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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

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2020-07-20 08:00:006

為何使用SCALE門極驅(qū)動器來驅(qū)動SiC MOSFET?

PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
2020-08-13 15:31:282476

使用SiC提高工業(yè)應用的能源效率(1)

來源:羅姆半導體社區(qū)? 包括服務器電源、不間斷電源(UPS)和電機驅(qū)動器在內(nèi)的工業(yè)應用消耗了世界上很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運營成本。對于兼具更高功率密度和更好
2022-11-29 17:21:22302

推薦七個好用的、可提高工作效率的網(wǎng)站工具

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2021-05-05 17:04:002177

ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830

SiC MOSFET的特性及使用的好處

電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計,而在高開關頻率高功率的應用中,SiC器件優(yōu)勢明顯,這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276630

深入解讀?國產(chǎn)高壓SiC MOSFET及競品分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228

基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動

速度較慢,開關損耗較大。SiC MOSFET的高耐壓、高開關速度能有效提升電機驅(qū)動器的功率和效率,但更高的開關速度和更大的功率對驅(qū)動器的快速響應能力和故障快速保護能力提出了更高的要求。此外,舵機控制器
2022-04-29 16:34:103559

SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

到正確的結(jié)論,獲得精準的開關過程波形至關重要。 SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOS
2022-06-02 11:04:062951

一文深入了解SiC MOSFET柵-源電壓的行為

具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944

橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關斷時的行為

具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114

用于SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

。據(jù) ST 稱,隨著 SiC 技術(shù)被更廣泛地用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN 簡化了節(jié)能電源系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制器的設計。
2022-08-03 09:47:011355

用于改善SiC MOSFET導通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動

用于高功率和高頻應用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點包括低導通電阻和更高的開關。SiC MOSFET 允許構(gòu)建具有更高功率密度和更高效率的轉(zhuǎn)換器。然而
2022-08-03 09:40:47826

工業(yè)驅(qū)動使用SiC MOSFET提高能效

,因此對于驅(qū)動器提供高效率水平至關重要。 在工業(yè)電源應用中,電子設計人員可以通過使用基于碳化硅的晶體管 (SiC MOSFET) 獲得巨大的好處,與傳統(tǒng)的基于硅的解決方案(例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管))相比,它提供了顯著的效率改進、
2022-08-04 10:09:30301

如何使用變速驅(qū)動器(VSD)提高工業(yè)應用中的機器效率

現(xiàn)在,在許多使用電動機的應用中,該技術(shù)需要不同的速度。變速驅(qū)動器(VSD)在電機工業(yè)應用中的驅(qū)動效率方面發(fā)揮著重要作用,無論是在設計階段還是在車間。
2022-10-14 16:12:413434

驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關的大門

驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關的大門
2023-01-03 09:45:06433

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335

SiC MOSFETSiC IGBT的區(qū)別

  在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:102935

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路

下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導通的,為了防止HS和LS同時導通,設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737

SiC MOSFET學習筆記(五)驅(qū)動電源調(diào)研

3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低,但只有驅(qū)動電壓達到18V~20V時才能完全開通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊
2023-02-27 14:41:099

SiC MOSFET學習筆記(三)SiC驅(qū)動方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479

SiC MOSFET學習筆記(四)SiC MOSFET傳統(tǒng)驅(qū)動電路保護

碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一,可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT,發(fā)揮其高頻特性,實現(xiàn)電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028

柵極驅(qū)動器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動

碳化硅(SiCMOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送,比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎設施。
2023-05-22 17:36:411063

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動的方法

在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462

如何提高工業(yè)網(wǎng)關的數(shù)據(jù)傳輸速度?

工業(yè)網(wǎng)關是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中不可或缺的設備,提高工業(yè)網(wǎng)關的數(shù)據(jù)采集、傳輸速度,是保障和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)運營效率的基礎。
2023-08-31 17:50:00455

通過智能設計運行提高工作效率

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通過智能設計運行提高工作效率.pdf》資料免費下載
2023-09-14 09:34:210

如何優(yōu)化SiC柵級驅(qū)動電路?

點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361

SiC FET神應用,在各種領域提高功率轉(zhuǎn)換效率

SiC FET神應用,在各種領域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11155

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439

SIC MOSFET驅(qū)動電路的基本要求

SIC MOSFET驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種新興的功率半導體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417

怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應?

怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應? 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題,涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272

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