通過驅(qū)動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:102935 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導通的,為了防止HS和LS同時導通,設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737 3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低,但只有驅(qū)動電壓達到18V~20V時才能完全開通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊
2023-02-27 14:41:099 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一,可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT,發(fā)揮其高頻特性,實現(xiàn)電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送,比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063 在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 工業(yè)網(wǎng)關是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中不可或缺的設備,提高工業(yè)網(wǎng)關的數(shù)據(jù)采集、傳輸速度,是保障和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)運營效率的基礎。
2023-08-31 17:50:00455 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過智能設計運行提高工作效率.pdf》資料免費下載
2023-09-14 09:34:210 點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 SiC FET神應用,在各種領域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155 SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新興的功率半導體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應? 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題,涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272
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