DS1685/DS1687為一款實時時鐘(RTC)，設(shè)計作為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DS1285、DS1385、DS1485以及DS1585 PC RTC的替代產(chǎn)品。
2012-10-19 14:04:46
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富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:234212 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險”狀態(tài)，無論是在正常運行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:2610429 
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:218082 STM32處理器內(nèi)部集成了實時時鐘控制器（RTC）,因此在實現(xiàn)實時時鐘功能時，無須外擴時鐘芯片即可構(gòu)建實時時鐘系統(tǒng)。
2023-07-22 15:41:202616 
在同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
有源程序的，HC6800開發(fā)板，研究的自改端口14 RTC實時時鐘(DS1302).zip
2018-06-28 05:19:49
有源程序的，HC6800開發(fā)板，研究的自改端口DS1302電路圖.jpg 14 RTC實時時鐘(DS1302).zip
2018-07-05 01:47:08
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進行隨機讀寫，訪問速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機存取存儲器，是一種可讀/寫存儲器，一般用于計算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計（重點）位擴展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴展（地址串聯(lián)法）【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
藍橋杯單片機比賽系列5實時時鐘RTCRTC原理相關(guān)電路時鐘寄存器代碼解釋修改代碼自寫代碼實現(xiàn)代碼RTC原理相關(guān)電路實時時鐘芯片采用DS1302，需要三個引腳和單片機相連。DS1302有自己的指令協(xié)議
2022-01-17 07:40:19
實時時鐘rtc的工作原理，一 RTC 概述 1.定義：RTC的英文全稱是Real-Time Clock,翻譯過來是實時時鐘芯片。RTC芯片是一種能提供日歷/時鐘（世紀(jì)、年、月、時、分、秒）及數(shù)據(jù)存儲
2021-07-27 08:15:25
合適的器件。本還重點討論了內(nèi)置MEMS諧振器的DS3231M，用于替代晶振方案。 實時時鐘RTC DS323x高精度實時時鐘的功耗考慮DS3231/DS3232通過設(shè)置溫度更新周期，能夠在保持較高時鐘
2014-03-14 11:05:03
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器有多種類型，按其存取特性可分為隨機存取存儲器和只讀存儲器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲器和片外存儲器以及外部存儲設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以單個字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態(tài)隨機
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
【作者】：方潔;陳偉;【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：為避免電路系統(tǒng)在上電或斷電后出現(xiàn)計時不準(zhǔn)確的異常狀況,提出采用高精度時鐘芯片DS3231的解決方案。介紹DS3231的特點
2010-04-24 09:01:26
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
什么是靜態(tài)隨機存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
字節(jié)的靜態(tài)隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調(diào)整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-17 08:30:02
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，包含268435456位。它內(nèi)部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
鐵電存儲器的高精度實時時鐘優(yōu)勢分析
2010-12-11 16:34:27
38 DS3234 高精度、SPI總線RTC，集成晶體和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™總線的實時時鐘(RTC)，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體
2008-11-27 18:01:342659 
第三十一講 隨機存取存儲器
9.3 隨機存取存儲器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
摘要：DS3231/DS3232通過設(shè)置溫度更新周期，能夠在保持較高時鐘精度的同時大大降低器件的電流損耗。
概述隨著DS3231超高精度、I²C*兼容的集成RTC/TCXO/晶振的
2009-04-21 11:20:331186 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
采用DS3231設(shè)計的高精度時鐘接口
DS3231是Maxim／Dallas公司生產(chǎn)的一款低成本、超高精度的I2C實時時鐘
2010-04-20 15:23:413146 
名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592215 DS3231是低成本、高精度I2C實時時鐘(RTC)，具有集成的溫補
2010-11-12 09:17:514211 
DS3231M是低成本、高精度I²C實時時鐘(RTC)。該器件包含電池輸入端，斷開主電源時仍可保持精確計時。集成微機電
2010-12-02 09:27:405280 
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報道，美國科學(xué)家們正在研制一種新的計算機存儲設(shè)備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 本文介紹了Maxim的幾款實時時鐘(RTC)芯片，列出了DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35之間的性能差異
2012-04-12 10:50:0914060 DS1339A串行實時時鐘(RTC)是一種低功耗時鐘/日期有兩個可編程定時鬧鐘和可編程方波輸出設(shè)備。
2012-08-07 15:09:332880 
所謂「隨機訪問」，指的是當(dāng)存儲器中的訊息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011794 美國芯片設(shè)計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143324 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進行靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 DFRobot曾出過一款DS1307 RTC 實時時鐘模塊，它以低廉的價格廣受客戶好評。此次DFRobot特意推出了新一代Gravity: I2C DS1307 RTC實時時鐘模塊。
2019-12-07 11:02:414545 
我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。
2020-01-13 11:50:271949 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166107 UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 中應(yīng)用最為廣泛的消費類電子產(chǎn)品之一。它為人們提供精確的實時時間,或者為電子系統(tǒng)提供精確的時間基準(zhǔn),目前實時時鐘芯片大多采用精度較高的晶體振蕩器作為時鐘源。對于STM32F的RTC實時時鐘提供了一個日歷時鐘，兩個可編程鬧鐘中斷和一個具有中斷功能的可編程喚醒標(biāo)
2021-12-04 18:06:0617 字節(jié)的靜態(tài)隨機存取存儲器。它通過簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷提供秒、分、小時、日、月、星期和年的信息。對于少于31天的月份，月末日期會自動調(diào)整，包括閏年的更正。時鐘以24小時制或12小時制運行，帶有上午/下午指示器。3.地址命令字節(jié)MSB(位7)必須是邏輯1。如果為0，對DS130
2022-01-18 09:27:051 國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術(shù)設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021132 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤Ｓ玫?CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù)，該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
，對晶體進行高精度的溫度補償能夠提高這些器件的時鐘精度。本文列出了幾款RTC(DS3231、DS3232、DS3234、DS32B35和DS32C35)的性能差異，幫助用戶查找合適的器件。 DS3231 DS3231是一款精密的I2C接口實時時鐘，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體，以下列出了這
2022-12-11 19:55:071387 主要的非易失性存儲器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲器以I2C接口的速度讀取或?qū)懭?。在寫入期間，無需輪詢設(shè)備以查找就緒條件。
2023-01-11 15:24:35483 
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39546 
實時時鐘(RTC: Real-Time Clock)是集成電路，通常稱為時鐘芯片。目前實時時鐘芯片大多采用精度較高的晶體振蕩器作為時鐘源。
2023-05-08 10:45:451652 
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317 ADI是實時時鐘(RTC)產(chǎn)品的引領(lǐng)者，已經(jīng)設(shè)計了多款在市場上炙手可熱的實時時鐘產(chǎn)品，這些產(chǎn)品提供完全集成的高精度、溫度補償RTC方案。多數(shù)情況下，RTC的精度主要取決于晶振頻率隨溫度的變化。因此
2023-01-05 14:02:11921 
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34817 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27381 低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
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